吉致電子拋光材料 源頭廠(chǎng)家
25年 專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些？

  Oxide slurry 簡(jiǎn)稱(chēng)OX氧化物研磨液廣泛用于氧化層材料的CMP拋光，拋光研磨后達(dá)到精準(zhǔn)的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圓表面的氧化硅層或者上層金屬與氧化硅之間的氧化硅層等。  吉致電子OX氧化層拋光液適用于4-12英寸氧化硅鍍膜片的氧化層拋光液。JEEZ半導(dǎo)體拋光液性能優(yōu)點(diǎn)：①使用純度高的納米拋光磨料，擁有高速率加工能力;②slurry粒徑大小均勻因此能獲得無(wú)缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗無(wú)殘留，對(duì)后續(xù)工藝影響小。 

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半導(dǎo)體行業(yè)CMP化學(xué)機(jī)械平坦化工藝Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化學(xué)機(jī)械平坦化工藝，應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化加工。  CMP工藝融合了化學(xué)研磨和物理研磨的過(guò)程，而單一的化學(xué)或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時(shí)滿(mǎn)足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)拋光液/研磨液（slurry）與拋光墊（Pad）化學(xué)機(jī)械作用，在保證材料去除效率的同時(shí)，得到準(zhǔn)確的表面材料層的厚度，獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)甚至原子級(jí)的表面粗糙度，同

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CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點(diǎn)及應(yīng)用

吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點(diǎn)：（1）磨料類(lèi)型多樣化，包含單晶、多晶、類(lèi)多晶及納米級(jí)金剛石等；（2）金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金剛石研磨液粘度可調(diào)整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應(yīng)用領(lǐng)域：1、拋光液CMP半導(dǎo)體晶片加工：藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵等半導(dǎo)體晶片;2、拋光液陶瓷加工：氧化鋯指紋識(shí)別片、氧化鋯陶瓷手機(jī)后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工：不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠(chǎng)家，產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進(jìn)口slurry，CMP拋光液粒度規(guī)

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研磨液廠(chǎng)家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化學(xué)機(jī)械平面工藝中的研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性劑、氧化劑、PH緩沖膠和防腐劑等成分組成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二鋁（Al2O3）、 氧化鈰（CeO2）,金剛石（單晶、多晶）等。  通俗來(lái)講，芯片制造就像蓋高樓，一層一層往上疊加，要想樓不塌，在制造下一層前必須確保本層的平坦度，這就是CMP平坦化的訴求。Wafer晶圓在制造過(guò)程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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銅化學(xué)機(jī)械拋光液---什么是TSV技術(shù)？

銅機(jī)械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)？TSV全稱(chēng)為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線(xiàn)鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢(shì)：TSV可以通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，減小信號(hào)延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子

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拋光液廠(chǎng)家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？

  CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？  CMP拋光液越來(lái)越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門(mén)檻和市場(chǎng)壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對(duì)CMP材料種類(lèi)和用量的需求也在增加。更先進(jìn)的邏輯芯片工藝可能會(huì)要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來(lái)了更多的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。  目前，第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力

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CMP拋光液廠(chǎng)家---蘋(píng)果Logo專(zhuān)用拋光液

  果粉們時(shí)常被MacBook，Iphone上閃閃發(fā)光的Apple Logo所驚艷到，那么蘋(píng)果手機(jī)和筆記本上的金屬Logo是如何實(shí)現(xiàn)鏡面工藝的呢？

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STI Slurry平坦化流程與方法

淺槽隔離（shallow trench isolation），簡(jiǎn)稱(chēng)STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個(gè)部分：槽刻蝕，氧化硅填充，CMP拋光液平坦化。一，槽刻蝕1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護(hù)有源區(qū)在去掉氮化硅時(shí)免受化學(xué)污染2,氮化硅(Si?N?)淀積：氮化硅是堅(jiān)硬的掩模材料，有助于保護(hù)STI氧化硅淀積過(guò)程中保護(hù)有源區(qū)；在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中充當(dāng)阻擋材料3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體

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吉致電子藍(lán)寶石研磨液CMP減薄工藝

  藍(lán)寶石研磨液/拋光液，是通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于藍(lán)寶石襯底、窗口片的研磨和減薄，達(dá)到減薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過(guò)程中保持高切削效率的同時(shí)不易對(duì)工件產(chǎn)生劃傷。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液、CMP拋光液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤(pán)、芯片等領(lǐng)域的研

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稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類(lèi)

