吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

半導(dǎo)體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別

  常用的半導(dǎo)體拋光液，按拋光對(duì)象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應(yīng)用于 130nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)邏輯芯片的制造工藝，而鎢拋光液W slurry則大量應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片制造工藝，在邏輯芯片中用量較少。  銅拋光液，主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來(lái)腐蝕溶解銅表面，成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜，鈍化膜的形成可以保護(hù)腐蝕劑的進(jìn)一步腐蝕，并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外，CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學(xué)試劑以調(diào)節(jié)PH值，為拋光過(guò)程

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打磨碳化硅需要哪種拋光墊？

  打磨碳化硅需要哪種拋光墊？  打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序：粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據(jù)CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊：粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊  吉致電子CMP拋光墊滿(mǎn)足低、中及高硬度材料拋光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性?xún)r(jià)比等優(yōu)勢(shì)。結(jié)合硬質(zhì)和軟質(zhì)研磨拋光墊的優(yōu)點(diǎn)，可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無(wú)紡布復(fù)合拋光墊，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圓制程的穩(wěn)定性與尺寸精密度。  壓紋和開(kāi)槽工藝，讓PAD可保持拋光

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二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同

  二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子高純度CMP拋光產(chǎn)品。 硅溶膠拋光液是以液體形式存在，直徑為10-150nm的二氧化硅粒子（分散相）在水或有機(jī)液體（分散介質(zhì)）里的分散體系，粒子的形貌多為球形，適用于各類(lèi)工件的鏡面拋光，如金屬、藍(lán)寶石襯底、半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃、精密電子元器件等的鏡面拋光。 本質(zhì)上講二氧化硅拋光液、硅溶膠拋光液都是一種東西，主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨拋光工藝中，機(jī)器通過(guò)壓力泵把氧化硅拋光液輸送到拋光槽內(nèi)進(jìn)行循環(huán)使用，

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碳化硅Sic襯底加工流程有哪些

碳化硅襯底是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法生長(zhǎng)碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片，簡(jiǎn)單流程可概括為原料合成→晶體生長(zhǎng)→。1、原料合成將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高溫下反應(yīng)合成碳化硅顆粒。再經(jīng)過(guò)破碎、清洗等工序，制得滿(mǎn)足晶體生長(zhǎng)要求的高純度碳化硅微粉原料。2、晶體生長(zhǎng)以高純度碳化硅微粉為原料，使用自主研制的晶體生長(zhǎng)爐，采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 生長(zhǎng)碳化硅晶體將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長(zhǎng)爐內(nèi)圓柱狀密閉的石墨甘場(chǎng)下部和頂部，通過(guò)電磁感應(yīng)將

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半導(dǎo)體拋光---硅片拋光墊怎么選

  硅片拋光涉及到半導(dǎo)體工件的技術(shù)加工領(lǐng)域，硅片拋光墊的多孔結(jié)構(gòu)和軟性磨料材料，可以適應(yīng)不同硅片材料的表面結(jié)構(gòu)，達(dá)到不同表面加工的需求。在微電子、半導(dǎo)體、光電等領(lǐng)域中，CMP拋光墊的使用越來(lái)越廣泛，尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中，CMP拋光墊的質(zhì)量和性能至關(guān)重要。   硅片拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的

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吉致電子---常見(jiàn)的半導(dǎo)體研磨液有哪些

  吉致電子半導(dǎo)體研磨液有哪些？常見(jiàn)的CMP研磨液有氧化鋁研磨液，金剛石研磨液，藍(lán)寶石研磨液。分別用于磨削工件、半導(dǎo)體制程、光學(xué)玻璃晶圓等工件加工。  其中金剛石研磨液，它的硬度非常高，性能穩(wěn)定切削力強(qiáng)，被廣泛應(yīng)用于led工業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、光學(xué)玻璃和寶石加工業(yè)、機(jī)械加工業(yè)等不同行業(yè)中。研磨液是半導(dǎo)體加工生產(chǎn)過(guò)程中的一項(xiàng)非常重要工藝，它主要是通過(guò)CMP研磨液混配磨料的方式對(duì)半導(dǎo)體表面進(jìn)行精密加工，達(dá)到平坦度。研磨液是影響半導(dǎo)體表面工作質(zhì)量的重要經(jīng)濟(jì)因素。吉致電子用經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)服務(wù)每一位客戶(hù)，有CMP

