常用的半導體拋光液，按拋光對象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應用于 130nm 及以下技術節(jié)點邏輯芯片的制造工藝，而鎢拋光液W slurry則大量應用于存儲芯片制造工藝，在邏輯芯片中用量較少。

  銅拋光液，主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來腐蝕溶解銅表面，成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜，鈍化膜的形成可以保護腐蝕劑的進一步腐蝕，并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外，CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學試劑以調(diào)節(jié)PH值，為拋光過程的化學反應提供一定的酸堿性環(huán)境，確?；瘜W反應能順利、高效地進行。

  鎢CMP拋光液主要用于金屬鎢（W）的CMP拋光，以達到精準的表面平整度和厚度控制。半導體W CMP拋光液通常包含了一些化學物質(zhì)，如氧化劑、酸、堿等，以及磨料等。這些化學物質(zhì)和磨料的組合可以提供高選擇比和低表面粗糙度的拋光效果。在半導體制造中，W CMP拋光液廣泛用于金屬鎢的制造，如金屬鎢的連接導線和金屬柵極等。

 吉致電子半導體拋光耗材包括CMP拋光液、研磨液、清洗液、無紡布研磨墊、拋光墊、阻尼布精拋墊等，應用于銅阻擋層系列、鎢拋光液、硅拋光液、氧化物拋光液、STI拋光等使用。