化學(xué)機械平坦化，英語是：Chemical-Mechanical Planarization, CMP。 又稱化學(xué)機械研磨，英語是：Chemical-Mechanical Polishing。是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一種技術(shù)，使用化學(xué)腐蝕及機械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。

CMP技術(shù)早期主要應(yīng)用于光學(xué)鏡片的拋光和晶圓的拋光。

20世紀(jì)70年代，多層金屬化技術(shù)被引入到集成電路制造工藝中，此技術(shù)使芯片的垂直空間得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但這項技術(shù)使得硅片表面不平整度加劇，由此引發(fā)的一系列問題（如引起光刻膠厚度不均進而導(dǎo)致光刻受限）嚴(yán)重影響了大規(guī)模集成電路（LSI）的發(fā)展。針對這一問題，業(yè)界先后開發(fā)了多種平坦化技術(shù)，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜層等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司將CMP技術(shù)進行了發(fā)展使之應(yīng)用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果較傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有了大的改善，從而使之成為了大規(guī)模集成電路制造中有關(guān)鍵地位的平坦化技術(shù)。

工作原理：

    化學(xué)機械平坦化是在機械拋光的基礎(chǔ)上根據(jù)所要拋光的表面加入相應(yīng)的化學(xué)添加劑從而達(dá)到增強拋光和選擇性拋光的效果。

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