吉致電子碳化硅CMP研磨液采用多組分協(xié)同作用的設(shè)計(jì)理念，實(shí)現(xiàn)了材料去除率與表面質(zhì)量的完美平衡。產(chǎn)品經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和實(shí)際產(chǎn)線驗(yàn)證，具有以下核心優(yōu)勢：

1. 高效化學(xué)-機(jī)械協(xié)同拋光機(jī)制

吉致電子碳化硅研磨液/拋光液的獨(dú)特之處在于其雙重作用機(jī)制：高錳酸鉀(KMnO4)作為強(qiáng)氧化劑，在拋光過程中將碳化硅表面氧化生成較軟的SiO2層，這一氧化層硬度顯著低于碳化硅基底，隨后被氧化鋁磨料高效機(jī)械去除。通過調(diào)節(jié)pH值(通?？刂圃?0-11之間)，實(shí)現(xiàn)了氧化速率與機(jī)械去除的最佳匹配，既保證了高材料去除率，又避免了過度腐蝕導(dǎo)致的表面缺陷。

2. 多級拋光工藝系統(tǒng)集成

• 針對碳化硅襯底加工的不同階段要求，吉致電子開發(fā)了完整的四級拋光系統(tǒng)，為客戶提供端到端的解決方案

• 粗磨階段：吉致電子粗磨液JZ-8003，配合研磨墊JZ-1020，快速去除大部分加工余量，拋光速率可達(dá)25-30μm/h，表面粗糙度1.22nm。

• 精磨階段：吉致電子精磨液JZ-8001，研磨墊JZ-1020，平衡去除效率與表面質(zhì)量，拋光速率達(dá)6.8μm/h，表面粗糙度0.45nm。

• 粗拋階段：采用小粒徑氧化鋁與高錳酸鉀組合的粗拋液JZ-8010，配合拋光墊JZ-2020（替代SUBA800拋光墊），拋光速率約2.5μm/h，表面粗糙度Ra0.13nm。

• 精拋階段：使用納米SiO2氧化硅精拋液吉致電子JZ-8020，配合軟質(zhì)精拋墊JZ-326（Politex拋光墊FUJIBO拋光墊替代），實(shí)現(xiàn)原子級表面平整度，拋光速率約0.25μm/hRa<0.06nm。

這種漸進(jìn)式拋光策略可根據(jù)客戶具體需求靈活調(diào)整，以滿足半導(dǎo)體行業(yè)高精度加工要求。

3. 國產(chǎn)化創(chuàng)新與成本優(yōu)勢

作為國內(nèi)CMP耗材供應(yīng)商及生產(chǎn)廠家，吉致電子通過經(jīng)驗(yàn)累計(jì)和自主創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了碳化硅拋光液/拋光墊的國產(chǎn)化替代。相比進(jìn)口產(chǎn)品，我們的優(yōu)勢體現(xiàn)在：

• 價(jià)格優(yōu)勢：本土化生產(chǎn)節(jié)省了關(guān)稅和物流成本，產(chǎn)品價(jià)格比同類進(jìn)口品牌低20-30%。

• 快速響應(yīng)：國內(nèi)生產(chǎn)基地真實(shí)工廠，確保供貨周期縮短50%以上，緊急需求可實(shí)現(xiàn)72小時(shí)內(nèi)交付。

• 定制服務(wù)：可根據(jù)客戶工藝參數(shù)和設(shè)備特性，調(diào)整研磨液粒徑分布、pH值和氧化劑濃度等指標(biāo)，提供專屬配方優(yōu)化。

• 技術(shù)支持：配備專業(yè)應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)，從工藝調(diào)試到量產(chǎn)爬坡提供全程技術(shù)支持，幫助客戶縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。

吉致電子碳化硅CMP研磨液已通過多家主流半導(dǎo)體制造商的驗(yàn)證，在4H-SiC和6H-SiC等多種晶型上表現(xiàn)出優(yōu)異的工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性，良率可達(dá)95%以上。

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