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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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吉致電子:LN/LT晶體CMP拋光解決方案,賦能光子芯片與量子通信

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時間:2025-12-19 14:26【

在光電信息、量子通信、半導(dǎo)體激光等高端產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,鈮酸鋰(LN)、鉭酸鋰(LT)晶體憑借優(yōu)異的電光、聲光及非線性光學(xué)特性,成為制造高性能器件的核心基材。而晶體表面的光潔度直接決定器件的光傳輸效率、調(diào)制性能與長期穩(wěn)定性,化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)作為實現(xiàn)晶體超精密表面加工的關(guān)鍵工藝,其技術(shù)水準(zhǔn)與配套耗材(拋光液、拋光墊)的適配性,成為突破高端晶體應(yīng)用瓶頸的核心支撐。吉致電子深耕光電材料精密加工領(lǐng)域,針對LN/LT晶體的材質(zhì)特性,打造定制化CMP拋光解決方案,通過精準(zhǔn)匹配拋光液配方與拋光墊類型,實現(xiàn)從常規(guī)精密拋光到原子級超光滑表面的全場景覆蓋,為高端光電器件量產(chǎn)賦能。

鈮酸鋰鉭酸鋰拋光液 化學(xué)機(jī)械精密拋光 吉致電子拋光液廠家

核心邏輯:拋光液與拋光墊的精準(zhǔn)適配,決定CMP拋光終極效果

LN/LT晶體屬于硬脆極性材料,化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)、機(jī)械加工難度大,傳統(tǒng)拋光工藝易產(chǎn)生劃痕、麻點、亞表面損傷等缺陷。CMP拋光的核心優(yōu)勢在于“化學(xué)腐蝕+機(jī)械研磨”的協(xié)同作用,而拋光液的化學(xué)活性、顆粒分散性,以及拋光墊的孔隙結(jié)構(gòu)、硬度、研磨效率,直接決定化學(xué)與機(jī)械作用的平衡度——這也是吉致電子CMP解決方案的核心研發(fā)方向。

我們通過上千組實驗驗證,針對LN/LT晶體的晶格結(jié)構(gòu)與化學(xué)特性,定制研發(fā)專用CMP拋光液:通過精準(zhǔn)調(diào)控拋光液pH值(8-11可調(diào))、優(yōu)化研磨顆粒(氧化硅/氧化鋁)的粒徑分布與表面修飾,實現(xiàn)對晶體表面的溫和化學(xué)腐蝕與高效機(jī)械去除,同時抑制拋光過程中的顆粒團(tuán)聚與劃痕產(chǎn)生;搭配自主篩選的高性能拋光墊(如Suba系列、聚氨酯多孔拋光墊等),通過優(yōu)化拋光墊的孔隙率與表面平整度,提升拋光液的滲透與更新效率,減少拋光殘留物,保障拋光過程的穩(wěn)定性與一致性。

性能突破:全場景覆蓋的超精密拋光效果

依托定制化的拋光液與拋光墊適配方案,吉致電子LN/LT晶體CMP拋光工藝可根據(jù)不同應(yīng)用場景的需求,實現(xiàn)從常規(guī)精密級到原子級的表面光潔度控制,具體表現(xiàn)如下:

1.常規(guī)精密拋光:適配通用光電器件需求

針對普通光學(xué)調(diào)制器、濾波器等通用光電器件,采用吉致常規(guī)優(yōu)化CMP工藝,搭配專用拋光液與標(biāo)準(zhǔn)拋光墊,可快速實現(xiàn)LN/LT晶體表面的精密拋光。工藝穩(wěn)定后,晶體表面粗糙度達(dá)到要求且表面無明顯劃痕、麻點等缺陷,完全滿足通用光電器件對光傳輸與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的基礎(chǔ)要求,且拋光效率優(yōu)異,適配量產(chǎn)需求。

LN/LT材質(zhì)拋光液 鈮酸鋰拋光液 鉭酸鋰拋光液 晶圓拋光液

2.原子級超光滑拋光:賦能高端光子芯片領(lǐng)域

對于光子芯片、量子比特器件等對表面質(zhì)量要求極高的高端應(yīng)用,吉致電子推出精細(xì)化CMP拋光方案:通過研磨液預(yù)處理消除前期加工損傷,再搭配高活性定制拋光液,結(jié)合長效精準(zhǔn)拋光工藝(拋光時間可根據(jù)需求調(diào)控至9小時以上),可實現(xiàn)LN/LT晶體原子級的超光滑表面加工。實驗數(shù)據(jù)顯示,經(jīng)該方案處理后,晶體表面粗糙度(Sa)可從預(yù)處理后有效降低粗糙度,消除亞表面損傷,為高端器件的高電光調(diào)制效率、低傳輸損耗提供核心保障。

3.特殊結(jié)構(gòu)拋光:適配定制化器件需求

針對LN/LT晶體超構(gòu)表面、調(diào)制器電極接觸面等特殊結(jié)構(gòu)的加工需求,吉致電子通過定制拋光液配方與拋光墊類型(如柔性拋光墊、局部精準(zhǔn)拋光墊),優(yōu)化拋光壓力與軌跡,實現(xiàn)局部區(qū)域的精準(zhǔn)拋光。例如,在超構(gòu)表面?zhèn)缺趻伖庵?,可將?cè)壁粗糙度降低至4nm;針對調(diào)制器電極接觸面,可將表面粗糙度穩(wěn)定控制在0.3nm左右,保障器件的結(jié)構(gòu)兼容性與性能穩(wěn)定性。

吉致電子從耗材到工藝的全鏈條保障

不同于單純的耗材供應(yīng),吉致電子提供“拋光液+拋光墊+吸附墊+工藝參數(shù)”的全鏈條CMP解決方案:擁有專業(yè)的材料研發(fā)團(tuán)隊,可根據(jù)客戶的晶體規(guī)格、器件需求定制拋光液與拋光墊;配備先進(jìn)的表面檢測設(shè)備(如原子力顯微鏡、白光干涉儀),實時監(jiān)控拋光效果,確保每一批次產(chǎn)品的一致性;提供全程技術(shù)支持,從工藝調(diào)試到量產(chǎn)落地,為客戶解決加工過程中的各類技術(shù)難題。

未來,吉致電子將持續(xù)深耕LN/LT晶體精密加工領(lǐng)域,以更精準(zhǔn)的拋光耗材適配、更高效的CMP工藝方案,助力高端光電產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級與量產(chǎn)突破,成為光電核心材料精密加工的可靠伙伴。

本文由吉致電子技術(shù)團(tuán)隊整理發(fā)布,數(shù)據(jù)僅供參考,轉(zhuǎn)載請注明出處。

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