吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

半導(dǎo)體CMP工藝核心：金屬互聯(lián)層與介質(zhì)層Slurry拋光液的類型劃分

在半導(dǎo)體芯片制造中，化學(xué)機(jī)械拋光CMP是關(guān)鍵工藝，其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材，直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無論是 導(dǎo)線;（互連層）還是絕緣骨架（介質(zhì)層），都需靠它實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)平整。下面吉致電子小編就來拆解下半導(dǎo)體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質(zhì)層CMP拋光液的類型和應(yīng)用場景。一、金屬互連層CMP拋光液（后端 BEOL 核心）核心需求是選擇性除金屬、護(hù)絕緣 / 阻擋層，主流類型有：銅（Cu）CMP 拋光液14n

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CMP拋光墊怎么選？吉致電子聚氨酯拋光墊適配全工序需求

在化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝中，聚氨酯拋光墊（Polyurethane Polishing Pad）是實(shí)現(xiàn)化學(xué)作用與機(jī)械研磨協(xié)同” 的核心耗材之一，直接決定拋光后的表面平整度（Global Planarity）、表面粗糙度（Surface Roughness）及拋光效率，其應(yīng)用可從功能定位、關(guān)鍵作用、選型邏輯及使用要點(diǎn)四個(gè)維度展開：一、核心功能定位：CMP工藝的;機(jī)械研磨載體CMP 的本質(zhì)是通過

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國產(chǎn)CMP拋光墊：吉致電子無紡布墊如何比肩Fujibo？

在化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，拋光墊CMP PAD對精密元件表面處理質(zhì)量影響重大，高端市場長期被國際巨頭壟斷，國產(chǎn)替代拋光墊/研磨墊的需求強(qiáng)烈。無錫吉致電子憑借多年技術(shù)積累，研發(fā)的高性能無紡布及半導(dǎo)體拋光墊系列產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)對Fujibo(富士紡)等進(jìn)口品牌的替代，在拋光效率、使用壽命和本土定制化服務(wù)上優(yōu)勢顯著。無紡布拋光墊的技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用場景及國產(chǎn)化突破意義，為相關(guān)行業(yè)提供高性價(jià)比拋光方案。吉致電子無紡布拋光墊，以特殊纖維結(jié)構(gòu)和創(chuàng)新工藝，實(shí)現(xiàn)高耐磨性與優(yōu)異拋光性能的結(jié)合。相比傳統(tǒng)聚氨酯拋光墊，其三維網(wǎng)絡(luò)孔隙能更有效輸

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CMP拋光液廠家：半導(dǎo)體拋光液解決方案--吉致電子科技

無錫吉致電子科技有限公司作為國內(nèi)CMP拋光耗材專業(yè)制造商，多年研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，致力于為半導(dǎo)體、集成電路、3D封裝等領(lǐng)域提供高性能化學(xué)機(jī)械拋光解決方案。CMP Slurry系列涵蓋射頻濾波器拋光液、鎢拋光液、銅拋光液、淺槽隔離(STI)拋光液以及TSV硅通孔專用拋光液等，廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、3D NAND、DRAM等先進(jìn)制程的量產(chǎn)環(huán)節(jié)。一、吉致電子半導(dǎo)體拋光液產(chǎn)品特點(diǎn)CMP拋光液產(chǎn)品具備以下優(yōu)勢：卓越的懸浮穩(wěn)定性：顆粒分散均勻，不易沉淀和團(tuán)聚，使用方便，有效避免因顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致的工件表面劃傷缺陷?；瘜W(xué)-機(jī)械協(xié)同作用：通過

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CMP拋光液斷供危機(jī)？吉致電子國產(chǎn)替代方案降本30%+

