吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

國際第三代半導(dǎo)體年度盛會--吉致電子半導(dǎo)體拋光耗材受關(guān)注

  吉致電子受邀出席第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA），斬獲大會頒發(fā)的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢品牌所創(chuàng)立，獲得該獎項是對吉致電子在半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域出色表現(xiàn)的高度認(rèn)可。  后摩爾時代，發(fā)展正當(dāng)時的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來發(fā)展機遇。半導(dǎo)體業(yè)繼往開來進入新的發(fā)展階段，論壇期間氛圍熱烈，學(xué)術(shù)報告、行業(yè)

查看詳情>>

圣誕儀式感拉滿，吉致電子祝您幸福平安！

吉致電子科技“拍了拍你”！嗨，親愛的吉致伙伴們：May you have the best Christmas ever愿你度過最美好的圣誕節(jié)！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣誕快樂。祝大家：平安喜樂，萬事順?biāo)臁?ldquo;誕”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永遠開心快樂，希望快樂不止圣誕！

查看詳情>>

吉致電子應(yīng)邀出席半導(dǎo)體國際論壇并斬獲獎牌

  2023年11月28日第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門開幕。IFWS&SSLCHINA是中國地區(qū)舉辦的、專業(yè)性最強、影響力最大的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域國際性年度盛會，也是規(guī)模最大、規(guī)格最高的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈綜合性論壇。  吉致電子受邀出席大會，斬獲大會頒發(fā)的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢品牌所創(chuàng)立，

查看詳情>>

金屬鉬片的CMP拋光工藝

  工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產(chǎn)品合格率下降，也造成后續(xù)加工難度，這與金屬鉬的特性有關(guān)，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達到鏡面效果。  鉬的特點：鉬是一種難溶金屬，具有很多優(yōu)良的物力化學(xué)和機械性能。由于原子間結(jié)合力極強，所以在常溫和高溫下強度均非常高。它的膨脹系數(shù)低，導(dǎo)電率大，導(dǎo)熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應(yīng)，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對大多數(shù)液態(tài)金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當(dāng)穩(wěn)定。&

查看詳情>>

吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光

氮化鋁陶瓷基板具有高導(dǎo)熱率、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高機械強度、高耐腐蝕性等特點。其作為電路元件及互連線承載體，廣泛應(yīng)用再軍事和空間技術(shù)通訊、計算機、儀器儀表、半導(dǎo)體電子設(shè)備、汽車等各個領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷經(jīng)過CMP拋光后可用于半導(dǎo)體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達鏡面效果，特點如下：1、納米級拋光液，拋光后具有較優(yōu)的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環(huán)使用，根據(jù)工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過CMP

查看詳情>>

吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用

   拋光液是CMP的關(guān)鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成薄且剪切強度很低的化學(xué)反應(yīng)膜，反應(yīng)膜（軟質(zhì)層）在磨粒的機械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續(xù)生成新的反應(yīng)膜，CMP工藝周而復(fù)始的進行磨拋，達到表面平坦效果。  通過研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對SiC晶片進行機械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應(yīng)力層和機械損傷層。為進一步提高碳化硅晶圓表面質(zhì)量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC

查看詳情>>

半導(dǎo)體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液

  拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無損傷的平坦化表面。對于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學(xué)機械平面研磨工藝來進行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導(dǎo)體襯底，需要經(jīng)過單晶生長、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過程。由于磷化銦硬度小、質(zhì)地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯密度并降低表面粗糙度。  吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

查看詳情>>

吉致電子--單晶金剛石研磨液的用途

  吉致電子單晶金剛石研磨液是由單晶金剛石微粉、水/油等液體配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和拋光效率。單晶金剛石硬度大、抗磨損性能好，具有良好的導(dǎo)熱性能和耐高溫性能，能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學(xué)性質(zhì)。  吉致電子生產(chǎn)的單晶金剛石研磨液 / 單晶金剛石拋光液 / 單晶金剛石懸浮液產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、集成電路、光學(xué)儀器，精密陶瓷，硬質(zhì)合金，LED顯示屏等多種領(lǐng)域。溶劑一般分為水基，油基，潤滑基，酒精基。金剛石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

查看詳情>>

生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液

生物基因芯片拋光該選擇什么類型的研磨液/拋光液呢？通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等，但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經(jīng)過吉致電子研發(fā)和實驗，配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級磨料，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過CMP工藝可有效去除基底涂層，對基底無劃傷無殘留，吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國內(nèi)外同類產(chǎn)品相比，具有易清洗、表面粗糙度

