吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

藍寶石襯底研磨用什么拋光液

  CMP工藝怎么研磨藍寶石襯底？需要搭配什么拋光液？藍寶石拋光萬能公式：粗拋、中拋、精拋，每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD：①藍寶石CMP粗磨：藍寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強的吉致金剛石研磨液，搭配金剛石磨盤，速率高效果好可有效去除藍寶石表面的不平和劃痕。②藍寶石CMP中拋：這一步可以用銅盤+小粒徑的金剛石研磨液，用來去除粗拋留下的紋路，為鏡面拋光做前期準備。③藍寶石CMP精拋：CMP精拋是藍寶石襯底最后一道工序，需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來收光，呈現(xiàn)平坦無暇的鏡面效果。 

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半導(dǎo)體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別

  常用的半導(dǎo)體拋光液，按拋光對象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應(yīng)用于 130nm 及以下技術(shù)節(jié)點邏輯芯片的制造工藝，而鎢拋光液W slurry則大量應(yīng)用于存儲芯片制造工藝，在邏輯芯片中用量較少。  銅拋光液，主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來腐蝕溶解銅表面，成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜，鈍化膜的形成可以保護腐蝕劑的進一步腐蝕，并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外，CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學(xué)試劑以調(diào)節(jié)PH值，為拋光過程

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打磨碳化硅需要哪種拋光墊？

  打磨碳化硅需要哪種拋光墊？  打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序：粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據(jù)CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊：粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊  吉致電子CMP拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性價比等優(yōu)勢。結(jié)合硬質(zhì)和軟質(zhì)研磨拋光墊的優(yōu)點，可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無紡布復(fù)合拋光墊，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圓制程的穩(wěn)定性與尺寸精密度。  壓紋和開槽工藝，讓PAD可保持拋光

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二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同

  二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子高純度CMP拋光產(chǎn)品。 硅溶膠拋光液是以液體形式存在，直徑為10-150nm的二氧化硅粒子（分散相）在水或有機液體（分散介質(zhì)）里的分散體系，粒子的形貌多為球形，適用于各類工件的鏡面拋光，如金屬、藍寶石襯底、半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃、精密電子元器件等的鏡面拋光。 本質(zhì)上講二氧化硅拋光液、硅溶膠拋光液都是一種東西，主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨拋光工藝中，機器通過壓力泵把氧化硅拋光液輸送到拋光槽內(nèi)進行循環(huán)使用，

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碳化硅Sic襯底加工流程有哪些

碳化硅襯底是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法生長碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片，簡單流程可概括為原料合成→晶體生長→。1、原料合成將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高溫下反應(yīng)合成碳化硅顆粒。再經(jīng)過破碎、清洗等工序，制得滿足晶體生長要求的高純度碳化硅微粉原料。2、晶體生長以高純度碳化硅微粉為原料，使用自主研制的晶體生長爐，采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 生長碳化硅晶體將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長爐內(nèi)圓柱狀密閉的石墨甘場下部和頂部，通過電磁感應(yīng)將

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半導(dǎo)體拋光---硅片拋光墊怎么選

  硅片拋光涉及到半導(dǎo)體工件的技術(shù)加工領(lǐng)域，硅片拋光墊的多孔結(jié)構(gòu)和軟性磨料材料，可以適應(yīng)不同硅片材料的表面結(jié)構(gòu)，達到不同表面加工的需求。在微電子、半導(dǎo)體、光電等領(lǐng)域中，CMP拋光墊的使用越來越廣泛，尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中，CMP拋光墊的質(zhì)量和性能至關(guān)重要。   硅片拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的

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吉致電子---常見的半導(dǎo)體研磨液有哪些

  吉致電子半導(dǎo)體研磨液有哪些？常見的CMP研磨液有氧化鋁研磨液，金剛石研磨液，藍寶石研磨液。分別用于磨削工件、半導(dǎo)體制程、光學(xué)玻璃晶圓等工件加工。  其中金剛石研磨液，它的硬度非常高，性能穩(wěn)定切削力強，被廣泛應(yīng)用于led工業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、光學(xué)玻璃和寶石加工業(yè)、機械加工業(yè)等不同行業(yè)中。研磨液是半導(dǎo)體加工生產(chǎn)過程中的一項非常重要工藝，它主要是通過CMP研磨液混配磨料的方式對半導(dǎo)體表面進行精密加工，達到平坦度。研磨液是影響半導(dǎo)體表面工作質(zhì)量的重要經(jīng)濟因素。吉致電子用經(jīng)驗和技術(shù)服務(wù)每一位客戶，有CMP