在半導(dǎo)體制造過程中，CMP化學(xué)機(jī)械平坦化拋光液（Slurry）是晶圓表面平坦化的關(guān)鍵材料，直接影響芯片的性能和良率。長期以來，這一市場被海外巨頭壟斷，主要供應(yīng)商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦斷供可能導(dǎo)致生產(chǎn)線停滯，嚴(yán)重影響芯片交付。面對這一挑戰(zhàn)，吉致電子作為國內(nèi)高端電子材料供應(yīng)商，已實(shí)現(xiàn)中高端CMP拋光液的自主研發(fā)與量產(chǎn)，為國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供堅(jiān)實(shí)保障。國產(chǎn)CMP拋光液的六大核心優(yōu)勢1. 顯著成本優(yōu)勢，降低企業(yè)采購壓力價(jià)格競爭力強(qiáng)：吉致電子CMP拋光液比進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%，大幅降低半導(dǎo)體廠商的材

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多晶金剛石和單晶金剛石拋光液哪個(gè)好？

金剛石拋光液的性能差異根源在于其磨料顆粒的微觀結(jié)構(gòu)。多晶金剛石（又稱聚晶金剛石）由納米級金剛石微晶聚合而成，形成具有多棱面結(jié)構(gòu)的顆粒；而單晶金剛石則是完整的單晶體結(jié)構(gòu)，具有規(guī)則的幾何外形和一致的晶體取向。這種結(jié)構(gòu)差異直接導(dǎo)致了兩類拋光液在硬度、形貌和耐磨性方面的不同表現(xiàn)。一、單晶金剛石VS多晶金剛石的顆粒形貌與切削機(jī)理：單晶金剛石磨粒棱角尖銳，初期切削速率高，但磨損后效率下降明顯，4小時(shí)拋光去除率波動±15%。多晶金剛石顆粒因微晶隨機(jī)取向，持續(xù)暴露新切削面，自銳性強(qiáng)，去除率波動僅 ±5%

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硫化鋅(ZnS)光學(xué)窗口片的化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝

硫化鋅(ZnS)光學(xué)窗口片是一種重要的紅外光學(xué)材料，廣泛應(yīng)用于熱成像、導(dǎo)彈整流罩、激光窗口等領(lǐng)域。為確保ZnS光學(xué)窗口片具備超高表面平整度、優(yōu)異紅外透過率和低缺陷率，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）成為其精密加工的核心工藝。吉致電子憑借先進(jìn)的CMP技術(shù)，為硫化鋅光學(xué)元件提供高精度拋光解決方案，滿足軍工、光電、半導(dǎo)體等行業(yè)的高標(biāo)準(zhǔn)需求。一、硫化鋅CMP拋光的關(guān)鍵挑戰(zhàn)硫化鋅材料的特性:①硬度適中但脆性高(莫氏硬度3-4)，易產(chǎn)生劃痕或亞表面損傷。②化學(xué)活性較高，需避免

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碲鋅鎘CZT單晶襯底拋光液CMP Slurry

碲鋅鎘（CdZnTe，CZT）晶體屬于典型的軟脆晶體，其力學(xué)特性介于軟質(zhì)和脆性材料之間。軟脆晶體的定義與特征：軟質(zhì)材料：硬度較低（莫氏硬度約2.0–2.5，接近石膏或滑石），易劃傷或塑性變形。脆性材料：斷裂韌性低，易產(chǎn)生裂紋或解理斷裂（類似玻璃或硅）。CZT同時(shí)具備這兩種特性，屬于軟而脆的半導(dǎo)體晶體。CdZnTe單晶襯底加工困難：切割、拋光過程中易產(chǎn)生裂紋、邊緣崩缺或表面損傷。吉致電子的碲鋅鎘（CdZnTe）單晶襯底拋光液針對CZT材料軟脆、易損傷及表面高要求的特點(diǎn)，采用低損傷納米磨料技術(shù)（如超細(xì)膠體S

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Apple Logo鏡面拋光秘訣:吉致電子金屬CMP拋光液解決方案

