吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

碳化硅Sic襯底加工流程有哪些[ 08-09 17:14 ]

碳化硅襯底是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法生長(zhǎng)碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片，簡(jiǎn)單流程可概括為原料合成→晶體生長(zhǎng)→。1、原料合成將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高溫下反應(yīng)合成碳化硅顆粒。再經(jīng)過(guò)破碎、清洗等工序，制得滿足晶體生長(zhǎng)要求的高純度碳化硅微粉原料。2、晶體生長(zhǎng)以高純度碳化硅微粉為原料，使用自主研制的晶體生長(zhǎng)爐，采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 生長(zhǎng)碳化硅晶體將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長(zhǎng)爐內(nèi)圓柱狀密閉的石墨甘場(chǎng)下部和頂部，通過(guò)電磁感應(yīng)將

半導(dǎo)體拋光---硅片拋光墊怎么選[ 08-08 16:31 ]

  硅片拋光涉及到半導(dǎo)體工件的技術(shù)加工領(lǐng)域，硅片拋光墊的多孔結(jié)構(gòu)和軟性磨料材料，可以適應(yīng)不同硅片材料的表面結(jié)構(gòu)，達(dá)到不同表面加工的需求。在微電子、半導(dǎo)體、光電等領(lǐng)域中，CMP拋光墊的使用越來(lái)越廣泛，尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中，CMP拋光墊的質(zhì)量和性能至關(guān)重要。   硅片拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過(guò)程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的

藍(lán)寶石拋光用什么拋光液[ 07-28 17:29 ]

  在生產(chǎn)藍(lán)寶石襯底的時(shí)候產(chǎn)生裂痕和崩邊現(xiàn)象的比例比較高，占總是的5%-8%。我國(guó)藍(lán)寶石批量生產(chǎn)的技術(shù)還很不成熟，切割完的藍(lán)寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后易形成很深的麻坑或劃傷。因此需要通過(guò)CMP研磨拋光技術(shù)來(lái)達(dá)到工件平坦度，拋光過(guò)程中影響拋光質(zhì)量的因素有很多，如拋光液的組分和PH值、壓力、溫度、流量、轉(zhuǎn)速和拋光墊的質(zhì)量等。  藍(lán)寶石晶圓的拋光需要對(duì)拋光液材質(zhì)有很高的要求，磨料太軟會(huì)導(dǎo)致拋光時(shí)間過(guò)長(zhǎng)而拋光效果不理想。目前拋藍(lán)寶石合適的是鉆石拋光液，鉆石拋光液磨料是采用金剛石，有很高的硬度，搭配

鎢鋼用什么研磨液和拋光液[ 06-07 11:22 ]

  硬質(zhì)合金也就是鎢鋼，在現(xiàn)代工業(yè)中的應(yīng)用非常廣泛，如鋼鐵、交通、建筑等領(lǐng)域?qū)τ操|(zhì)合金的需求愈發(fā)旺盛，隨著對(duì)深加工產(chǎn)品需求的高漲，硬質(zhì)合金將向精深加工、工具配套方向發(fā)展;向超細(xì)、超粗及涂層復(fù)合結(jié)構(gòu)等方向發(fā)展;向循環(huán)經(jīng)濟(jì)、節(jié)能環(huán)保方向發(fā)展;向精密化、小型化方向發(fā)展。那么鎢鋼研磨用什么拋光液？  鎢鋼用于高精度機(jī)械加工、高精度刀具材料、車(chē)床、沖擊鉆鉆頭、玻璃刀刀頭、瓷磚割刀之上。這類(lèi)硬質(zhì)工件需要經(jīng)過(guò)研磨拋光工藝來(lái)達(dá)到使用標(biāo)準(zhǔn)。鎢鋼特點(diǎn)是耐磨、硬度高、韌性強(qiáng)，耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，尤其它的高硬度和耐

CMP常用化學(xué)拋光液有哪些[ 05-17 10:42 ]

   CMP技術(shù)（化學(xué)機(jī)械研磨）是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中非常重要的一項(xiàng)技術(shù)，在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用最多，通過(guò)CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質(zhì)，達(dá)到工件表面平坦化，保證晶體管等器件的性能穩(wěn)定性。   拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分，它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物，以達(dá)到平坦化的效果。CMP常用化學(xué)拋光液有哪些？常見(jiàn)的CMP化學(xué)拋光液有氧化鋁（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氧化鈰（CeO2）氮化硅（Si3N4）等。不同的

