吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

光儲行業(yè)玻璃硬盤CMP拋光解決方案

一、玻璃硬盤CMP拋光液的技術原理CMP拋光是一種結(jié)合化學腐蝕和機械研磨的精密表面處理技術。對于玻璃硬盤基板而言，CMP拋光過程涉及復雜的物理化學相互作用：化學作用：拋光液中的化學組分與玻璃表面發(fā)生反應，生成易于去除的軟化層或反應產(chǎn)物。對于硅酸鹽玻璃，通常涉及Si-O鍵的水解和離子交換反應。機械作用：拋光墊和研磨顆粒通過機械摩擦去除表面反應層，同時暴露出新鮮表面繼續(xù)參與化學反應。協(xié)同效應：理想的拋光過程要求化學腐蝕速率與機械去除速率達到動態(tài)平衡，以獲得超光滑無損傷的表面。二、玻璃硬盤對CMP拋光液的性能要求為滿足高

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陶瓷基板無蠟吸附墊的優(yōu)點與選型指南

在陶瓷基板（Al2O3、AlN、SiC等）的化學機械拋光CMP工藝中，無蠟吸附墊憑借其高精度、無污染的特性，成為替代傳統(tǒng)蠟粘附工藝的理想選擇。吉致電子為您解析Template這一關鍵耗材的技術優(yōu)勢及選型要點。一、為什么選擇無蠟吸附墊？1. 杜絕污染，提升良率傳統(tǒng)蠟粘附會殘留有機物，導致陶瓷基板后續(xù)工藝（如金屬化）失效。無蠟吸附墊通過真空吸附或微紋理固定，避免污染，特別適合高頻/高功率電子器件等嚴苛應用場景。2. 均勻拋光，降低缺陷聚氨酯（PU）材質(zhì)的彈性層可自適應基板形貌，配合多孔結(jié)構(gòu)設計，確保壓力分布均勻，減少劃

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襯底與晶圓在半導體制造中的作用及CMP技術解析

在半導體制造領域，襯底和晶圓是兩個密切相關但又各具功能的核心概念。襯底作為基礎層材料，為整個芯片制造過程提供物理支撐；而晶圓則是從襯底材料中切割出來的圓形硅片，是半導體芯片制造的直接載體。襯底通常是硅或其他半導體材料的薄片，具有優(yōu)異的機械性能和熱穩(wěn)定性。晶圓作為襯底的一部分，經(jīng)過精密加工后具有特定的晶體取向和表面特性，能夠滿足后續(xù)復雜的半導體工藝要求。襯底的核心功能與應用承載功能：襯底為半導體芯片提供穩(wěn)定的機械支撐平臺，確保在整個制造過程中保持結(jié)構(gòu)完整性。優(yōu)質(zhì)的襯底能夠承受高溫、化學腐蝕等嚴苛工藝條件而不變形或降解

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吉致電子化學抗性無蠟吸附墊：半導體晶圓拋光專屬解決方案

在精密半導體制造領域，拋光工藝的潔凈度與穩(wěn)定性直接決定晶圓品質(zhì)。吉致電子憑借對材料科學與工藝參數(shù)的深度理解，推出化學抗性無蠟吸附墊，以獨家定制化設計打破傳統(tǒng)模板局限，為碳化硅SiC晶圓及高錳酸鉀（KMnO4）基漿料等嚴苛環(huán)境提供高耐久、超潔凈的拋光背附解決方案。一，精準匹配：從工藝需求到定制化設計每一款拋光背附板的性能都需與客戶的生產(chǎn)場景深度契合?；瘜W抗性吸附墊的設計流程始于全面調(diào)研——從工件特性、漿料化學性質(zhì)（pH值、腐蝕性）到設備參數(shù)（壓力、溫度），吉致電子通過定制化圖紙，精準適配材料厚

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吉致電子：25 年CMP技術，鑄就高端手機鏡面質(zhì)感

