吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

比鉆石更硬核！揭秘吉致電子單晶金剛石研磨液密碼

在半導(dǎo)體、光學(xué)元件、精密模具等高端制造領(lǐng)域，材料的超精密加工對(duì)表面質(zhì)量的要求近乎苛刻。傳統(tǒng)的研磨拋光技術(shù)難以滿足納米級(jí)精度需求，而單晶金剛石研磨液憑借其超高的硬度、穩(wěn)定的切削性能和優(yōu)異的表面處理能力，成為超精密加工的核心耗材。吉致電子作為精密研磨材料的領(lǐng)先供應(yīng)商，提供高純度、高一致性的單晶金剛石研磨液，助力客戶突破加工極限。1. 單晶金剛石研磨液的核心組成單晶金剛石研磨液是一種由高純度單晶金剛石微粉、分散劑、穩(wěn)定劑和液體載體（去離子水或油基）組成的精密拋光材料。其核心優(yōu)勢在于：單晶金剛石微粉：莫氏硬度10，是目前自

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行業(yè)聚焦：硅片CMP研磨拋光液，如何重塑芯片制造格局

在半導(dǎo)體制造的前沿領(lǐng)域，Si硅片CMP研磨拋光液占據(jù)著舉足輕重的地位，是實(shí)現(xiàn)芯片制造精度與性能突破的關(guān)鍵要素。拋光液（CMP Slurry）、拋光墊（CMP Pad）作為硅片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的核心耗材，為構(gòu)建微觀世界的精密電路網(wǎng)絡(luò)奠定了基石。一、核心構(gòu)成，協(xié)同增效硅片 CMP 研磨拋光液是一個(gè)精心調(diào)配的多元體系，每一組分都各司其職，協(xié)同作用，共同塑造卓越的拋光效果。精密磨料，微米級(jí)雕琢：體系中搭載了納米級(jí)的二氧化硅、氧化鋁或氧化鈰等磨料顆粒。

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半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry：精密制造的核心材料

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關(guān)鍵材料，廣泛應(yīng)用于化學(xué)機(jī)械拋光CMP工藝中。它通過獨(dú)特的機(jī)械研磨與化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的方式，幫助實(shí)現(xiàn)晶圓表面的納米級(jí)平坦化，為高性能半導(dǎo)體器件的制造提供了重要保障。什么是半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry？ 半導(dǎo)體Slurry是一種由研磨顆粒、化學(xué)添加劑和液體介質(zhì)組成的精密材料。在CMP工藝中

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CMP化學(xué)機(jī)械工藝中金剛石研磨液的關(guān)鍵特性剖析

在現(xiàn)代先進(jìn)制造領(lǐng)域，CMP 化工學(xué)機(jī)械工藝作為實(shí)現(xiàn)材料表面高精度加工的核心技術(shù)，發(fā)揮著舉足輕重的作用。該工藝融合了化學(xué)作用與機(jī)械磨削，能夠在原子尺度上對(duì)材料表面進(jìn)行精確修整，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)元件、精密模具等眾多高端產(chǎn)業(yè)。而在 CMP 工藝的復(fù)雜體系中，金剛石拋光液堪稱其中的關(guān)鍵要素，其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎最終的拋光質(zhì)量與加工效率。用于 CMP 化工學(xué)機(jī)械工藝的金剛石拋光液，其粒徑大小通常在 10 - 150nm 之間。該拋光液具有以下特點(diǎn)：高硬度與強(qiáng)切削力，金剛石是自然界硬度最高的物質(zhì)，具有出色的切削能力。在 C

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CMP拋光液：從第一代到第三代半導(dǎo)體材料的精密拋光利器

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導(dǎo)體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導(dǎo)熱率、抗輻射能力強(qiáng)、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能

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精密制造新標(biāo)桿：吉致電子藍(lán)寶石研磨液技術(shù)解析