如何解決氧化硅拋光液結(jié)晶問(wèn)題[ 05-09 17:17 ]

 二氧化硅拋光液在拋光過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊的現(xiàn)象，雖然不是大問(wèn)題但如果處理不當(dāng)，很可能會(huì)導(dǎo)致工件表面劃傷甚至報(bào)廢，那么怎么解決氧化硅拋光液結(jié)晶問(wèn)題呢？  首先要了解硅溶膠拋光液的特點(diǎn)屬性。二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)水解法離子、交換法制備成的一種高純度低金屬離子型產(chǎn)品。在水性環(huán)境中容易形成一種離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而一脫離了水份，表面積迅速凝結(jié)形成結(jié)晶塊，所以只要保持水分基本上是不會(huì)出現(xiàn)結(jié)晶現(xiàn)象。在實(shí)際CMP拋光工藝當(dāng)中硅溶膠拋光液會(huì)一直在研磨盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)、流動(dòng)，結(jié)晶情況較少。  因此氧化

藍(lán)寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實(shí)現(xiàn)高平坦度表面[ 04-26 11:10 ]

  吉致電子藍(lán)寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍(lán)寶石拋光液。專(zhuān)業(yè)用于藍(lán)寶石襯底、外延片、窗口、藍(lán)寶石wafer的減薄和拋光。藍(lán)寶石拋光液由純度高的磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結(jié)晶、拋光速度快的優(yōu)點(diǎn)。   通過(guò)CMP工藝搭配藍(lán)寶石專(zhuān)用slurry可實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會(huì)對(duì)加工件造成物理?yè)p傷,達(dá)到精密加工。藍(lán)寶石CMP拋光液的低金屬的成分，可以有效防止產(chǎn)品受到污染。  &n

不銹鋼工件原始品質(zhì)對(duì)CMP拋光效果的影響[ 02-16 15:22 ]

  不銹鋼鏡面拋光效果的優(yōu)良，不僅取決于拋光方案設(shè)計(jì)、拋光耗材（CMP拋光液、拋光墊）選擇和拋光參數(shù)設(shè)置，不銹鋼拋光工件的原始品質(zhì)也影響到最終的拋光的效果。當(dāng)拋光效果不盡人意時(shí)，不僅要對(duì)拋光方案、所使用耗材的品質(zhì)進(jìn)行評(píng)估和優(yōu)化，同時(shí)對(duì)于工件的質(zhì)量也要有所考慮。  不銹鋼工件品質(zhì)對(duì)CMP拋光工藝的影響1.優(yōu)質(zhì)的的不銹鋼工件是獲得良好拋光質(zhì)量的前提條件，工件表面硬度不均或特性上有差異都會(huì)對(duì)拋光產(chǎn)生一定的困難。金屬工件中的夾雜物和氣孔都是影響拋光的不利因素。2.電火花加工后的金屬表面難以研磨，若未在加

吉致電子---氧化鈰研磨液在半導(dǎo)體CMP制程中的作用[ 02-10 13:09 ]

  粒徑30-50nm的球形氧化鈰研磨液用于半導(dǎo)體芯片制程：應(yīng)用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成電路STI(淺溝槽隔離層)CMP  STI目前已成為器件之間隔離的關(guān)鍵技術(shù)，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技術(shù)。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進(jìn)行二氧化硅沉積、后用CMP技術(shù)進(jìn)行表面平坦化。目前的研究表明采用納米氧化鈰作為CMP磨料，在拋光效率及效果上均優(yōu)于其他產(chǎn)品。  納米氧化鈰拋光液在硅晶圓CMP平坦化的效果優(yōu)異  粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液用于單晶硅片表面C

吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用[ 02-09 13:14 ]

  CMP化學(xué)機(jī)械拋光應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。  CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求，需要調(diào)整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結(jié)構(gòu)及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。  在半導(dǎo)體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中，也存在

藍(lán)寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液[ 02-06 16:10 ]

藍(lán)寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液？藍(lán)寶石拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子CMP拋光液，是一種高純度的氧化硅拋光液，廣泛應(yīng)用于多種材料的納米級(jí)高平坦化拋光。吉致電子生產(chǎn)的藍(lán)寶石拋光液主要用于藍(lán)寶石襯底研磨減薄，藍(lán)寶石A向拋光液，藍(lán)寶石C向拋光液等。拋光范圍如：硅片、鍺片、化合物晶體磷化銦、砷化鎵、精密光學(xué)器件、寶石飾品、金屬鏡面等研磨拋光加工。藍(lán)寶石拋光液Sapphire Slurry的特點(diǎn)：1.高純度（Cu含量小于50 ppb），有效減小對(duì)電子類(lèi)產(chǎn)品的污染。2.高拋光速率，利用大粒徑的膠