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藍(lán)寶石拋光用什么拋光液

  在生產(chǎn)藍(lán)寶石襯底的時(shí)候產(chǎn)生裂痕和崩邊現(xiàn)象的比例比較高，占總是的5%-8%。我國(guó)藍(lán)寶石批量生產(chǎn)的技術(shù)還很不成熟，切割完的藍(lán)寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后易形成很深的麻坑或劃傷。因此需要通過(guò)CMP研磨拋光技術(shù)來(lái)達(dá)到工件平坦度，拋光過(guò)程中影響拋光質(zhì)量的因素有很多，如拋光液的組分和PH值、壓力、溫度、流量、轉(zhuǎn)速和拋光墊的質(zhì)量等。  藍(lán)寶石晶圓的拋光需要對(duì)拋光液材質(zhì)有很高的要求，磨料太軟會(huì)導(dǎo)致拋光時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而拋光效果不理想。目前拋藍(lán)寶石合適的是鉆石拋光液，鉆石拋光液磨料是采用金剛石，有很高的硬度，搭配

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半導(dǎo)體先進(jìn)制程PAD拋光墊國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)行中

  國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起加速推動(dòng)了半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。在政策、資金以及市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，帶動(dòng)上游材料需求增長(zhǎng)。先進(jìn)制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)行中。  CMP拋光墊（CMP PAD）一般分為聚氨酯拋光墊、無(wú)紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等，高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導(dǎo)體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類(lèi)晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤(pán)基板等產(chǎn)業(yè)，目前主要型號(hào)有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用

  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機(jī)和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級(jí)全局平坦化。簡(jiǎn)單來(lái)講，半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測(cè)試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注

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鎢鋼用什么研磨液和拋光液

  硬質(zhì)合金也就是鎢鋼，在現(xiàn)代工業(yè)中的應(yīng)用非常廣泛，如鋼鐵、交通、建筑等領(lǐng)域?qū)τ操|(zhì)合金的需求愈發(fā)旺盛，隨著對(duì)深加工產(chǎn)品需求的高漲，硬質(zhì)合金將向精深加工、工具配套方向發(fā)展;向超細(xì)、超粗及涂層復(fù)合結(jié)構(gòu)等方向發(fā)展;向循環(huán)經(jīng)濟(jì)、節(jié)能環(huán)保方向發(fā)展;向精密化、小型化方向發(fā)展。那么鎢鋼研磨用什么拋光液？  鎢鋼用于高精度機(jī)械加工、高精度刀具材料、車(chē)床、沖擊鉆鉆頭、玻璃刀刀頭、瓷磚割刀之上。這類(lèi)硬質(zhì)工件需要經(jīng)過(guò)研磨拋光工藝來(lái)達(dá)到使用標(biāo)準(zhǔn)。鎢鋼特點(diǎn)是耐磨、硬度高、韌性強(qiáng)，耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，尤其它的高硬度和耐

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TSV拋光液---半導(dǎo)體3D封裝技術(shù)Slurry

  TSV全稱(chēng)為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。  TSV工藝的優(yōu)勢(shì)：可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，減小信號(hào)延遲，降低電容電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子JEEZ用于3D封裝

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CMP常用化學(xué)拋光液有哪些

   CMP技術(shù)（化學(xué)機(jī)械研磨）是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中非常重要的一項(xiàng)技術(shù)，在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用最多，通過(guò)CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質(zhì)，達(dá)到工件表面平坦化，保證晶體管等器件的性能穩(wěn)定性。   拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分，它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物，以達(dá)到平坦化的效果。CMP常用化學(xué)拋光液有哪些？常見(jiàn)的CMP化學(xué)拋光液有氧化鋁（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氧化鈰（CeO2）氮化硅（Si3N4）等。不同的

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如何解決氧化硅拋光液結(jié)晶問(wèn)題

 二氧化硅拋光液在拋光過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊的現(xiàn)象，雖然不是大問(wèn)題但如果處理不當(dāng)，很可能會(huì)導(dǎo)致工件表面劃傷甚至報(bào)廢，那么怎么解決氧化硅拋光液結(jié)晶問(wèn)題呢？  首先要了解硅溶膠拋光液的特點(diǎn)屬性。二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)水解法離子、交換法制備成的一種高純度低金屬離子型產(chǎn)品。在水性環(huán)境中容易形成一種離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而一脫離了水份，表面積迅速凝結(jié)形成結(jié)晶塊，所以只要保持水分基本上是不會(huì)出現(xiàn)結(jié)晶現(xiàn)象。在實(shí)際CMP拋光工藝當(dāng)中硅溶膠拋光液會(huì)一直在研磨盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)、流動(dòng)，結(jié)晶情況較少。  因此氧化

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藍(lán)寶石窗口平面加工--藍(lán)寶石研磨液

 藍(lán)寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍(lán)寶石視窗、高精度質(zhì)量藍(lán)寶石視窗是為各種光學(xué)、機(jī)械和電子應(yīng)用提供了強(qiáng)度、耐磨性、化學(xué)惰性適用于光學(xué)和激光應(yīng)用，這些藍(lán)寶石窗口設(shè)計(jì)用于關(guān)鍵的光學(xué)和激光應(yīng)用。藍(lán)寶石窗口的制程中關(guān)鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝，藍(lán)寶石研磨液適合用于大批量藍(lán)寶石窗口的生產(chǎn)應(yīng)用。  藍(lán)寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成，具有懸浮性好，不易結(jié)晶，易清洗等特點(diǎn)。用于藍(lán)寶石工件的鏡面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，無(wú)劃傷，表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍(lán)寶石窗口CMP拋光研磨液，性能穩(wěn)