當高端手機的金屬邊框以鏡面之姿映出光影流轉(zhuǎn)，指尖劃過的絲滑觸感背后是3C行業(yè)精密制造的科技結(jié)晶。吉致電子深耕CMP化學機械拋光技術25年，作為3C行業(yè)拋光液及耗材的核心供應商與技術支持廠家，為華為、蘋果等品牌定制不銹鋼、鈦合金、鋁合金邊框鏡面拋光解決方案，解密手機「完美鏡面」的誕生密碼。一、手機邊框鏡面拋光的三大核心挑戰(zhàn)與吉致電子方案手機金屬邊框的拋光工藝堪稱精密制造的 “極限挑戰(zhàn)”，吉致電子針對核心難點給出定制化解決方案：①材質(zhì)差異大：不銹鋼硬度高、鈦合金易氧化、鋁合金怕腐蝕，傳統(tǒng)拋光液難

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吉致電子碳化硅CMP研磨液：助力SiC半導體制造升級

吉致電子碳化硅CMP研磨液采用多組分協(xié)同作用的設計理念，結(jié)合氧化鋁磨料的高效機械作用與高錳酸鉀的精密化學氧化，實現(xiàn)了材料去除率與表面質(zhì)量的完美平衡。產(chǎn)品經(jīng)過嚴格的質(zhì)量控制和實際產(chǎn)線驗證，具有以下核心優(yōu)勢：1. 高效化學-機械協(xié)同拋光機制吉致電子CMP研磨液的獨特之處在于其雙重作用機制：高錳酸鉀(KMnO4)作為強氧化劑，在拋光過程中將碳化硅表面氧化生成較軟的SiO2層，這一氧化層硬度顯著低于碳化硅基底，隨后被氧化鋁磨料高效機械去除。通過調(diào)節(jié)pH值(通常控制在10-11之間)，實現(xiàn)了氧化速率與機械去除的最佳匹配，既保

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吉致電子：以創(chuàng)新CMP拋光液技術賦能碳化硅襯底新時代

隨著第三代半導體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，碳化硅(SiC)襯底憑借其卓越性能，正在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領域掀起技術革命。作為國內(nèi)領先的半導體材料解決方案提供商，吉致電子深耕碳化硅襯底CMP拋光液研發(fā)，為行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。碳化硅襯底：高端應用行業(yè)的基石碳化硅襯底因其寬禁帶、高導熱等特性，成為制造高壓、高溫、高頻器件的理想選擇。在新能源汽車領域，采用SiC襯底的功率模塊可使逆變器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC襯底的射頻器件能顯著提升信號傳輸效率。這些高端應用對襯底表面質(zhì)量提出嚴苛要

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吉致電子無蠟吸附墊革新晶圓制造工藝：零殘留·高平坦·更穩(wěn)定

在半導體晶圓拋光領域傳統(tǒng)蠟模裝夾工藝存在效率低、良率受限等痛點，而半導體真空吸附墊Template技術的創(chuàng)新和使用正在推動行業(yè)變革。吉致電子通過定制化半導體晶圓拋光的CMP（化學機械平坦化）無蠟吸附墊、真空吸附板設計，可為半導體領域客戶提升生產(chǎn)效率。吉致電子真空吸附墊/CMP拋光模版通過「無蠟革命」，為硅片、晶圓、SiC、藍寶石襯底、光學玻璃等材料提供高精度拋光解決方案。傳統(tǒng)蠟粘工藝的核心痛點效率瓶頸蠟模需加熱/冷卻固化，單次裝夾耗時30分鐘以上，影響產(chǎn)能。殘留蠟清洗工序復雜，增加非生產(chǎn)

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化學機械CMPAl2O3氧化鋁精拋液

吉致電子氧化鋁精拋液（CMP Slurry）采用高純度分級氧化鋁微粉為原料，經(jīng)特殊表面改性工藝處理，通過科學配方精密配制而成。具有以下顯著優(yōu)勢：適用于化學機械平面研磨工藝CMP場景---鋁合金、不銹鋼、鎢鋼、鑄鐵件等金屬材質(zhì);以及藍寶石、碳化硅襯底、光學玻璃、精密陶瓷基板等半導體襯底材料的精密拋光加工。氧化鋁精拋液性能優(yōu)勢突出：獨特的抗結(jié)晶配方，確保拋光過程穩(wěn)定對拋光設備無腐蝕，維護簡便殘留物易清洗，提高生產(chǎn)效率氧化鋁精拋液效果卓越：創(chuàng)新的化學機械協(xié)同作用機制，顯著提升拋光效率優(yōu)化的表面處理工藝，確保拋光面質(zhì)量達到