查看詳情>>

吉致電子--磨具拋光液 配油盤加工拋光

金屬模具研磨拋光---配油盤由強度較高的模具鋼制成，一般研磨工藝很難達到拋光效果，即使有效拋磨時間也非常漫長。吉致電子使用CMP工藝研磨液和拋光墊結(jié)合，通過不同磨料制備的液體，快速去除工件表面凹凸不平坦，達到平整光滑的效果。硬質(zhì)金屬拋光研磨使用金剛石研磨液，實現(xiàn)平面快速拋光，去毛刺和劃痕。吉致電子金剛石研磨液包括多晶、單晶、納米三種不同類型的拋光液，由優(yōu)質(zhì)的金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，配方多樣化，適用不同的研拋過程和于硬質(zhì)材料的研磨和拋光。本文由無錫吉致電子科技原創(chuàng)，版權(quán)歸無錫吉致電子科技，未經(jīng)允許，不得轉(zhuǎn)

查看詳情>>

吉致電子 Diamond slurry多晶金剛石研磨液

吉致電子多晶金剛石研磨液---由優(yōu)質(zhì)多晶金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)制備而成，廣泛適用于半導(dǎo)體行業(yè)、金屬行業(yè)、光電行業(yè)等工件的研磨加工。金剛石研磨液主要應(yīng)用領(lǐng)域：藍寶石加工----用于藍寶石A向、C向、R向、M向，藍寶石LED襯底、藍寶石蓋板、藍寶石窗口片。半導(dǎo)體加工----單晶/多晶硅、碳化硅SIC、氮化鎵晶圓片加工陶瓷材料加工--氧化鋯指紋識別片，氧化鋯陶瓷手機后殼，氮化鋁陶瓷以及其他功能陶瓷加工。光學(xué)晶體加工--硒化鋅晶體、硫化鋅晶體以及其他晶體材料加工。金屬材料加工--不銹鋼、鋁合金、硬質(zhì)合金、鎢鉬合金以

查看詳情>>

吉致電子---常見的半導(dǎo)體研磨液有哪些

  吉致電子半導(dǎo)體研磨液有哪些？常見的CMP研磨液有氧化鋁研磨液，金剛石研磨液，藍寶石研磨液。分別用于磨削工件、半導(dǎo)體制程、光學(xué)玻璃晶圓等工件加工。  其中金剛石研磨液，它的硬度非常高，性能穩(wěn)定切削力強，被廣泛應(yīng)用于led工業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、光學(xué)玻璃和寶石加工業(yè)、機械加工業(yè)等不同行業(yè)中。研磨液是半導(dǎo)體加工生產(chǎn)過程中的一項非常重要工藝，它主要是通過CMP研磨液混配磨料的方式對半導(dǎo)體表面進行精密加工，達到平坦度。研磨液是影響半導(dǎo)體表面工作質(zhì)量的重要經(jīng)濟因素。吉致電子用經(jīng)驗和技術(shù)服務(wù)每一位客戶，有CMP

查看詳情>>

第三代半導(dǎo)體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液

  隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，以化合物半導(dǎo)體材料，特別是第三代半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體新材料快速崛起。  碳化硅是新型電力系統(tǒng)，特高壓電網(wǎng)必需的可達萬伏千安等級的唯一功率半導(dǎo)體材料，同時也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國際技術(shù)發(fā)展水平來看，碳化硅方面，8英寸襯底開始產(chǎn)業(yè)化，車規(guī)級功率器件是當(dāng)前開發(fā)重點，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品，碳化硅器件正向耐受更高電壓

查看詳情>>

吉致電子手機取卡針拋光液

  吉致電子手機液態(tài)金屬拋光液，手機取卡針拋光液，研磨拋光漿料為粗拋、中拋、精拋漿料懸浮性好，特點是不易沉淀、不結(jié)晶、不腐蝕機臺，易于清洗。  適用于3C電子產(chǎn)品，手機電子元器件、液態(tài)金屬、喇叭網(wǎng)聽筒/手機音量鍵、碳素鋼拋光液可以迅速去除CNC刀紋、底紋等，拋光后無劃傷、橘皮、坑點、針眼等缺陷不含重金屬以及有害物質(zhì)、環(huán)保無危害，可接觸皮膚。  產(chǎn)品運用拋光液中的CMP化學(xué)機械作用，提高拋光速率改善拋光表面的質(zhì)量顆粒粒徑分布適中，最大程度提升拋光速率的同時降低微劃傷的概率顆粒分散性好，有

