碲鋅鎘（CdZnTe，簡(jiǎn)稱(chēng)CZT）晶體作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體材料，屬于典型的軟脆晶體范疇，其力學(xué)特性介于軟質(zhì)材料與脆性材料之間，這一獨(dú)特屬性為其襯底加工帶來(lái)了諸多挑戰(zhàn)。

軟脆晶體材質(zhì)特征解析

軟脆晶體的加工難度源于其兼具軟質(zhì)與脆性材料的雙重特性，具體表現(xiàn)為：

1. 軟質(zhì)特性：材料硬度偏低，莫氏硬度僅為2.0–2.5，與石膏、滑石硬度相近，在加工過(guò)程中極易發(fā)生劃傷、塑性變形等問(wèn)題，影響表面完整性。

2. 脆性特性：斷裂韌性低，受力時(shí)易產(chǎn)生裂紋、斷裂，類(lèi)似玻璃、單晶硅等脆性材料的特性，進(jìn)一步加劇了加工過(guò)程中的損傷風(fēng)險(xiǎn)。

CZT單晶襯底的加工難點(diǎn)

碲鋅鎘（CZT）單晶襯底同時(shí)具備上述軟脆雙重特性，使得其在切割、研磨、拋光等核心加工環(huán)節(jié)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)：易出現(xiàn)表面裂紋、邊緣崩缺、表面損傷層過(guò)厚等問(wèn)題，而紅外及輻射探測(cè)器等高端應(yīng)用場(chǎng)景，對(duì)CZT襯底的表面平整度、損傷層厚度及化學(xué)計(jì)量比穩(wěn)定性均有著極高要求，傳統(tǒng)加工方案難以兼顧高效去除與低損傷加工的需求。

吉致電子CZT單晶襯底拋光液：精準(zhǔn)破解加工難點(diǎn)

針對(duì)碲鋅鎘（CZT）晶體軟脆易損傷、表面質(zhì)量要求嚴(yán)苛的核心痛點(diǎn)，吉致電子專(zhuān)項(xiàng)研發(fā)了碲鋅鎘（CZT）單晶襯底拋光液，憑借創(chuàng)新技術(shù)與優(yōu)化配方，為CZT襯底加工提供高效、低損傷的解決方案。

吉致電子拋光液配方優(yōu)勢(shì)

吉致電子半導(dǎo)體CMP Slurry采用低損傷納米磨料技術(shù)（如超細(xì)膠體SiO₂），搭配智能平衡型化學(xué)配方，實(shí)現(xiàn)“機(jī)械研磨+化學(xué)作用”的精準(zhǔn)協(xié)同，在保障高效材料去除率的同時(shí)，可獲得原子級(jí)光滑表面與亞納米級(jí)損傷層，從源頭規(guī)避加工損傷問(wèn)題。

1. 通過(guò)專(zhuān)用金屬絡(luò)合劑與表面活性劑的優(yōu)化配比，能夠有效抑制拋光過(guò)程中富Te層的生成及各類(lèi)加工缺陷，確保CZT襯底化學(xué)計(jì)量比穩(wěn)定；

2. 寬工藝窗口設(shè)計(jì)可靈活適配多種拋光設(shè)備參數(shù)，無(wú)需復(fù)雜調(diào)試即可投入生產(chǎn)；

3. 同時(shí)兼顧環(huán)保需求，優(yōu)化配方降低了廢液處理難度與成本，符合綠色生產(chǎn)理念。

采用吉致電子CZT單晶襯底拋光液進(jìn)行加工，可顯著提升后續(xù)HgCdTe外延生長(zhǎng)質(zhì)量與器件良率，為高性能紅外探測(cè)器、輻射探測(cè)器等高端器件的制備奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。同時(shí)，產(chǎn)品具備長(zhǎng)使用壽命與高化學(xué)穩(wěn)定性，能夠有效減少拋光液更換頻次與損耗，降低整體加工綜合成本，是CZT單晶襯底高端制備場(chǎng)景的理想選擇。

吉致電子CMP Slurry/PAD定制化服務(wù)

注：CZT單晶襯底拋光液的具體技術(shù)參數(shù)以吉致電子官方發(fā)布的技術(shù)文檔為準(zhǔn)。針對(duì)不同客戶(hù)的襯底規(guī)格（如晶向、Zn含量等），吉致電子可提供定制化拋光液方案及樣品評(píng)估服務(wù)，精準(zhǔn)匹配客戶(hù)個(gè)性化加工需求。

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