藍(lán)寶石研磨液Sapphire Slurry，也稱為藍(lán)寶石拋光液，是專為藍(lán)寶石材料精密加工而設(shè)計(jì)的高性能拋光液。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底、外延片、光學(xué)窗口、藍(lán)寶石晶圓（Wafer）的減薄和拋光工藝，能夠滿足高平坦度、高表面質(zhì)量的加工需求。吉致電子藍(lán)寶石拋光液由高純度磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)精心配制而成，具有以下顯著優(yōu)勢：1.高穩(wěn)定性：懸浮體系穩(wěn)定，不易沉降或結(jié)晶，確保拋光過程的一致性；2.高效拋光：拋光速度快，顯著提升加工效率；3.精密加工：采用納米SiO2粒子作為磨料，可在高效研磨的同時(shí)避免對(duì)工件表面造成物理損傷

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吉致電子：Oxide拋光液的核心作用與應(yīng)用解析

氧化層拋光液（OX slurry）是一種專為半導(dǎo)體制造、金屬加工及精密光學(xué)元件等領(lǐng)域設(shè)計(jì)的高性能化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）材料。其核心作用是通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同效應(yīng)，精準(zhǔn)去除材料表面的氧化層、瑕疵及微觀不平整，從而實(shí)現(xiàn)高平整度、低缺陷率的拋光效果。該技術(shù)貫穿芯片 “從砂到芯” 的全流程，是集成電路制造中晶圓平坦化工藝的關(guān)鍵材料。吉致電子氧化層拋光液的功能與優(yōu)勢如下：一、吉致電子CMP氧化層拋光液的核心功能1.精準(zhǔn)表面處理通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨協(xié)同作用，定向去除材料表面氧化層、瑕疵及微觀不

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吉致電子解析：磷化銦襯底怎么拋光研磨

磷化銦（InP）作為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的典型代表，憑借其高電子遷移率、寬禁帶寬度和良好的光電性能，在光通信器件、激光器和探測器等領(lǐng)域占據(jù)關(guān)鍵地位。其精密加工要求嚴(yán)苛，尤其是表面粗糙度需達(dá)到納米級(jí)（Ra < 0.1nm），傳統(tǒng)機(jī)械研磨易導(dǎo)致晶格損傷，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)則成為實(shí)現(xiàn)原子級(jí)平整表面的核心工藝。吉致電子將系統(tǒng)介紹InP磷化銦襯底CMP拋光從粗磨到精拋的流程及控制要點(diǎn)。一、Inp磷化銦拋光準(zhǔn)備工作材料：準(zhǔn)備好磷化銦工件，確保其表面無明顯損傷、雜質(zhì)。同時(shí)準(zhǔn)備吉致電子CMP研磨墊，如聚氨酯拋光墊，其

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氧化鈰拋光液在CMP應(yīng)用中的3個(gè)特性

在精密制造領(lǐng)域，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝的重要性不言而喻，而高品質(zhì)拋光液是其關(guān)鍵。納米氧化鈰（CeO2）因其特性，氧化鈰拋光液在半導(dǎo)體領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、晶圓硅片藍(lán)寶石襯底材料中的多元應(yīng)用，賦能多領(lǐng)域發(fā)展助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)。吉致電子作為CMP工藝耗材廠家，研發(fā)生產(chǎn)的氧化鈰拋光液選用氧化鈰微粉與高純納米氧化鈰作磨料，粒徑可按客戶需求定制。氧化鈰純度高，切削力強(qiáng)，能高效去除材料表面瑕疵。乳液分散均勻，長期儲(chǔ)存不易沉淀，確保拋光性能穩(wěn)定，為精密作業(yè)筑牢根基。氧化鈰拋光液在CMP工藝中的優(yōu)良性能主要體現(xiàn)在三個(gè)方面：①高硬度與

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吉致電子科普時(shí)間：半導(dǎo)體制造中晶圓和襯底的不同應(yīng)用場景

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，襯底和晶圓因自身特性不同，有著截然不同的應(yīng)用場景。襯底作為半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)支撐材料，主要應(yīng)用于早期工藝環(huán)節(jié)。在集成電路制造中，它是后續(xù)外延生長、薄膜沉積等工藝的起始平臺(tái)。比如在生產(chǎn)硅基半導(dǎo)體時(shí)，硅襯底為生長高質(zhì)量的外延層提供穩(wěn)定基底，保證外延層的晶體結(jié)構(gòu)與襯底晶格匹配，從而為晶體管、二極管等器件的構(gòu)建奠定基礎(chǔ)。在光電器件制造方面，如發(fā)光二極管（LED），藍(lán)寶石襯底常被使用，它為 LED 芯片的生長提供了合適的晶格結(jié)構(gòu)，有助于實(shí)現(xiàn)高效的光電轉(zhuǎn)換。此外，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅襯底因其優(yōu)良的熱導(dǎo)率和電