  隨著光學(xué)技術(shù)和集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)光學(xué)元件的精密和超精密拋光以及集成電路的CMP拋光工藝的要求越來(lái)越高，甚至達(dá)到了極其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。鈰系稀土拋光液因其切削能力強(qiáng)、拋光精度高、拋光質(zhì)量好、使用壽命長(zhǎng)，在光學(xué)精密拋光領(lǐng)域發(fā)揮了極其重要的作用。吉致電子氧化鈰拋光液的種類(lèi)和固含量可按拋光工件的用途來(lái)分：根據(jù)氧化鈰的含量，氧化鈰拋光液可分為低鈰、中鈰和高鈰拋光液，其切削力和使用壽命也由低到高。1.含95%以上氧化鈰的鈰拋光液呈淡黃色，比重約7.3。主要適用于精密光學(xué)鏡片的

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半導(dǎo)體拋光液--球型二氧化硅拋光液的用途

  球形硅微粉作為拋光液磨料，可大大提高產(chǎn)品的剛性、耐磨性、耐候性、抗沖擊性、耐壓性、抗拉性、阻燃性、良好的耐電弧絕緣性和耐紫外線(xiàn)輻射性。讓我們來(lái)看看球型二氧化硅拋光液在電子芯片中的一些應(yīng)用。  精密研磨粉高純球形硅粉用于光學(xué)器件和光電行業(yè)的精密研磨，特別適用于半導(dǎo)體單晶多晶硅片、顯像管玻殼玻屏、光學(xué)玻璃、液晶顯示器(LCD、LED)玻璃基板、壓電晶體、化合物半導(dǎo)體材料(砷化鎵、磷化銦)、磁性材料等半導(dǎo)體行業(yè)的研磨拋光。  吉致電子用高純球形硅粉制備成的超高純硅溶膠拋光液slurry,

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納米氧化硅拋光液的特點(diǎn)

  納米二氧化硅拋光液由高純納米氧化硅SiO2等多種復(fù)合材料配置而成，通過(guò)電解法或離子交換法制備成納米拋光液，硅拋光液磨料分散性好，具有高強(qiáng)度、高附著力、成膜性好、高滲透、高耐候性、高耐磨性等特點(diǎn)，是一種性能優(yōu)良的CMP拋光材料。廣泛應(yīng)用于金屬或半導(dǎo)體電子封裝拋光工藝中。吉致電子硅拋光液，CMP拋光slurry應(yīng)用范圍：1、可用于微晶玻璃的表面拋光加工中。2、用于硅片的粗拋和精拋以及IC加工過(guò)程，適用于大規(guī)模集成電路多層化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圓的后道CMP清洗等半導(dǎo)體器件的加工過(guò)程、平面顯示器、多

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半導(dǎo)體拋光液---半導(dǎo)體材料有哪些？

  半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為：第一代元素半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導(dǎo)體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因?yàn)榻麕挾却笥?.2eV統(tǒng)稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在國(guó)內(nèi)也稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱(chēng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道&

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陶瓷覆銅板DPC/DBC研磨拋光液工藝

  陶瓷覆銅板的制作工藝主要是DPC工藝和DBC工藝，DPC產(chǎn)品具備線(xiàn)路精準(zhǔn)度高與表面平整度高的特性,非常適用于覆晶/共晶工藝,配合高導(dǎo)熱的陶瓷基體,顯著提升了散熱效率,是最適合高功率、小尺寸發(fā)展需求的陶瓷散熱基板。陶瓷覆銅基板需要用到CMP拋光工藝，利用拋光液和拋光墊達(dá)到表面光潔度或鏡面效果。  CMP拋光液對(duì)陶瓷覆銅基板的拋光研磨，可以做到粗拋、中拋、精拋效果。粗拋工藝，陶瓷覆銅板表面去除率高，快速拋磨。精拋工藝，基板表面無(wú)劃痕，可達(dá)反光鏡面效果。吉致電子針對(duì)陶瓷覆銅板制備的拋光研

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金屬手機(jī)邊框的鏡面拋光方法是什么？

  手機(jī)金屬外殼/手機(jī)邊框材質(zhì)一般為不銹鋼、鈦合金、鋁合金等，如華為\Iphone手機(jī)金屬邊框要達(dá)到完美的鏡面效果需要精拋步驟----手機(jī)鏡面拋光液slurry的主要成份是二氧化硅，二氧化硅拋光液外觀(guān)為乳白色，呈懸浮液狀態(tài)，在拋光過(guò)程中起到收光磨料的作用。  金屬手機(jī)精拋液的主要技術(shù)要求是什么呢？①鏡面拋光液PH值的選擇：PH值高低很可能會(huì)影響到最終的拋光效果，高低差別會(huì)導(dǎo)致手機(jī)金屬工件發(fā)黑氧化，以及麻點(diǎn)和起霧，所以如何控制PH值非常重要。②鏡面拋光液磨粒大小的選擇：氧化硅磨料顆粒大小，直接影響