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藍寶石拋光用什么拋光液

  在生產(chǎn)藍寶石襯底的時候產(chǎn)生裂痕和崩邊現(xiàn)象的比例比較高，占總是的5%-8%。我國藍寶石批量生產(chǎn)的技術(shù)還很不成熟，切割完的藍寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后易形成很深的麻坑或劃傷。因此需要通過CMP研磨拋光技術(shù)來達到工件平坦度，拋光過程中影響拋光質(zhì)量的因素有很多，如拋光液的組分和PH值、壓力、溫度、流量、轉(zhuǎn)速和拋光墊的質(zhì)量等。  藍寶石晶圓的拋光需要對拋光液材質(zhì)有很高的要求，磨料太軟會導(dǎo)致拋光時間過長而拋光效果不理想。目前拋藍寶石合適的是鉆石拋光液，鉆石拋光液磨料是采用金剛石，有很高的硬度，搭配

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半導(dǎo)體先進制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進行中

  國內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起加速推動了半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化進程。在政策、資金以及市場需求的帶動下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，帶動上游材料需求增長。先進制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增，國產(chǎn)替代進行中。  CMP拋光墊（CMP PAD）一般分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等，高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導(dǎo)體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè)，目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用

  化學(xué)機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡單來講，半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負責(zé)對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注

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鎢鋼用什么研磨液和拋光液

  硬質(zhì)合金也就是鎢鋼，在現(xiàn)代工業(yè)中的應(yīng)用非常廣泛，如鋼鐵、交通、建筑等領(lǐng)域?qū)τ操|(zhì)合金的需求愈發(fā)旺盛，隨著對深加工產(chǎn)品需求的高漲，硬質(zhì)合金將向精深加工、工具配套方向發(fā)展;向超細、超粗及涂層復(fù)合結(jié)構(gòu)等方向發(fā)展;向循環(huán)經(jīng)濟、節(jié)能環(huán)保方向發(fā)展;向精密化、小型化方向發(fā)展。那么鎢鋼研磨用什么拋光液？  鎢鋼用于高精度機械加工、高精度刀具材料、車床、沖擊鉆鉆頭、玻璃刀刀頭、瓷磚割刀之上。這類硬質(zhì)工件需要經(jīng)過研磨拋光工藝來達到使用標準。鎢鋼特點是耐磨、硬度高、韌性強，耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，尤其它的高硬度和耐

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TSV拋光液---半導(dǎo)體3D封裝技術(shù)Slurry

  TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。  TSV工藝的優(yōu)勢：可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子JEEZ用于3D封裝

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CMP常用化學(xué)拋光液有哪些

   CMP技術(shù)（化學(xué)機械研磨）是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中非常重要的一項技術(shù)，在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用最多，通過CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質(zhì)，達到工件表面平坦化，保證晶體管等器件的性能穩(wěn)定性。   拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分，它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物，以達到平坦化的效果。CMP常用化學(xué)拋光液有哪些？常見的CMP化學(xué)拋光液有氧化鋁（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氧化鈰（CeO2）氮化硅（Si3N4）等。不同的

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如何解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題

 二氧化硅拋光液在拋光過程中會出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊的現(xiàn)象，雖然不是大問題但如果處理不當，很可能會導(dǎo)致工件表面劃傷甚至報廢，那么怎么解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題呢？  首先要了解硅溶膠拋光液的特點屬性。二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)水解法離子、交換法制備成的一種高純度低金屬離子型產(chǎn)品。在水性環(huán)境中容易形成一種離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而一脫離了水份，表面積迅速凝結(jié)形成結(jié)晶塊，所以只要保持水分基本上是不會出現(xiàn)結(jié)晶現(xiàn)象。在實際CMP拋光工藝當中硅溶膠拋光液會一直在研磨盤轉(zhuǎn)動、流動，結(jié)晶情況較少。  因此氧化