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半導(dǎo)體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料

半導(dǎo)體銅化學(xué)機(jī)械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導(dǎo)體制造過程中銅互連層化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用，確保銅層平整化并實(shí)現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu)，CU CMP Slurry通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的結(jié)合，實(shí)現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

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硬盤玻璃的表面拋光主要用什么工藝？

    硬盤玻璃（也稱為硬盤盤片基板或玻璃基板）是一種用于制造硬盤驅(qū)動(dòng)器（HDD）盤片的特殊玻璃材料。它是硬盤盤片的基礎(chǔ)材料，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。硬盤玻璃通常采用特殊的鋁硅酸鹽玻璃或化學(xué)強(qiáng)化玻璃，具有硬度高、輕量化、低熱膨脹系數(shù)、高表面光潔度的特點(diǎn)。硬盤玻璃的表面拋光是其制造過程中非常關(guān)鍵的一環(huán)，因?yàn)橛脖P盤片需要極高的表面平整度和光潔度，以確保數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀寫的精確性。硬盤玻璃的表面拋光主要采用CMP化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Polishing）。 &nb

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突破技術(shù)壁壘：國產(chǎn)拋光墊替代Suba800的崛起之路

國產(chǎn)替代Suba800拋光墊（CMP Pad）的產(chǎn)品在近年來取得了顯著的技術(shù)進(jìn)步，逐漸在半導(dǎo)體集成電路市場上占據(jù)一席之地。以下是Suba拋光墊國產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢和特點(diǎn)：一、Suba拋光墊國產(chǎn)替代產(chǎn)品的優(yōu)勢1.成本優(yōu)勢?國產(chǎn)CMP拋光墊的價(jià)格通常比進(jìn)口產(chǎn)品低，能夠顯著降低生產(chǎn)成本，尤其適合對(duì)成本敏感的企業(yè)。?減少了進(jìn)口關(guān)稅和物流費(fèi)用，進(jìn)一步降低了采購成本。2.供應(yīng)鏈穩(wěn)定?國產(chǎn)化生產(chǎn)避免了國際供應(yīng)鏈的不確定性（如貿(mào)易摩擦、物流延遲等），供貨周期更短，響應(yīng)速度更快。?國內(nèi)廠商通常能提供更靈活的CMP拋光耗材訂單服務(wù)，支持

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CMP拋光液:精密光學(xué)鏡頭制造的幕后英雄

CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）技術(shù)在光學(xué)制造領(lǐng)域確實(shí)扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在高精度光學(xué)元件的加工中。CMP拋光液通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)光學(xué)玻璃表面的超平滑處理，滿足現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)對(duì)表面粗糙度和形狀精度的嚴(yán)苛要求。 吉致電子光學(xué)玻璃CMP Slurry的應(yīng)用領(lǐng)域：①精密光學(xué)鏡頭：在手機(jī)攝像頭、顯微鏡、望遠(yuǎn)鏡等光學(xué)系統(tǒng)中，通過CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學(xué)鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質(zhì)量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質(zhì)量。②航空航天光學(xué)窗口：航空航天光學(xué)窗口面臨復(fù)雜空間環(huán)

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鈮酸鋰/鉭酸鋰晶體拋光液成分及特點(diǎn)

鈮酸鋰（LiNbO?）和鉭酸鋰（LiTaO?）襯底的CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光液是一種專門設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)高效材料去除和表面平整化的化學(xué)機(jī)械混合物。其組成和特性如下：1. 主要成分磨料：常用磨料包括二氧化硅（SiO?）或氧化鋁（Al?O?）納米顆粒。磨料粒徑通常在20-200 nm之間，以實(shí)現(xiàn)高效的材料去除和表面光滑。氧化劑：用于氧化襯底表面，使其更容易被磨料去除。常見的氧化劑包括過氧化氫（H?O?）、硝酸（HNO?）或高錳酸鉀（KMnO?）。pH調(diào)節(jié)劑：拋光液的pH值通常控制在9-11之間，以優(yōu)化化學(xué)反應(yīng)和

