吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

什么是半導(dǎo)體CMP Slurry？

半導(dǎo)體化學(xué)機(jī)械拋光液/拋光漿料CMP Slurry作為化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing）工藝的核心耗材，是半導(dǎo)體制造流程中實(shí)現(xiàn)硅片、晶圓、襯底表面高精度、超平滑處理的關(guān)鍵材料。其性能直接決定芯片制程中多層布線、介質(zhì)層平坦化等核心工序的精度與穩(wěn)定性，為先進(jìn)芯片量產(chǎn)提供核心支撐。吉致電子JEEZ Electronics半導(dǎo)體核心耗材領(lǐng)域多年經(jīng)驗(yàn)，憑借技術(shù)積淀和研究創(chuàng)新在CMP Slurry產(chǎn)業(yè)化方面持續(xù)突破，為國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)提供更高性能、更可靠的國產(chǎn)化解決方案。一、半導(dǎo)體CMP拋

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吉致電子：LN/LT晶體CMP拋光解決方案，賦能光子芯片與量子通信

在光電信息、量子通信、半導(dǎo)體激光等高端產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，鈮酸鋰（LN）、鉭酸鋰（LT）晶體憑借優(yōu)異的電光、聲光及非線性光學(xué)特性，成為制造高性能器件的核心基材。而晶體表面的光潔度直接決定器件的光傳輸效率、調(diào)制性能與長期穩(wěn)定性，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）作為實(shí)現(xiàn)晶體超精密表面加工的關(guān)鍵工藝，其技術(shù)水準(zhǔn)與配套耗材（拋光液、拋光墊）的適配性，成為突破高端晶體應(yīng)用瓶頸的核心支撐。吉致電子深耕光電材料精密加工領(lǐng)域，針對LN/LT晶體的材質(zhì)特性，打造定制化CMP拋光解決方案，通過精準(zhǔn)匹配拋光液配方與拋光墊類型，實(shí)現(xiàn)從常規(guī)精密拋光到原子級超光

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吉致電子藍(lán)寶石CMP研磨拋光及Template吸附墊加工方案

藍(lán)寶石（α-Al2O3）憑借單晶結(jié)構(gòu)賦予的高硬度（莫氏硬度9）、80%以上的高透光率，以及優(yōu)異的耐高溫、耐腐蝕特性，成為當(dāng)前LED芯片制造的主流襯底材料。然而，其超高硬度也帶來了嚴(yán)苛的加工挑戰(zhàn)，表面平整度、亞表面損傷等指標(biāo)直接決定LED外延層生長質(zhì)量。吉致電子深耕化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）核心技術(shù)，創(chuàng)新集成無蠟吸附墊Template產(chǎn)品，構(gòu)建從精密研磨到超凈檢測的全流程解決方案，實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石襯底納米級平整度加工，為高性能LED芯片量產(chǎn)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。一、藍(lán)寶石襯底的核心特性與加工痛點(diǎn)解析藍(lán)寶石襯底的獨(dú)特性能是其成為LED襯

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探秘光學(xué)玻璃拋光液CMP工藝：吉致電子的技術(shù)革新

解鎖CMP工藝：原理與優(yōu)勢在光學(xué)元件加工領(lǐng)域，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)高精度表面平坦化的核心技術(shù)，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，完成光學(xué)玻璃的精密加工。CMP工藝的核心是化學(xué)與機(jī)械作用的協(xié)同。拋光液中的化學(xué)試劑先與玻璃表面反應(yīng)，形成一層易去除的軟化層；這一化學(xué)預(yù)處理為后續(xù)機(jī)械研磨奠定基礎(chǔ)，通過精準(zhǔn)控制反應(yīng)強(qiáng)度，確保軟化層既易去除又不損傷玻璃本體。隨后機(jī)械研磨啟動，拋光墊上的磨料顆粒在特定壓力和轉(zhuǎn)速下，摩擦去除軟化層。通過精確控制拋光壓力、轉(zhuǎn)速及磨料特性等參數(shù)，可實(shí)現(xiàn)材料去除量的精準(zhǔn)把控，達(dá)到所需平坦化精度。

