化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓全局平坦化的關鍵工藝，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡單來講，半導體晶圓制程可分為前道和后道 2 個環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測試。

  前道加工領域CMP主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。后道封裝領域CMP 工藝用于先進封裝環(huán)節(jié)的拋光。

  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝段來分可以分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL），前段制程工藝主要為 STI-CMP 和 Poly-CMP，后段制程工藝主要為介質層 ILD-CMP、IMD-CMP 以及金屬層 W-CMP、Cu-CMP 等。

 在后道封裝領域：CMP 用于先進封裝環(huán)節(jié)的拋光，如硅通孔（TSV）技術、 扇出（Fan-Out）技術、2.5D 轉接板（interposer）、3D IC 等封裝技術中對引線尺寸要求 更小更細，因此會引入刻蝕、光刻等工藝，而 CMP 作為每道工藝間的拋光工序，也得以廣 泛應用于先進封裝中。

  CMP技術利用磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來進行拋光以實現(xiàn)高質量的表面拋光，避免了由單純機械拋光造成的表面損傷和由單純化學拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點。由此而見，CMP是先進集成電路制造前道工序、先進封裝等環(huán)節(jié)必需的關鍵制程工藝。

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