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磷化銦襯底拋光液與CMP工藝的關(guān)聯(lián)

磷化銦襯底拋光液與化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝（CMP）的關(guān)聯(lián)磷化銦（InP）作為第二代半導(dǎo)體材料的代表，因其優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能，在高速電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而InP襯底表面的高質(zhì)量加工是實(shí)現(xiàn)高性能器件的關(guān)鍵，其中化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝（CMP）扮演著至關(guān)重要的角色。一、 磷化銦襯底為什么使用CMP技術(shù)CMP是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨的表面平坦化技術(shù)，通過拋光液slurry中的磨料成分與襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一層易于去除的軟化層，再借助拋光墊Pad的機(jī)械作用將其去除，從而實(shí)

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無蠟吸附墊：精密制造的卓越之選

無蠟吸附墊的設(shè)計(jì)充分考慮了不同行業(yè)、不同工藝的實(shí)際需求，具有高度的通用性和靈活性。提高吸附穩(wěn)定性，還能起到良好的排屑作用，防止加工過程中產(chǎn)生的碎屑堆積在吸附墊表面，影響加工精度和吸附效果。 以下是吉致電子無蠟吸附墊的介紹：組合式無蠟拋光吸附墊 結(jié)構(gòu)：包括基布、吸附結(jié)構(gòu)和粘貼結(jié)構(gòu)。吸附結(jié)構(gòu)由聚氨酯吸附層和環(huán)形氣腔組成，聚氨酯吸附層粘貼在基布上，環(huán)形氣腔設(shè)置在聚氨酯吸附層上，起到吸附固定且揭開時(shí)減少吸附力的作用；粘貼結(jié)構(gòu)包括無殘留雙面膠和離型紙，無殘留雙面膠粘貼在基布上，離型紙粘貼在無殘留雙面膠上 。 優(yōu)點(diǎn)：

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影響碳化硅襯底質(zhì)量的重要工藝參數(shù)有哪些

碳化硅襯底提高加工速率和良品率的主要因素除了用對(duì)拋光液和拋光墊，在CMP拋光研磨過程的工藝參數(shù)也很重要：拋光壓力：適當(dāng)增加壓力可以提高拋光效率，但過高的壓力可能導(dǎo)致襯底表面產(chǎn)生劃痕、損傷甚至破裂。一般根據(jù)襯底的厚度、硬度以及拋光設(shè)備的性能，壓力范圍在幾十千帕到幾百千帕之間。拋光轉(zhuǎn)速：包括襯底承載臺(tái)的轉(zhuǎn)速和拋光墊的轉(zhuǎn)速。轉(zhuǎn)速影響拋光液在襯底和拋光墊之間的流動(dòng)狀態(tài)以及磨料的磨削作用。較高的轉(zhuǎn)速可以加快拋光速度，但也可能使拋光液分布不均勻，導(dǎo)致表面質(zhì)量下降。轉(zhuǎn)速通常在每分鐘幾十轉(zhuǎn)到幾百轉(zhuǎn)之間調(diào)整。拋光時(shí)間：由襯底需要去除

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吉致電子給您拜年啦！

親愛的吉致電子合作伙伴：您好！2025年的春節(jié)鐘聲已經(jīng)敲響，在這辭舊迎新、闔家團(tuán)圓的美好時(shí)刻，吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠摯、最美好的新春祝福！過去一年，我們一同見證了行業(yè)的風(fēng)云變幻，也共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)。但無論市場環(huán)境如何復(fù)雜，您始終堅(jiān)定地站在我們身邊，與我們并肩前行。這種不離不棄的信任，是我們最為珍視的財(cái)富，也是我們持續(xù)創(chuàng)新、提升自我的強(qiáng)大動(dòng)力源泉。值此新春佳節(jié)，愿您和您的家人盡享健康之福，身體硬朗，活力滿滿。家庭生活幸福美滿，親情在歡聲笑語中愈發(fā)深厚，每天都被溫暖與愛意環(huán)繞。新的一年，

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吉致電子：SIC碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案

SiC CMP拋光液是一種用于對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的關(guān)鍵材料，通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量，達(dá)到超光滑、無缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應(yīng)用等對(duì)襯底表面質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對(duì)碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時(shí)調(diào)整化學(xué)試劑的種類和濃度，增強(qiáng)

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