查看詳情>>

CMP拋光液---納米氧化鈰拋光液的優(yōu)點

  通?；瘜W(xué)機械研磨拋光工藝使用的CMP拋光液有金剛石拋光液、氧化硅拋光液、氧化鋁拋光液及氧化鈰拋光液（又稱稀土拋光液）。  納米氧化鈰為水性液體是吉致電子采用先進的分散工藝，將納米氧化鈰粉體分散在水相介質(zhì)中，形成高度分散化、均勻化和穩(wěn)定化的納米氧化鈰水性懸浮液。1.在拋光材料應(yīng)用中，納米CeO2拋光液相對硅溶膠，具有拋光劃傷少、拋光速度快、易清洗良品率高等優(yōu)勢，且PH中性，使用壽命長、對拋光表面污染小，不易風(fēng)干。2.在拋光軍用紅外激光硅片、異型硅、超薄硅片方面上，尤其是拋光超薄硅片，納米氧化鈰

查看詳情>>

吉致電子常見的CMP研磨液

  CMP 化學(xué)機械拋光液slurry的主要成分包括：磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品適用場景也有所不同，分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含：金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含：各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。  根據(jù)拋光對象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中，銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲芯片制造過程，在10nm 及以下技術(shù)節(jié)點中，鈷將部分代替銅作為導(dǎo)線；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。吉致電子常見的CMP研

查看詳情>>

2023吉致電子春節(jié)放假通知

尊敬的客戶:新春伊始，萬象更新，值此春節(jié)到來之際，無錫吉致電子科技有限公司全體員工感謝您長期以來對我司的支持與厚愛!向您致以最誠摯的祝福和問候!一路走來，有您相伴，因為您的支持，我們信心百倍！因為您的合作，我們碩果累累！因為您的指導(dǎo)，我們不斷進步！因為您的呵護，我們心存感激！吉致電子科技有限公司期待與您攜手共進，共同創(chuàng)造一個共贏輝煌的2023年，在新的一年里，我司會持續(xù)為您提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)!公司春節(jié)放假時間具體安排如下:放假時間: 2023年1月14日--1月28日  開工時間：2023年1月29日因放假

查看詳情>>

硅溶膠研磨液--精密工件鏡面拋光效果秘密

  吉致電子硅溶膠研磨液/拋光液采用的是納米級工藝，主要粒徑在10-150nm。適用于各種材質(zhì)工件的CMP表面鏡面處理。以硅溶膠漿料為鏡面的平面研磨的材料有半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、3C電子金屬元件、藍寶石襯底、LED顯示屏等高精密元件。  硅溶膠拋光液也稱二氧化硅拋光液、氧化硅精拋液，SiO2是硅溶膠的化學(xué)名，適用范圍已擴展到半導(dǎo)體產(chǎn)品的CMP拋光工藝中。  CMP拋光機可以將氧化硅研磨液循環(huán)引入磨盤，同時起到潤滑和冷卻的作用，通過拋光液和拋光墊組合拋磨可以使工件表面粗糙度達到0.2um

查看詳情>>

吉致電子Slurry拋光漿料--阻擋層拋光液

  目前，超大規(guī)模集成電路芯片的集成度已經(jīng)達到了數(shù)十億個元件，特征尺寸已經(jīng)達到了納米級，這就需要微電子技術(shù)中的數(shù)百道工序，尤其是多層布線、襯底、介質(zhì)等必須通過CMP化學(xué)機械技術(shù)，拋光液和拋光墊磨拋達到平坦化。VLSI布線正從傳統(tǒng)的鋁布線工藝向銅布線工藝轉(zhuǎn)變。  銅材質(zhì)具有快速遷移的特性，容易通過介質(zhì)層擴散，導(dǎo)致相鄰銅線之間漏電，進而導(dǎo)致器件特性失效。一般在沉積銅之前，在介質(zhì)襯底上沉積擴散阻擋層，工業(yè)上已經(jīng)廣泛使用的阻擋層材料是tan/ta。  化學(xué)拋光(CMP)技術(shù)slurry拋光漿料

查看詳情>>

吉致電子--不銹鋼工件的研磨拋光工序

不銹鋼拋光液CMP拋光液，主要應(yīng)用于不銹鋼工件表面研磨拋光工藝，不銹鋼拋光液一般有去粗、粗拋、中拋、精拋鏡面四道流程。去粗工藝:不銹鋼拋光液用較粗磨料配方液先去除表面刀痕、毛刺，切割線等痕跡，研磨去除部分余料；的粗拋工藝:研磨移除劃痕和刀痕，提高表面平整度；中拋工藝:進階拋光劃痕、麻點，拋光霧面，不銹鋼中拋液提高不銹鋼工件表面亮度。精拋鏡面拋光：用不銹鋼精拋液精細化拋磨，保持工件表面的亮度升級亮度反光度，不銹鋼表面達到反光鏡面。吉致電子CMP手機鈦合金件研磨拋光液/鋁合金件研磨拋光液/鎂合金件研磨拋光液/不銹鋼研磨

查看詳情>>