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破解G804W高成本與慢響應(yīng)：國產(chǎn)CMP拋光墊的替代邏輯

在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速迭代的今天，碳化硅（SiC）作為核心材料，正以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場強(qiáng)特性，重塑新能源汽車功率器件、高頻通信器件等高端制造領(lǐng)域的技術(shù)格局。而化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）作為碳化硅加工的關(guān)鍵工序，其核心耗材——拋光墊的性能直接決定了器件的成品精度與可靠性。長期以來，日本Fujibo的G804W拋光墊憑借穩(wěn)定的性能，成為全球碳化硅CMP領(lǐng)域的主流選擇之一。如今，隨著國產(chǎn)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的崛起，吉致電子依托自主研發(fā)實(shí)力，在G804W國產(chǎn)替代賽道上實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破，為產(chǎn)業(yè)鏈自主可控注入強(qiáng)

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半導(dǎo)體制造的 “表面革命”：硅片拋光的技術(shù)本質(zhì)與基石價值

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的精密制造鏈條中，每一顆高性能芯片的誕生，都離不開從硅料提純到芯片封裝的數(shù)百道工藝環(huán)節(jié)。其中，硅片拋光作為銜接硅片切割研磨與后續(xù)光刻、薄膜沉積的關(guān)鍵工序，堪稱半導(dǎo)體制造的“表面精整藝術(shù)”——它以納米級的精度塑造硅片表面形態(tài)，直接決定芯片的性能、可靠性與良率。作為深耕電子領(lǐng)域的企業(yè)，吉致電子深知這一工藝的核心價值，本文將帶您深入解析硅片拋光的技術(shù)精髓。為何硅片拋光是半導(dǎo)體制造的“必答題”？硅片經(jīng)過切割、研磨等前道工序后，表面會殘留微米

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吉致電子InP磷化銦襯底拋光研磨關(guān)鍵工藝解析

磷化銦（InP）作為第三代半導(dǎo)體核心材料，憑借其優(yōu)異的電子遷移率、寬禁帶寬度及良好的光電特性，在光通信、毫米波雷達(dá)、量子通信等高端領(lǐng)域占據(jù)不可替代的地位。磷化銦襯底的表面質(zhì)量直接決定后續(xù)外延生長、器件制備的精度與可靠性，而拋光研磨工藝正是把控這一核心指標(biāo)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。吉致電子深耕半導(dǎo)體材料加工領(lǐng)域，結(jié)合多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，對磷化銦襯底拋光研磨的關(guān)鍵工藝進(jìn)行系統(tǒng)解析。一、研磨工藝：奠定高精度基礎(chǔ)研磨工藝的核心目標(biāo)是快速去除襯底表面的切割損傷層，修正幾何形狀偏差，為后續(xù)拋光工序提供平整、均勻的表面基底。其工藝參數(shù)的精準(zhǔn)控制直接

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吉致電子砷化鎵襯底CMP拋光液 | 高平坦度低缺陷半導(dǎo)體slurry

吉致電子CMP拋光耗材廠家——精準(zhǔn)匹配半導(dǎo)體高端材料拋光需求在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，砷化鎵GaAs作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，因其優(yōu)異的電子遷移率和直接帶隙特性，在射頻前端、光電器件和高速集成電路中扮演著不可替代的角色。然而，砷化鎵襯底的高效精密拋光一直是行業(yè)面臨的重大挑戰(zhàn)。砷化鎵CMP拋光的核心挑戰(zhàn)砷化鎵材料由兩種硬度和化學(xué)性質(zhì)差異顯著的原子構(gòu)成，在拋光過程中容易產(chǎn)生晶格損傷、表面粗糙和化學(xué)計(jì)量比失衡等問題。傳統(tǒng)的拋光工藝難以同時實(shí)現(xiàn)全局平坦化、低表面損傷和高材料去除率，這直接影響著后

