SIC碳化硅的化學機械拋光工藝
碳化硅Sic單晶生長之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標準的圓柱體，線切割會把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。
SiC表面的損傷層可以通過四種方法去除：
機械拋光：簡單但會殘留劃痕，適用于初拋；
化學機械拋光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化學腐蝕去除劃痕，適用于精拋；
氫氣刻蝕：設備復雜，常用于HTCVD過程；
等離子輔助拋光：設備復雜，不常用。
拋光機：AP-810型單面拋光機； 拋光壓力200g/c㎡； 大盤轉(zhuǎn)速50r/min； 陶瓷盤轉(zhuǎn)速38r/min； 拋光液組成：以SiO2（30wt%、pH=10.15）為基礎，加入0-70wt%的雙氧水（30wt%、純優(yōu)級），最后用KOH（5wt%）、HNO3（1wt%）調(diào)節(jié)pH=8.5； 拋光液流量3L/min，循環(huán)使用。
拋光墊是表面帶有特殊溝槽的多孔材料，主要作用是存儲和傳輸CMP拋光液、對晶片提供一定的壓力并對其表面進行機械摩擦。
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