SiO2二氧化硅拋光液--硅溶膠粒徑大小的區(qū)別[ 01-06 16:24 ]

  二氧化硅拋光液SiO2 Slurry的制備中主要成分是納米硅溶膠，一般分為大粒徑硅溶膠和小粒徑硅溶膠，那么怎么定義硅溶膠粒徑大小呢，吉致電子小編為您詳解： 大粒徑硅溶膠與小粒徑硅溶膠的定義 CMP精拋液中納米硅溶膠顆粒的粒徑為10-50nm，這個(gè)粒徑范圍的硅溶膠在市場(chǎng)上最常見(jiàn)，價(jià)格也相對(duì)便宜。如果對(duì)硅溶膠的純度和pH值沒(méi)有特殊要求，這種規(guī)格的硅溶膠價(jià)格相對(duì)比較便宜。 大粒徑硅溶膠:粒徑＞50nm的硅溶膠一般可稱為大粒徑硅溶膠。吉致電子科技生產(chǎn)的大粒徑硅溶膠最大可達(dá)150n

吉致電子陶瓷基板拋光液[ 12-16 15:47 ]

  陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的決定因素。目前，已應(yīng)用作為陶瓷覆銅板基板材料共有三種陶瓷，分別是氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。吉致電子陶瓷基板拋光液能拋磨這3種陶瓷材料，并達(dá)到理想RA值。淺談一下三種陶瓷基板的性能：  氧化鋁陶瓷基板：是最常用的陶瓷基板，由于它具有好的絕緣性、好的化學(xué)穩(wěn)定性、好的力學(xué)性能和低的價(jià)格，但由于氧化鋁陶瓷基片相對(duì)低的熱導(dǎo)率、與硅的熱膨脹系數(shù)匹配不好。作為高功率模塊封裝材料，氧化鋁材料的應(yīng)用前景不容樂(lè)觀。  氮化鋁覆銅板：在熱特性方面

SIC碳化硅的化學(xué)機(jī)械拋光工藝[ 12-14 16:20 ]

  碳化硅Sic單晶生長(zhǎng)之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒(méi)法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體，線切割會(huì)把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。  SiC表面的損傷層可以通過(guò)四種方法去除：機(jī)械拋光：簡(jiǎn)單但會(huì)殘留劃痕，適用于初拋；化學(xué)機(jī)械拋光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化學(xué)腐蝕去除劃痕，適用于精拋；氫氣刻蝕：設(shè)備復(fù)雜，常用于HTCVD過(guò)程；等離子輔助拋光：設(shè)備復(fù)雜，不常用。選擇CMP

3C鏡面拋光液用什么拋光液[ 12-09 16:18 ]

  3C產(chǎn)品表面鏡面拋光一般不采用電解拋光方式，而是選擇CMP機(jī)械拋光工藝。SiO2拋光液用于3C工件的鏡面拋光工藝，主要由納米級(jí)磨料制備而成，規(guī)格一般在10nm-150nm拋光后的產(chǎn)品鏡面精度高，表面收光細(xì)膩。  氧化硅精拋液進(jìn)行精拋工藝后，工件可以從霧面提升到鏡面透亮的效果。拋光液配合精拋皮使用，鏡面效果檢測(cè)可達(dá)納米級(jí)。3C金屬拋光液用于鏡面要求較高的工件拋光，因此必須做好前道工序。先粗拋打好基礎(chǔ)，再精拋去除缺陷和不良效果。  有客戶使用二氧化硅拋光液后工件表面會(huì)產(chǎn)生麻點(diǎn)，這是由于

吉致電子拋光液---溫度對(duì)藍(lán)寶石襯底CMP工藝的影響[ 12-08 15:40 ]