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帶背膠的阻尼布拋光墊：CMP工藝的高效適配型輔助核心

在化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中，帶背膠的阻尼布拋光墊是連接拋光盤與工件的關(guān)鍵部件，憑借精準(zhǔn)適配性與穩(wěn)定性能，為CMP相關(guān)設(shè)備及工藝提供可靠支撐，帶背膠的阻尼布拋光墊CMP PAD優(yōu)點(diǎn)有以下4點(diǎn)：一、精準(zhǔn)適配，安裝便捷背膠采用高粘接力特種膠（可選國產(chǎn)/3M），無需額外夾具就可直接緊密貼合拋光頭或載臺，避免高速旋轉(zhuǎn)（10-150rpm）時“跑位”，保障拋光軌跡一致；厚度公差≤±0.02mm，支持0.5～5mm多規(guī)格選擇，還能按4/8/12英寸硅片等工件尺寸靈活裁剪，適配不同CMP

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桂香迎佳節(jié)，紅旗映月圓--吉致電子祝您雙節(jié)快樂!

桂香迎佳節(jié)，紅旗映月圓致吉致電子的各位伙伴：丹桂浮香，皓月凌空；紅旗漫卷，九州同慶。當(dāng)中秋的清輝邂逅國慶的榮光，便暈染出最動人的時代畫卷。承蒙諸君攜手同行，我們于歲月中沉淀初心，在征程上共筑華章。此刻，愿這輪明月承載團(tuán)圓的期盼，愿這方沃土延續(xù)盛世的安康。謹(jǐn)以中秋的皎潔、國慶的赤誠，祝君闔家圓滿，事業(yè)昌隆，家國同輝，歲歲無憂。                            

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藍(lán)寶石襯底CMP拋光為什么要用吸附墊

在藍(lán)寶石襯底的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）加工中，吸附墊（也常稱為 “真空吸附墊” 或 “承載吸附墊”）是連接拋光機(jī)工作臺與藍(lán)寶石襯底的核心輔助部件，其作用貫穿 “襯底固定 - 壓力傳遞 - 拋光穩(wěn)定性 - 表面質(zhì)量保障” 全流程，直接影響 CMP 加工的效率、精度與成品良率。以下從核心作用和技術(shù)意義兩方面展開詳細(xì)解析：一、吸附墊的核心作用吸附墊的本質(zhì)是通過 “物理吸附 + 柔性適配” 實(shí)現(xiàn)襯底與工作臺的可靠結(jié)合，具體功能可拆

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吉致電子鉬片CMP拋光液—高效低損傷，適配高精度鉬加工

鉬片的CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝是實(shí)現(xiàn)其高精度表面制備的核心技術(shù)，尤其適用于半導(dǎo)體、航空航天等對鉬片/鉬圓/鉬襯底表面粗糙度、平坦度要求嚴(yán)苛的領(lǐng)域。鉬合金工件的CMP加工及拋光液推薦需結(jié)合工藝原理、應(yīng)用場景及實(shí)際生產(chǎn)需求綜合分析：一、鉬片CMP工藝的核心優(yōu)點(diǎn)CMP的本質(zhì)是“化學(xué)腐蝕 + 機(jī)械研磨”的協(xié)同作用，相比傳統(tǒng)機(jī)械拋光（如砂輪拋光、金剛石刀具拋光）或純化學(xué)拋光/電解拋光等，CMP工藝在鉬片加工中展現(xiàn)出不可替代的優(yōu)勢：1.表面質(zhì)量極高，滿足精密領(lǐng)域需求鉬作為高硬度金屬（莫氏硬度5.5，熔點(diǎn)2