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藍(lán)寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實(shí)現(xiàn)高平坦度表面

  吉致電子藍(lán)寶石研磨液sapphire slurry又稱(chēng)為藍(lán)寶石拋光液。專(zhuān)業(yè)用于藍(lán)寶石襯底、外延片、窗口、藍(lán)寶石wafer的減薄和拋光。藍(lán)寶石拋光液由純度高的磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結(jié)晶、拋光速度快的優(yōu)點(diǎn)。   通過(guò)CMP工藝搭配藍(lán)寶石專(zhuān)用slurry可實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會(huì)對(duì)加工件造成物理?yè)p傷,達(dá)到精密加工。藍(lán)寶石CMP拋光液的低金屬的成分，可以有效防止產(chǎn)品受到污染。  &n

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什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些？

  Oxide slurry 簡(jiǎn)稱(chēng)OX氧化物研磨液廣泛用于氧化層材料的CMP拋光，拋光研磨后達(dá)到精準(zhǔn)的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圓表面的氧化硅層或者上層金屬與氧化硅之間的氧化硅層等。  吉致電子OX氧化層拋光液適用于4-12英寸氧化硅鍍膜片的氧化層拋光液。JEEZ半導(dǎo)體拋光液性能優(yōu)點(diǎn)：①使用純度高的納米拋光磨料，擁有高速率加工能力;②slurry粒徑大小均勻因此能獲得無(wú)缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗無(wú)殘留，對(duì)后續(xù)工藝影響小。 

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第三代半導(dǎo)體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液

  隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時(shí)硅也滿(mǎn)足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，以化合物半導(dǎo)體材料，特別是第三代半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體新材料快速崛起。  碳化硅是新型電力系統(tǒng)，特高壓電網(wǎng)必需的可達(dá)萬(wàn)伏千安等級(jí)的唯一功率半導(dǎo)體材料，同時(shí)也是高鐵和新能源汽車(chē)牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國(guó)際技術(shù)發(fā)展水平來(lái)看，碳化硅方面，8英寸襯底開(kāi)始產(chǎn)業(yè)化，車(chē)規(guī)級(jí)功率器件是當(dāng)前開(kāi)發(fā)重點(diǎn)，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品，碳化硅器件正向耐受更高電壓

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吉致電子手機(jī)取卡針拋光液

  吉致電子手機(jī)液態(tài)金屬拋光液，手機(jī)取卡針拋光液，研磨拋光漿料為粗拋、中拋、精拋漿料懸浮性好，特點(diǎn)是不易沉淀、不結(jié)晶、不腐蝕機(jī)臺(tái)，易于清洗。  適用于3C電子產(chǎn)品，手機(jī)電子元器件、液態(tài)金屬、喇叭網(wǎng)聽(tīng)筒/手機(jī)音量鍵、碳素鋼拋光液可以迅速去除CNC刀紋、底紋等，拋光后無(wú)劃傷、橘皮、坑點(diǎn)、針眼等缺陷不含重金屬以及有害物質(zhì)、環(huán)保無(wú)危害，可接觸皮膚。  產(chǎn)品運(yùn)用拋光液中的CMP化學(xué)機(jī)械作用，提高拋光速率改善拋光表面的質(zhì)量顆粒粒徑分布適中，最大程度提升拋光速率的同時(shí)降低微劃傷的概率顆粒分散性好，有

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半導(dǎo)體行業(yè)CMP化學(xué)機(jī)械平坦化工藝Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化學(xué)機(jī)械平坦化工藝，應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化加工。  CMP工藝融合了化學(xué)研磨和物理研磨的過(guò)程，而單一的化學(xué)或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時(shí)滿(mǎn)足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)拋光液/研磨液（slurry）與拋光墊（Pad）化學(xué)機(jī)械作用，在保證材料去除效率的同時(shí)，得到準(zhǔn)確的表面材料層的厚度，獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)甚至原子級(jí)的表面粗糙度，同

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CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點(diǎn)及應(yīng)用

吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點(diǎn)：（1）磨料類(lèi)型多樣化，包含單晶、多晶、類(lèi)多晶及納米級(jí)金剛石等；（2）金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金剛石研磨液粘度可調(diào)整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應(yīng)用領(lǐng)域：1、拋光液CMP半導(dǎo)體晶片加工：藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵等半導(dǎo)體晶片;2、拋光液陶瓷加工：氧化鋯指紋識(shí)別片、氧化鋯陶瓷手機(jī)后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工：不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進(jìn)口slurry，CMP拋光液粒度規(guī)

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