在高端消費(fèi)電子領(lǐng)域，3C產(chǎn)品的每一個(gè)細(xì)節(jié)都至關(guān)重要。無論是iPhone的背面Logo，還是MacBook的金屬標(biāo)志，鏡面級的拋光效果不僅提升了產(chǎn)品的質(zhì)感，更代表了品牌對極致的追求。吉致電子金屬Logo拋光液專為鈦合金、鋁合金、不銹鋼等材質(zhì)的標(biāo)志拋光而研發(fā)，通過化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝，幫助客戶實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的鏡面效果，尤其適用于Apple產(chǎn)品標(biāo)志的高標(biāo)準(zhǔn)要求。為什么選擇吉致電子Logo拋光液？1. 納米級拋光，鏡面效果卓越采用納米級磨料，確保拋光均勻性，避免劃痕、麻點(diǎn)等問題。適用于粗磨、細(xì)磨、拋光全流程，顯著提升

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吉致電子半導(dǎo)體晶圓無蠟吸附墊CMP專用

半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，化學(xué)抗性無蠟吸附墊作為關(guān)鍵耗材，其核心作用在于解決傳統(tǒng)吸附材料的局限性，同時(shí)滿足先進(jìn)制程對潔凈度、穩(wěn)定性和工藝兼容性的嚴(yán)苛要求。吉致電子半導(dǎo)體CMP專用無蠟吸附墊產(chǎn)品，解決了傳統(tǒng)吸附墊在嚴(yán)苛化學(xué)環(huán)境下性能不足、適配性差的問題，還為碳化硅晶圓等精密元件的高效、高質(zhì)量拋光提供了可靠的解決方案。材料抗性設(shè)計(jì)：采用高分子復(fù)合材料體系，通過交聯(lián)密度調(diào)控和納米填料改性，實(shí)現(xiàn)對KMnO4等強(qiáng)氧化性漿料的化學(xué)惰性。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，在80℃/10%KMnO4溶液中浸泡240小時(shí)后，吸附墊的拉伸強(qiáng)

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光儲行業(yè)玻璃硬盤CMP拋光解決方案

一、玻璃硬盤CMP拋光液的技術(shù)原理CMP拋光是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的精密表面處理技術(shù)。對于玻璃硬盤基板而言，CMP拋光過程涉及復(fù)雜的物理化學(xué)相互作用：化學(xué)作用：拋光液中的化學(xué)組分與玻璃表面發(fā)生反應(yīng)，生成易于去除的軟化層或反應(yīng)產(chǎn)物。對于硅酸鹽玻璃，通常涉及Si-O鍵的水解和離子交換反應(yīng)。機(jī)械作用：拋光墊和研磨顆粒通過機(jī)械摩擦去除表面反應(yīng)層，同時(shí)暴露出新鮮表面繼續(xù)參與化學(xué)反應(yīng)。協(xié)同效應(yīng)：理想的拋光過程要求化學(xué)腐蝕速率與機(jī)械去除速率達(dá)到動態(tài)平衡，以獲得超光滑無損傷的表面。二、玻璃硬盤對CMP拋光液的性能要求為滿足高

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陶瓷基板無蠟吸附墊的優(yōu)點(diǎn)與選型指南

在陶瓷基板（Al2O3、AlN、SiC等）的化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，無蠟吸附墊憑借其高精度、無污染的特性，成為替代傳統(tǒng)蠟粘附工藝的理想選擇。吉致電子為您解析Template這一關(guān)鍵耗材的技術(shù)優(yōu)勢及選型要點(diǎn)。一、為什么選擇無蠟吸附墊？1. 杜絕污染，提升良率傳統(tǒng)蠟粘附會殘留有機(jī)物，導(dǎo)致陶瓷基板后續(xù)工藝（如金屬化）失效。無蠟吸附墊通過真空吸附或微紋理固定，避免污染，特別適合高頻/高功率電子器件等嚴(yán)苛應(yīng)用場景。2. 均勻拋光，降低缺陷聚氨酯（PU）材質(zhì)的彈性層可自適應(yīng)基板形貌，配合多孔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，確保壓力分布均勻，減少劃

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襯底與晶圓在半導(dǎo)體制造中的作用及CMP技術(shù)解析

