隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點的不斷演進，化學(xué)機械拋光（CMP）工藝已成為集成電路制造中不可或缺的關(guān)鍵制程環(huán)節(jié)，其精度與穩(wěn)定性直接影響芯片的集成度、性能表現(xiàn)與整體良率。作為CMP工藝的核心耗材，CMP拋光液不僅需要滿足硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的加工要求，更要在第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的高精度拋光中展現(xiàn)出關(guān)鍵作用與持續(xù)增長的應(yīng)用潛力。

聚焦關(guān)鍵應(yīng)用：CMP拋光液突破第三代半導(dǎo)體平坦化技術(shù)瓶頸

以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石及氮化鋁（AlN）等為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導(dǎo)率及優(yōu)異的抗輻射能力，成為5G通信、新能源汽車、快速充電及高效能源管理等高端應(yīng)用領(lǐng)域的核心材料。然而，該類材料具有極高的硬度與化學(xué)惰性，對其表面進行精密拋光提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。

吉致電子依托自主研發(fā)的CMP拋光液技術(shù)，通過精密調(diào)控納米磨料的機械去除與氧化劑、催化劑等化學(xué)組分的協(xié)同作用，實現(xiàn)了“化學(xué)活化—機械去除”的高效平坦化過程。該技術(shù)能夠有效降低晶圓表面粗糙度、減少亞表面損傷，成功突破第三代半導(dǎo)體材料在拋光效率與表面質(zhì)量方面的技術(shù)瓶頸，為高性能半導(dǎo)體器件的規(guī)模化量產(chǎn)提供關(guān)鍵材料支撐。

核心技術(shù)機理：化學(xué)－機械協(xié)同實現(xiàn)納米級精密拋光

CMP工藝的本質(zhì)在于化學(xué)作用與機械研磨的動態(tài)平衡。在可控的壓力與轉(zhuǎn)速條件下，拋光液中的化學(xué)組分首先與晶圓表層材料發(fā)生反應(yīng)，形成易于去除的軟化層；同時，均勻分散的納米磨料通過機械作用精準(zhǔn)去除該反應(yīng)層，從而實現(xiàn)材料的高效、低損傷平坦化。此協(xié)同機制不僅顯著提升芯片制造良率，也為更先進制程節(jié)點的技術(shù)演進提供了工藝基礎(chǔ)。

吉致電子全場景拋光解決方案：賦能多材料精密制造

作為CMP拋光液領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，吉致電子憑借持續(xù)的技術(shù)積累與創(chuàng)新能力，構(gòu)建了覆蓋半導(dǎo)體、光電子、微電子及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域的高性能拋光液產(chǎn)品體系，包括但不限于：

- 硅基拋光液：適用于傳統(tǒng)硅襯底CMP制程，保障基礎(chǔ)芯片穩(wěn)定制造；

- 藍(lán)寶石拋光液：專為LED及光學(xué)器件襯底設(shè)計，實現(xiàn)高精度表面加工；

- 砷化鎵拋光液：服務(wù)于高頻通信器件，提升材料表面質(zhì)量與器件性能；

- 碳化硅拋光液：針對SiC襯底與外延層拋光，助力第三代半導(dǎo)體器件可靠制造；

- 金剛石拋光液：面向超硬材料表面精密加工，適用于高端熱學(xué)與光學(xué)應(yīng)用；

- 銅拋光液：用于集成電路銅互連工藝，確保電路連接可靠性與電性能；

- 氧化鈰研磨液：適用于光學(xué)玻璃、陶瓷等非半導(dǎo)體材料的精密拋光；

- 特種拋光液：涵蓋陶瓷覆銅板、不銹鋼、鋁合金等材料的專業(yè)化拋光需求，全面支持多行業(yè)精密制造。

未來展望：以材料創(chuàng)新驅(qū)動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進階

隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高性能、高集成度方向持續(xù)發(fā)展，CMP拋光液的市場與技術(shù)需求將進一步擴大。吉致電子將持續(xù)深耕拋光液核心技術(shù)，致力于突破高端材料拋光中的效率與精度瓶頸，為客戶提供更高效、更穩(wěn)定、更環(huán)保的拋光解決方案。未來，公司將繼續(xù)聚焦5G通信、新能源汽車、先進封裝等戰(zhàn)略領(lǐng)域，以材料創(chuàng)新助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量可持續(xù)發(fā)展。

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