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阻尼布精拋墊：硬脆材料CMP拋光高精度解決方案

在CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝中適，拋光墊CMP Pad的性能對精密元件表面處理效果影響極大。吉致電子阻尼布拋光墊（精拋墊）質(zhì)地細(xì)膩，表面柔軟、多孔、彈性好且使用周期長，用于晶圓、金屬、脆硬材料的最終拋光。吉致電子阻尼布精拋墊采用特殊纖維結(jié)構(gòu)，構(gòu)建起三維網(wǎng)絡(luò)孔隙。這些孔隙如同細(xì)密的管道，在拋光時能夠高效輸送拋光漿料，讓漿料均勻覆蓋元件表面，從而提升拋光表面的一致性。同時，拋光墊的孔隙能迅速將拋光過程中產(chǎn)生的碎屑排走，有效避免碎屑在元件表面反復(fù)摩擦，降低表面被劃傷的風(fēng)險，極大提升了拋光后元件的表面質(zhì)量。在碳化硅SiC襯底、

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CMP拋光液廠家：半導(dǎo)體拋光液解決方案--吉致電子科技

無錫吉致電子科技有限公司作為國內(nèi)CMP拋光耗材專業(yè)制造商，多年研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，致力于為半導(dǎo)體、集成電路、3D封裝等領(lǐng)域提供高性能化學(xué)機(jī)械拋光解決方案。CMP Slurry系列涵蓋射頻濾波器拋光液、鎢拋光液、銅拋光液、淺槽隔離(STI)拋光液以及TSV硅通孔專用拋光液等，廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、3D NAND、DRAM等先進(jìn)制程的量產(chǎn)環(huán)節(jié)。一、吉致電子半導(dǎo)體拋光液產(chǎn)品特點(diǎn)CMP拋光液產(chǎn)品具備以下優(yōu)勢：卓越的懸浮穩(wěn)定性：顆粒分散均勻，不易沉淀和團(tuán)聚，使用方便，有效避免因顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致的工件表面劃傷缺陷。化學(xué)-機(jī)械協(xié)同作用：通過

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CMP拋光液斷供危機(jī)？吉致電子國產(chǎn)替代方案降本30%+

在半導(dǎo)體制造過程中，CMP化學(xué)機(jī)械平坦化拋光液（Slurry）是晶圓表面平坦化的關(guān)鍵材料，直接影響芯片的性能和良率。長期以來，這一市場被海外巨頭壟斷，主要供應(yīng)商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦斷供可能導(dǎo)致生產(chǎn)線停滯，嚴(yán)重影響芯片交付。面對這一挑戰(zhàn)，吉致電子作為國內(nèi)高端電子材料供應(yīng)商，已實(shí)現(xiàn)中高端CMP拋光液的自主研發(fā)與量產(chǎn)，為國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供堅(jiān)實(shí)保障。國產(chǎn)CMP拋光液的六大核心優(yōu)勢1. 顯著成本優(yōu)勢，降低企業(yè)采購壓力價格競爭力強(qiáng)：吉致電子CMP拋光液比進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%，大幅降低半導(dǎo)體廠商的材

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多晶金剛石和單晶金剛石拋光液哪個好？

金剛石拋光液的性能差異根源在于其磨料顆粒的微觀結(jié)構(gòu)。多晶金剛石（又稱聚晶金剛石）由納米級金剛石微晶聚合而成，形成具有多棱面結(jié)構(gòu)的顆粒；而單晶金剛石則是完整的單晶體結(jié)構(gòu)，具有規(guī)則的幾何外形和一致的晶體取向。這種結(jié)構(gòu)差異直接導(dǎo)致了兩類拋光液在硬度、形貌和耐磨性方面的不同表現(xiàn)。一、單晶金剛石VS多晶金剛石的顆粒形貌與切削機(jī)理：單晶金剛石磨粒棱角尖銳，初期切削速率高，但磨損后效率下降明顯，4小時拋光去除率波動±15%。多晶金剛石顆粒因微晶隨機(jī)取向，持續(xù)暴露新切削面，自銳性強(qiáng)，去除率波動僅 ±5%

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硫化鋅(ZnS)光學(xué)窗口片的化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝

硫化鋅(ZnS)光學(xué)窗口片是一種重要的紅外光學(xué)材料，廣泛應(yīng)用于熱成像、導(dǎo)彈整流罩、激光窗口等領(lǐng)域。為確保ZnS光學(xué)窗口片具備超高表面平整度、優(yōu)異紅外透過率和低缺陷率，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）成為其精密加工的核心工藝。吉致電子憑借先進(jìn)的CMP技術(shù)，為硫化鋅光學(xué)元件提供高精度拋光解決方案，滿足軍工、光電、半導(dǎo)體等行業(yè)的高標(biāo)準(zhǔn)需求。一、硫化鋅CMP拋光的關(guān)鍵挑戰(zhàn)硫化鋅材料的特性:①硬度適中但脆性高(莫氏硬度3-4)，易產(chǎn)生劃痕或亞表面損傷。②化學(xué)活性較高，需避免

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碲鋅鎘CZT單晶襯底拋光液CMP Slurry

碲鋅鎘（CdZnTe，CZT）晶體屬于典型的軟脆晶體，其力學(xué)特性介于軟質(zhì)和脆性材料之間。軟脆晶體的定義與特征：軟質(zhì)材料：硬度較低（莫氏硬度約2.0–2.5，接近石膏或滑石），易劃傷或塑性變形。脆性材料：斷裂韌性低，易產(chǎn)生裂紋或解理斷裂（類似玻璃或硅）。CZT同時具備這兩種特性，屬于軟而脆的半導(dǎo)體晶體。CdZnTe單晶襯底加工困難：切割、拋光過程中易產(chǎn)生裂紋、邊緣崩缺或表面損傷。吉致電子的碲鋅鎘（CdZnTe）單晶襯底拋光液針對CZT材料軟脆、易損傷及表面高要求的特點(diǎn)，采用低損傷納米磨料技術(shù)（如超細(xì)膠體S

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Apple Logo鏡面拋光秘訣:吉致電子金屬CMP拋光液解決方案

在高端消費(fèi)電子領(lǐng)域，3C產(chǎn)品的每一個細(xì)節(jié)都至關(guān)重要。無論是iPhone的背面Logo，還是MacBook的金屬標(biāo)志，鏡面級的拋光效果不僅提升了產(chǎn)品的質(zhì)感，更代表了品牌對極致的追求。吉致電子金屬Logo拋光液專為鈦合金、鋁合金、不銹鋼等材質(zhì)的標(biāo)志拋光而研發(fā)，通過化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝，幫助客戶實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的鏡面效果，尤其適用于Apple產(chǎn)品標(biāo)志的高標(biāo)準(zhǔn)要求。為什么選擇吉致電子Logo拋光液？1. 納米級拋光，鏡面效果卓越采用納米級磨料，確保拋光均勻性，避免劃痕、麻點(diǎn)等問題。適用于粗磨、細(xì)磨、拋光全流程，顯著提升

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吉致電子半導(dǎo)體晶圓無蠟吸附墊CMP專用

半導(dǎo)體晶圓化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝中，化學(xué)抗性無蠟吸附墊作為關(guān)鍵耗材，其核心作用在于解決傳統(tǒng)吸附材料的局限性，同時滿足先進(jìn)制程對潔凈度、穩(wěn)定性和工藝兼容性的嚴(yán)苛要求。吉致電子半導(dǎo)體CMP專用無蠟吸附墊產(chǎn)品，解決了傳統(tǒng)吸附墊在嚴(yán)苛化學(xué)環(huán)境下性能不足、適配性差的問題，還為碳化硅晶圓等精密元件的高效、高質(zhì)量拋光提供了可靠的解決方案。材料抗性設(shè)計(jì)：采用高分子復(fù)合材料體系，通過交聯(lián)密度調(diào)控和納米填料改性，實(shí)現(xiàn)對KMnO4等強(qiáng)氧化性漿料的化學(xué)惰性。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，在80℃/10%KMnO4溶液中浸泡240小時后，吸附墊的拉伸強(qiáng)

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