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從襯底到外延片：半導體材料的層級關系與作用

半導體襯底（Substrate）和外延片（Epitaxial Wafer）是半導體制造中的兩種關鍵材料，它們的區(qū)別主要體現(xiàn)在定義、結(jié)構(gòu)、用途和制備工藝上：1. 定義與作用襯底（Substrate）是半導體器件的“基礎載體”，通常為單晶圓片（如硅、碳化硅、藍寶石等），提供機械支撐和晶體結(jié)構(gòu)模板。功能：確保后續(xù)外延生長或器件加工的晶體結(jié)構(gòu)一致性。外延片（Epitaxial Wafer）是在襯底表面通過外延生長技術（如氣相外延、分子束外延）沉積的一層單晶薄膜。功能：優(yōu)化電學性能（如純度、摻雜濃度）

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CMP阻尼布拋光墊：多材料精密拋光的解決方案

阻尼布拋光墊/精拋墊是CMP工藝中材料納米級精度的關鍵保障：在半導體化學機械拋光（CMP）工藝的最后精拋階段，阻尼布拋光墊（CMP精拋墊）扮演著決定晶圓最終表面質(zhì)量的關鍵角色。這種特殊絲絨狀材料的CMP拋光墊，質(zhì)地細膩、柔軟，表面多孔呈彈性，使用周期長。阻尼布拋光墊可對碳化硅襯底、精密陶瓷、砷化鎵、磷化銦、玻璃硬盤、光學玻璃、金屬制品、藍寶石襯底等材質(zhì)或工件進行精密終道拋光，在去除納米級材料的同時，實現(xiàn)原子級表面平整度，是先進制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精拋階段的特殊挑戰(zhàn)與需求與粗拋或中拋階段不同，精拋工藝面臨

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吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應用解析

鎢CMP拋光液：半導體關鍵制程材料的技術解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術背景鎢化學機械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導體先進制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)納米級表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機理3. 關鍵性能指標去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇

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先進半導體制造中的CMP Slurry：銅/鎢/碳化硅拋光液技術與國產(chǎn)化進展

化學機械平坦化（CMP）工藝是半導體制造中的核心技術，其通過化學與機械協(xié)同作用實現(xiàn)納米級表面精度，對集成電路性能至關重要。以下從技術、市場及國產(chǎn)化角度進行專業(yè)分析：一、CMP工藝核心要素拋光液（Slurry）化學組分：氧化劑（如H2O2用于Cu CMP）、磨料（納米SiO2/Al2O3）、pH調(diào)節(jié)劑及緩蝕劑，需針對材料特性（如Cu/W/SiC）定制配方。關鍵參數(shù)：材料去除率（MRR）、選擇比（Selectivity）、表面粗糙度（Ra＜0.5nm）及缺陷控制（如劃痕≤30nm）。吉致電子優(yōu)勢：25年技術積累可

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【國產(chǎn)替代新選擇】吉致電子IC1000級拋光墊——打破壟斷，助力中國“芯”制造！

半導體CMP工藝中,拋光墊是關鍵耗材，但進口品牌長期占據(jù)市場主導。吉致電子作為國內(nèi)領先的半導體材料供應商，成功研發(fā)生產(chǎn)高性能國產(chǎn)替代IC1000級拋光墊，以穩(wěn)定、耐用、均勻性好的獲得客戶好評及推薦，為芯片制造企業(yè)提供更優(yōu)成本與穩(wěn)定供應！為什么選擇吉致電子IC1000拋光墊？①媲美國際大牌——采用高精度聚氨酯材質(zhì)與微孔結(jié)構(gòu)設計，拋光均勻性、去除率對標進口產(chǎn)品，滿足銅、鎢、硅等材料的CMP工藝需求。②成本優(yōu)勢顯著——國產(chǎn)化生產(chǎn)，減少供應鏈依賴，價格更具競爭力，降低企業(yè)綜合

