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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[吉致動態(tài)]吉致電子--半導(dǎo)體CMP無蠟吸附墊[ 2024-11-19 16:36 ]
吉致電子無蠟吸附墊具有獨特的孔隙結(jié)構(gòu)，其吸附性能表現(xiàn)為真空狀態(tài)吸附住被拋光物件，其復(fù)合結(jié)構(gòu)與感壓膠設(shè)計在高的壓縮率及壓縮回彈率，分別適合CMP中高壓研磨制程，提供了優(yōu)異平坦化、不易沾黏、易清潔、下片容易、耐酸堿、高壽命等特性。此外，無蠟吸附墊、芯片吸附墊、硅片吸附墊的孔隙結(jié)構(gòu)還賦予其出色的透氣性和滲透性，確保了拋光過程中熱量的有效散發(fā)，避免工件因過熱而受損。感壓膠的靈活設(shè)計不僅提升了產(chǎn)品的適應(yīng)性，使其能在各種復(fù)雜表面實現(xiàn)穩(wěn)定吸附
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[吉致動態(tài)]碳化硅襯底需要CMP嗎[ 2024-01-30 17:17 ]
  碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學(xué)機(jī)械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時使晶圓表面平坦化達(dá)到理想的粗糙度。  化學(xué)機(jī)械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研
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