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，襯底和晶圓是兩個(gè)密切相關(guān)但又各具功能的核心概念。襯底作為基礎(chǔ)層材料，為整個(gè)芯片制造過程提供物理支撐；而晶圓則是從襯底材料中切割出來的圓形硅片，是半導(dǎo)體芯片制造的直接載體。襯底通常是硅或其他半導(dǎo)體材料的薄片，具有優(yōu)異的機(jī)械性能和熱穩(wěn)定性。晶圓作為襯底的一部分，經(jīng)過精密加工后具有特定的晶體取向和表面特性，能夠滿足后續(xù)復(fù)雜的半導(dǎo)體工藝要求。襯底的核心功能與應(yīng)用承載功能：襯底為半導(dǎo)體芯片提供穩(wěn)定的機(jī)械支撐平臺，確保在整個(gè)制造過程中保持結(jié)構(gòu)完整性。優(yōu)質(zhì)的襯底能夠承受高溫、化學(xué)腐蝕等嚴(yán)苛工藝條件而不變形或降解

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吉致電子化學(xué)抗性無蠟吸附墊：半導(dǎo)體晶圓拋光專屬解決方案

在精密半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，拋光工藝的潔凈度與穩(wěn)定性直接決定晶圓品質(zhì)。吉致電子憑借對材料科學(xué)與工藝參數(shù)的深度理解，推出化學(xué)抗性無蠟吸附墊，以獨(dú)家定制化設(shè)計(jì)打破傳統(tǒng)模板局限，為碳化硅SiC晶圓及高錳酸鉀（KMnO4）基漿料等嚴(yán)苛環(huán)境提供高耐久、超潔凈的拋光背附解決方案。一，精準(zhǔn)匹配：從工藝需求到定制化設(shè)計(jì)每一款拋光背附板的性能都需與客戶的生產(chǎn)場景深度契合?；瘜W(xué)抗性吸附墊的設(shè)計(jì)流程始于全面調(diào)研——從工件特性、漿料化學(xué)性質(zhì)（pH值、腐蝕性）到設(shè)備參數(shù)（壓力、溫度），吉致電子通過定制化圖紙，精準(zhǔn)適配材料厚

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吉致電子：25 年CMP技術(shù)，鑄就高端手機(jī)鏡面質(zhì)感

當(dāng)高端手機(jī)的金屬邊框以鏡面之姿映出光影流轉(zhuǎn)，指尖劃過的絲滑觸感背后是3C行業(yè)精密制造的科技結(jié)晶。吉致電子深耕CMP化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)25年，作為3C行業(yè)拋光液及耗材的核心供應(yīng)商與技術(shù)支持廠家，為華為、蘋果等品牌定制不銹鋼、鈦合金、鋁合金邊框鏡面拋光解決方案，解密手機(jī)「完美鏡面」的誕生密碼。一、手機(jī)邊框鏡面拋光的三大核心挑戰(zhàn)與吉致電子方案手機(jī)金屬邊框的拋光工藝堪稱精密制造的 “極限挑戰(zhàn)”，吉致電子針對核心難點(diǎn)給出定制化解決方案：①材質(zhì)差異大：不銹鋼硬度高、鈦合金易氧化、鋁合金怕腐蝕，傳統(tǒng)拋光液難

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硅晶圓芯片拋光如何選擇無蠟吸附墊？

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，無蠟吸附墊Template正逐漸成為提升生產(chǎn)效率與加工精度的關(guān)鍵要素。相較于傳統(tǒng)蠟?zāi)Ｑb夾工藝，無蠟吸附墊展現(xiàn)出諸多優(yōu)勢。如何挑選出契合晶圓、芯片CMP拋光需求的無蠟吸附墊，成為眾多半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。選擇半導(dǎo)體無蠟吸附墊，吉致電子建議您可從以下幾個(gè)方面考慮：考慮晶圓尺寸與類型：不同的半導(dǎo)體加工涉及不同尺寸的晶圓，如8英寸或12英寸等，需選擇與之適配的無蠟吸附墊。同時(shí)，根據(jù)晶圓材料類型，如硅片、SiC、藍(lán)寶石襯底等，選擇具有相應(yīng)材料兼容性的吸附墊，確保在加工過程中不會對晶圓造成化學(xué)腐蝕等損害。關(guān)注吸