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碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程

碳化硅襯底CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來(lái)看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤(pán)配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進(jìn)行加工；主要目的是去除線(xiàn)切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對(duì)碳化硅襯底加工采用專(zhuān)門(mén)的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當(dāng)）又可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精

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碳化硅襯底拋光液的特點(diǎn)

碳化硅半導(dǎo)體晶片的制作一般在切片后需要用CMP拋光液進(jìn)行拋光，以移除表面的缺陷與損傷。碳化硅（Sic）晶片以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT）生長(zhǎng)碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關(guān)器件。碳化硅襯底具有碳極性面和硅極性面，因?yàn)樘济媾c硅面的極性不同，所以化學(xué)活性也不同，故雙面cmp拋光速率具有差異。吉致電子碳化硅襯底拋光液（Sic Slurry）為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學(xué)機(jī)械平坦化配制的高精度拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓

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氧化鋁拋光液在藍(lán)寶石窗口中的應(yīng)用

  α -氧化鋁(Al2O3)是眾多氧化鋁晶相中的最穩(wěn)定的晶體相，它由其他晶相的氧化鋁在高溫下轉(zhuǎn)變而成，是天然氧化物晶體中硬度最高的物質(zhì)，硬度僅次于金剛石，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于二氧化硅溶膠顆粒，它是一種常用的拋光用磨料，被廣泛用于許多硬質(zhì)材料的拋光上。應(yīng)用于CMP拋光液制備中，常用于在藍(lán)寶石窗口的鏡面拋光工藝中。 α -氧化鋁(Al2O3)其實(shí)與藍(lán)寶石是同一種物質(zhì)或材料，材料結(jié)構(gòu)中的原子排列模式完全相同，區(qū)別在于多晶體與單晶體。因此，從硬度上講α-氧化鋁(Al2O3)納米粉體與藍(lán)寶石晶體的硬度相當(dāng)，可以用于

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藍(lán)寶石拋光液的成分

  藍(lán)寶石拋光液中的主要成分有磨料、表面活性劑、螯合劑、PH調(diào)節(jié)劑等，拋光液是影響CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）效果最重要的因素之一。評(píng)價(jià)拋光液性能好壞的指標(biāo)是流動(dòng)性好，分散均勻，在規(guī)定時(shí)間內(nèi)不能產(chǎn)生團(tuán)聚、沉淀、分層等問(wèn)題，磨料懸浮性能好，拋光速率快，易清洗且綠色環(huán)保等。  其中，磨料主要影響化學(xué)機(jī)械拋光中的機(jī)械作用。磨料的選用主要從磨料的種類(lèi)、濃度以及粒徑三個(gè)方面來(lái)考慮。目前CMP拋光液中常用的磨料主要有金剛石、氧化鋁、氧化硅等單一磨料，也有氧化硅/氧化鋁混合磨料以及核殼型的復(fù)合磨料等。行業(yè)內(nèi)主流拋光

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CMP拋光液---復(fù)合磨料拋光液

  復(fù)合磨料拋光液  CMP拋光液產(chǎn)品除了混合磨料外，也有利用各種新興材料制備復(fù)合磨料，常用的方法有納米粒子包覆和摻雜等。如通過(guò)結(jié)構(gòu)修飾改善納米粒子的分散性、復(fù)合其他類(lèi)型材料提升在酸、堿性?huà)伖庖褐械木C合性能等。  復(fù)合磨料拋光液相比混合磨料和單一磨料，在材料去除率及表面粗糙度方面均有明顯的優(yōu)勢(shì)，能實(shí)現(xiàn)納米級(jí)或亞納米級(jí)超低損傷的表面形貌。但復(fù)合磨料的制備工藝相對(duì)比較復(fù)雜，目前僅處于實(shí)驗(yàn)室探索階段，距離復(fù)合磨料在大規(guī)模生產(chǎn)上的應(yīng)用還有較遠(yuǎn)的距離。  吉致電子科技25年拋光液生產(chǎn)廠(chǎng)

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