隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以化合物半導(dǎo)體材料，特別是第三代半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體新材料快速崛起。半導(dǎo)體拋光液是半導(dǎo)體材料制程中不可或缺是耗材。其中碳化硅是新型電力系統(tǒng)，特高壓電網(wǎng)必需的可達(dá)萬伏千安等級(jí)的唯一功率半導(dǎo)體材料。

  碳化硅Sic同時(shí)也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國(guó)際技術(shù)發(fā)展水平來看，SiC 晶圓方面8英寸襯底開始產(chǎn)業(yè)化，車規(guī)級(jí)功率器件是當(dāng)前開發(fā)重點(diǎn)，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品，碳化硅器件正向耐受更高電壓、更高電流密度、更低導(dǎo)通壓降、更高開關(guān)頻率方向發(fā)展。

  碳化硅襯底的制程中需要用到CMP工藝，吉致電子碳化硅拋光液CMP化學(xué)機(jī)械拋光液可用于各種SiC襯底的平坦化，我司研發(fā)生產(chǎn)的SiC Slurry適用于不同尺寸下4H及6H構(gòu)型碳化硅晶圓的粗拋與精拋，具有高去除率、高平坦化速率、可濃縮和低腐蝕性或無腐蝕性的特性。吉致電子不斷優(yōu)化半導(dǎo)體拋光液配方，切實(shí)提升CMP Slurry現(xiàn)代化水平，做到國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)口fujimi拋光液，ACESOL拋光液，Allied拋光液，Cabot拋光液等，積極響應(yīng)國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略實(shí)施。

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