粒徑30-50nm的球形氧化鈰研磨液用于半導體芯片制程：應用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成電路STI(淺溝槽隔離層)CMP Slurry。

  STI目前已成為器件之間隔離的關鍵技術，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技術。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進行二氧化硅沉積、后用CMP技術進行表面平坦化。目前的研究表明采用納米氧化鈰作為CMP磨料，在拋光效率及效果上均優(yōu)于其他產(chǎn)品。

  納米氧化鈰拋光液在硅晶圓CMP平坦化的效果優(yōu)異

  粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP，根據(jù)研究表明，納米氧化鈰分散液對硅晶圓有著較強的氧化性，這樣硅片表面會形成很薄的一層氧化層，有利于提高拋光效率及得到很低的表面粗糙度使產(chǎn)品表面光亮有達到鏡面效果。而且納米氧化鈰拋光液中不用加入雙氧水等腐蝕液及有機堿類材料，這樣拋光液更符合環(huán)保要求。國內(nèi)正在大規(guī)模興建8和12英寸單晶硅片生產(chǎn)線，然而目前各類尺寸晶圓的拋光液材料嚴重依賴進口，吉致電子研發(fā)生產(chǎn)的納米氧化鈰拋光液可以擺脫依賴進口的CMP拋光液，有望成為硅薄膜CMP拋光液平替。

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