  溫度在藍(lán)寶石襯底拋光中起著非常重要的作用, 它對(duì)CMP工藝的影響體現(xiàn)在拋光的各個(gè)環(huán)節(jié)。  在CMP工藝的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程和機(jī)械去除過(guò)程這兩個(gè)環(huán)節(jié)中, 受溫度影響十分強(qiáng)烈。一般來(lái)說(shuō), 拋光液溫度越高, 拋光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化學(xué)腐蝕嚴(yán)重, 表面完美性差。所以, 藍(lán)寶石拋光液/研磨液溫度必須控制在合適的范圍內(nèi), 這樣才能滿足圓晶片的平坦化要求。實(shí)驗(yàn)表明, 拋光液在40℃左右的時(shí)候, 拋光速率達(dá)到了最大值, 隨著溫度繼續(xù)升高, 拋光速率的上升趨于平緩, 并且產(chǎn)生拋光液蒸騰現(xiàn)象。&nbs

藍(lán)寶石拋光液--拋光磨料粒徑、濃度及流速的影響[ 12-08 11:33 ]

藍(lán)寶石拋光液磨料粒徑、濃度及流速的影響研究表明，在其它條件相同情況下, 隨著藍(lán)寶石拋光漿料濃度的增大, 拋光速率增大。對(duì)于粒徑為80nm的研磨料: 藍(lán)寶石拋光液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10% 時(shí), CMP去除速率為572.2nm /m in; 而隨著質(zhì)量分?jǐn)?shù)增大至15%時(shí),CMP去除速率增大至598.8nm/min; 質(zhì)量分?jǐn)?shù)繼續(xù)增大至20% 時(shí), CMP去除速率則增大至643.3nm/min。這主要是因?yàn)樗{(lán)寶石拋光液濃度的增大, 使得拋光過(guò)程中參與機(jī)械磨削的粒子數(shù)增多, 相應(yīng)的有效粒子數(shù)也增多, 粒徑一定的情況下,

半導(dǎo)體拋光液是什么？[ 09-15 15:51 ]

  半導(dǎo)體拋光液是什么？簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)拋光液是通過(guò)化學(xué)機(jī)械反應(yīng)，去除半導(dǎo)體工件表面的氧化層，達(dá)到光潔度和高平坦要求的化學(xué)液體。  半導(dǎo)體CMP拋光液是超細(xì)固體研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物，制備成均勻分散的懸浮液，起到研磨、潤(rùn)滑和腐蝕溶解等作用，主要原料包括研磨顆粒、PH調(diào)節(jié)劑、氧化劑和分散劑等。拋光液的分類(lèi)：根據(jù)酸堿性可以分為：酸性拋光液和堿性拋光液、中性拋光液。根據(jù)拋磨材質(zhì)可以分為：金屬拋光液和非金屬拋光液。根據(jù)拋光對(duì)象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等。其中，銅拋光液和鎢拋

什么是混合磨料拋光液？[ 09-08 16:12 ]

混合磨料拋光液  拋磨工件材質(zhì)的升級(jí)和發(fā)展，對(duì)鏡面要求越來(lái)越高，單一的磨料已無(wú)法滿足CMP行業(yè)需求，研究人員開(kāi)始嘗試將不同粒徑、不同形貌的一種或多種粒子組合到一起使用，開(kāi)發(fā)出混合型拋光液。比如，在大粒徑二氧化硅中加入小粒徑的氧化硅，這樣能明顯提高拋光速率，且粒徑相差越大提升率越高，這是因?yàn)樵谀チ显诳偟馁|(zhì)量分?jǐn)?shù)不變的條件下，增大小粒徑磨料的占比能增加硅溶膠顆粒的總體數(shù)量，從而起到了提高拋光速率的作用。  大量的研究成果表明，混合粒子的使用能夠不同程度的提高化學(xué)機(jī)械拋光的速率，但是對(duì)拋光后表面粗糙度

什么是單一磨料的CMP拋光液？[ 08-31 16:11 ]

單一磨料拋光液化學(xué)機(jī)械CMP拋光液在研究初期大多是使用單一磨料，如氧化鋁拋光液（Al2O3）、二氧化硅拋光液（SiO2）、二氧化鈰拋光液（CeO2）、氧化鋯拋光液（ZrO2）和金剛石拋光液等。其中研究應(yīng)用最多的是Al2O3、SiO2和CeO2磨料拋光液。氧化鋁拋光液--Al2O3的硬度高，多用于藍(lán)寶石、碳化硅、光學(xué)玻璃、晶體和合金材料的拋光，但含Al2O3的拋光液會(huì)出現(xiàn)選擇性低、分散穩(wěn)定性不好、易團(tuán)聚的問(wèn)題，容易在拋光表面造成劃傷，一般需要配合各種添加劑使用才能獲得良好的拋光表面。氧化硅拋光液--SiO2具有良好的