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碳化硅襯底需要CMP嗎

文章出處:責任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2024-01-30 17:17【

  碳化硅襯底需要CMP嗎?需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過(guò)程為化學(xué)機械研磨平面步驟---簡(jiǎn)稱(chēng)“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長(cháng)的襯底表面,同時(shí)使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。

  化學(xué)機械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來(lái)實(shí)現的。碳化硅晶圓置于研磨片上,通過(guò)夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應及物理摩擦中,僅從晶圓表面去除幾微米。

碳化硅SIC研磨拋光耗材 CMP Slurry

  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液,以及研磨墊/拋光墊產(chǎn)品,組合搭配在碳化硅晶圓的研磨/精拋過(guò)程中。多年來(lái),碳化硅襯底研磨液的配方一直是廣泛研究的主題,吉致電子拋光液配方的創(chuàng )新和改良仍在繼續。在客戶(hù)的實(shí)際使用中吉致的拋光漿料與拋光墊、墊調節工藝和晶圓模板或載體薄膜相結合,在CMP 耗材上做技術(shù)提升,推動(dòng) SiC 晶圓拋光耗材和工藝創(chuàng )新解決方案。

  碳化硅襯底制造的下一個(gè)主要過(guò)程是使用含有金剛石的研磨液和研磨片對晶圓進(jìn)行機械研磨。典型工藝在雙面、單面或雙面和單面研磨工具的組合上進(jìn)行。吉致電子的工藝解決方案,通過(guò)將合適的研磨片和研磨液與安裝的工具相結合,在材料去除率、晶圓形狀和表面質(zhì)量方面為客戶(hù)提供最大的工藝性能。通過(guò)金剛石機械研磨加工碳化硅晶圓方面的豐富經(jīng)驗可用于最大限度地提高加工效率。關(guān)注吉致電子,了解碳化硅CMP工藝最新解決方案。

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