通過往期的資訊大家都又了解到化學機械拋光對目前科技發(fā)展起到廣泛的拋光作用，那么我們在更加的了解下CMP的技術(shù)，化學機械拋光起到重要作用的耗材有兩種拋光墊、拋光液、利用了磨損中的“軟磨硬”的原理，就是用較軟的材料來進行拋光以達到高質(zhì)量的表面。在一定的壓力及拋光液的存在下，被拋光的元件相對于拋光墊作相對運動，借助拋光液的納米顆粒磨料拋光及氧化的作用下進行高精密的平面拋光。

而上普遍認為，器件特征尺寸在0.35 5m以下時，須進行全局平面化以保證光刻影像傳遞的精確度和分辨率，而CMP是目前幾乎一的可以提供全局平面化的技術(shù)。其中拋光液的物理化性質(zhì)、顆粒大小、顆粒分散度及穩(wěn)定性和拋光墊的材質(zhì)、平坦度、硬度、密度、蘊含量等等都對拋光效果有緊密的相關(guān)。CMP作用機理目前還沒有完整的從微觀角度的理淪解釋。但從宏觀上來說，可以解釋如下:將旋轉(zhuǎn)的被拋光晶片壓在與其同方向旋轉(zhuǎn)的彈性拋光墊上，而拋光漿料在晶片與底板之間連續(xù)流動。上下盤高速反向運轉(zhuǎn)，被拋光晶片表面的反應產(chǎn)物被不斷地剝離，新拋光漿料補充進來，反應產(chǎn)物隨拋光漿料帶走。新裸露的品片平面又發(fā)生化學反應，產(chǎn)物再被剝離下來而循環(huán)往復，在襯底、磨粒和化學反應劑的聯(lián)合作用下，形成精表面，要獲得品質(zhì)好的拋光片，須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。

為了進一步更加的了解CMP作用的本質(zhì)，近年來我國外有很多關(guān)于CMP作用微觀機理的研究。列如清華人學王學者、路學者的研究表明中:CMP中主要是低頻、大波長的表面起伏被逐漸消除，而小尺度上的粗糙度并未得到顯著改善;當顆粒直徑在10-25 nm的范圍時，粒徑和粗糙度不存在單調(diào)的增減關(guān)系;桔皮的產(chǎn)生主要是拋光液中堿濃度過高所致。

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