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吉致電子：高穩(wěn)定聚氨酯拋光墊定制專家

吉致電子聚氨酯拋光墊選用優(yōu)質(zhì)基礎材質(zhì)，歷經(jīng)多道復雜且精密的工藝打造。聚氨酯拋光墊具備卓越的高彈性、高耐磨性、高平坦度以及高穩(wěn)定性等特性，專為金屬、光學玻璃、陶瓷、半導體芯片等對表面精度要求極高的精密部件拋光作業(yè)量身定制，能夠充分應對并滿足嚴苛的工業(yè)級拋光需求。吉致電子聚氨酯拋光墊的核心優(yōu)勢①聚氨酯高效拋光性能氧化鈰拋光墊：其工作原理基于氧化鈰微粒與被加工材料表面的化學機械作用，可顯著提升材料去除速率，在對材料去除率有較高要求的場景中，能極大地縮短拋光時間，提升整體生產(chǎn)效率。氧化鋯拋光墊：氧化鋯材料憑借其獨特的微觀結(jié)

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芯片拋光液（CMP Slurry）：半導體平坦化的核心驅(qū)動力

在半導體制造的精密世界里，納米級別的表面平整度宛如一把精準的標尺，直接主宰著芯片的性能與良率?；瘜W機械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學與機械的協(xié)同之力，達成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無疑是這一工藝得以順暢運行的 “血液”，發(fā)揮著無可替代的關鍵作用。吉致電子，作為深耕半導體材料領域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中，拋光液肩負著至關重要的雙重功能：化學腐蝕其所含的活性

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金剛石研磨液在CMP工藝中的應用與優(yōu)勢

化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導體、光學玻璃、陶瓷、硬質(zhì)合金及精密制造行業(yè)的關鍵工藝，用于實現(xiàn)材料表面的超精密平坦化。針對藍寶石、碳化硅（SiC）、硬質(zhì)合金等高硬度材料的加工需求，傳統(tǒng)研磨液難以滿足高精度、低損傷的要求，因此CMP拋光液、CMP拋光墊是滿足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金剛石研磨液憑借其超硬特性和穩(wěn)定可控性，通過精準調(diào)控化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應（Chemo-Mechanical Synergy）實現(xiàn)實現(xiàn)亞納米級表面。1. 金剛石CMP研

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陶瓷基板CMP工藝：無蠟吸附墊技術解析與應用優(yōu)勢

在半導體、LED、功率電子等領域，陶瓷基板因其優(yōu)異的導熱性、絕緣性和機械強度被廣泛應用?；瘜W機械拋光（CMP）是陶瓷基板表面精密加工的關鍵工藝，而傳統(tǒng)的蠟粘接固定方式存在污染、效率低、平整度受限等問題。無蠟吸附墊技術作為新一代CMP固定方案，憑借其高精度、環(huán)保性和成本優(yōu)勢，正逐步成為行業(yè)新標準。無蠟吸附墊技術原理無蠟吸附墊通過非接觸式固定技術取代傳統(tǒng)蠟粘接，主要采用以下兩種方式：一、真空吸附技術①采用多孔陶瓷或聚合物材料，通過真空負壓均勻吸附基板②適用于各類硬脆材料（如Al?O?、AlN、SiC等）③可調(diào)節(jié)吸附力，

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半導體CMP拋光液Slurry：精密制造的核心材料

在半導體制造領域，半導體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關鍵材料，廣泛應用于化學機械拋光CMP工藝中。它通過獨特的機械研磨與化學反應相結(jié)合的方式，幫助實現(xiàn)晶圓表面的納米級平坦化，為高性能半導體器件的制造提供了重要保障。什么是半導體CMP拋光液Slurry？ 半導體Slurry是一種由研磨顆粒、化學添加劑和液體介質(zhì)組成的精密材料。在CMP工藝中

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CMP化學機械工藝中金剛石研磨液的關鍵特性剖析

在現(xiàn)代先進制造領域，CMP 化工學機械工藝作為實現(xiàn)材料表面高精度加工的核心技術，發(fā)揮著舉足輕重的作用。該工藝融合了化學作用與機械磨削，能夠在原子尺度上對材料表面進行精確修整，廣泛應用于半導體、光學元件、精密模具等眾多高端產(chǎn)業(yè)。而在 CMP 工藝的復雜體系中，金剛石拋光液堪稱其中的關鍵要素，其性能優(yōu)劣直接關乎最終的拋光質(zhì)量與加工效率。用于 CMP 化工學機械工藝的金剛石拋光液，其粒徑大小通常在 10 - 150nm 之間。該拋光液具有以下特點：高硬度與強切削力，金剛石是自然界硬度最高的物質(zhì)，具有出色的切削能力。在 C

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