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藍寶石窗口平面加工--藍寶石研磨液

 藍寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍寶石視窗、高精度質(zhì)量藍寶石視窗是為各種光學(xué)、機械和電子應(yīng)用提供了強度、耐磨性、化學(xué)惰性適用于光學(xué)和激光應(yīng)用，這些藍寶石窗口設(shè)計用于關(guān)鍵的光學(xué)和激光應(yīng)用。藍寶石窗口的制程中關(guān)鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝，藍寶石研磨液適合用于大批量藍寶石窗口的生產(chǎn)應(yīng)用。  藍寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成，具有懸浮性好，不易結(jié)晶，易清洗等特點。用于藍寶石工件的鏡面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，無劃傷，表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍寶石窗口CMP拋光研磨液，性能穩(wěn)

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藍寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實現(xiàn)高平坦度表面

  吉致電子藍寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍寶石拋光液。專業(yè)用于藍寶石襯底、外延片、窗口、藍寶石wafer的減薄和拋光。藍寶石拋光液由純度高的磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結(jié)晶、拋光速度快的優(yōu)點。   通過CMP工藝搭配藍寶石專用slurry可實現(xiàn)藍寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會對加工件造成物理損傷,達到精密加工。藍寶石CMP拋光液的低金屬的成分，可以有效防止產(chǎn)品受到污染。  &n

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什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些？

  Oxide slurry 簡稱OX氧化物研磨液廣泛用于氧化層材料的CMP拋光，拋光研磨后達到精準的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圓表面的氧化硅層或者上層金屬與氧化硅之間的氧化硅層等。  吉致電子OX氧化層拋光液適用于4-12英寸氧化硅鍍膜片的氧化層拋光液。JEEZ半導(dǎo)體拋光液性能優(yōu)點：①使用純度高的納米拋光磨料，擁有高速率加工能力;②slurry粒徑大小均勻因此能獲得無缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗無殘留，對后續(xù)工藝影響小。 

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第三代半導(dǎo)體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液

  隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，以化合物半導(dǎo)體材料，特別是第三代半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體新材料快速崛起。  碳化硅是新型電力系統(tǒng)，特高壓電網(wǎng)必需的可達萬伏千安等級的唯一功率半導(dǎo)體材料，同時也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國際技術(shù)發(fā)展水平來看，碳化硅方面，8英寸襯底開始產(chǎn)業(yè)化，車規(guī)級功率器件是當前開發(fā)重點，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品，碳化硅器件正向耐受更高電壓

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吉致電子手機取卡針拋光液

  吉致電子手機液態(tài)金屬拋光液，手機取卡針拋光液，研磨拋光漿料為粗拋、中拋、精拋漿料懸浮性好，特點是不易沉淀、不結(jié)晶、不腐蝕機臺，易于清洗。  適用于3C電子產(chǎn)品，手機電子元器件、液態(tài)金屬、喇叭網(wǎng)聽筒/手機音量鍵、碳素鋼拋光液可以迅速去除CNC刀紋、底紋等，拋光后無劃傷、橘皮、坑點、針眼等缺陷不含重金屬以及有害物質(zhì)、環(huán)保無危害，可接觸皮膚。  產(chǎn)品運用拋光液中的CMP化學(xué)機械作用，提高拋光速率改善拋光表面的質(zhì)量顆粒粒徑分布適中，最大程度提升拋光速率的同時降低微劃傷的概率顆粒分散性好，有

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半導(dǎo)體行業(yè)CMP化學(xué)機械平坦化工藝Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化學(xué)機械平坦化工藝，應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化加工。  CMP工藝融合了化學(xué)研磨和物理研磨的過程，而單一的化學(xué)或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時滿足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點，通過拋光液/研磨液（slurry）與拋光墊（Pad）化學(xué)機械作用，在保證材料去除效率的同時，得到準確的表面材料層的厚度，獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性，實現(xiàn)納米級甚至原子級的表面粗糙度，同

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