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吉致電子碳化硅CMP研磨液：助力SiC半導(dǎo)體制造升級

吉致電子碳化硅CMP研磨液采用多組分協(xié)同作用的設(shè)計(jì)理念，結(jié)合氧化鋁磨料的高效機(jī)械作用與高錳酸鉀的精密化學(xué)氧化，實(shí)現(xiàn)了材料去除率與表面質(zhì)量的完美平衡。產(chǎn)品經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和實(shí)際產(chǎn)線驗(yàn)證，具有以下核心優(yōu)勢：1. 高效化學(xué)-機(jī)械協(xié)同拋光機(jī)制吉致電子CMP研磨液的獨(dú)特之處在于其雙重作用機(jī)制：高錳酸鉀(KMnO4)作為強(qiáng)氧化劑，在拋光過程中將碳化硅表面氧化生成較軟的SiO2層，這一氧化層硬度顯著低于碳化硅基底，隨后被氧化鋁磨料高效機(jī)械去除。通過調(diào)節(jié)pH值(通常控制在10-11之間)，實(shí)現(xiàn)了氧化速率與機(jī)械去除的最佳匹配，既保

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吉致電子：以創(chuàng)新CMP拋光液技術(shù)賦能碳化硅襯底新時(shí)代

隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，碳化硅(SiC)襯底憑借其卓越性能，正在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域掀起技術(shù)革命。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料解決方案提供商，吉致電子深耕碳化硅襯底CMP拋光液研發(fā)，為行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。碳化硅襯底：高端應(yīng)用行業(yè)的基石碳化硅襯底因其寬禁帶、高導(dǎo)熱等特性，成為制造高壓、高溫、高頻器件的理想選擇。在新能源汽車領(lǐng)域，采用SiC襯底的功率模塊可使逆變器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC襯底的射頻器件能顯著提升信號傳輸效率。這些高端應(yīng)用對襯底表面質(zhì)量提出嚴(yán)苛要

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吉致電子無蠟吸附墊革新晶圓制造工藝：零殘留·高平坦·更穩(wěn)定

在半導(dǎo)體晶圓拋光領(lǐng)域傳統(tǒng)蠟?zāi)Ｑb夾工藝存在效率低、良率受限等痛點(diǎn)，而半導(dǎo)體真空吸附墊Template技術(shù)的創(chuàng)新和使用正在推動行業(yè)變革。吉致電子通過定制化半導(dǎo)體晶圓拋光的CMP（化學(xué)機(jī)械平坦化）無蠟吸附墊、真空吸附板設(shè)計(jì)，可為半導(dǎo)體領(lǐng)域客戶提升生產(chǎn)效率。吉致電子真空吸附墊/CMP拋光模版通過「無蠟革命」，為硅片、晶圓、SiC、藍(lán)寶石襯底、光學(xué)玻璃等材料提供高精度拋光解決方案。傳統(tǒng)蠟粘工藝的核心痛點(diǎn)效率瓶頸蠟?zāi)Ｐ杓訜?冷卻固化，單次裝夾耗時(shí)30分鐘以上，影響產(chǎn)能。殘留蠟清洗工序復(fù)雜，增加非生產(chǎn)

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國產(chǎn)替代｜吉致電子硅片CMP拋光液Slurry

一、CMP拋光技術(shù)：半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵工藝化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半導(dǎo)體硅片制造的核心工藝之一，直接影響芯片性能與良率。在硅片加工過程中，CMP通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)原子級表面平坦化（粗糙度<0.2nm），滿足先進(jìn)制程對晶圓表面超潔凈、超平整的要求。吉致電子CMP拋光液的三大核心作用①高效拋光：納米級磨料（如膠體SiO2）精準(zhǔn)去除表面凸起，提升硅片平整度，減少微劃痕。②潤滑保護(hù)：特殊添加劑降低摩擦系數(shù)（<0.05），減少

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