化學機械拋光技術初是用于獲得高質量的玻璃表面，如軍用望眼鏡等，它是通過軟磨硬的原理進行拋光，在CMP中，通常是被拋光晶體下壓在拋光墊上與其進行相反的旋轉，而含有磨料和化學反應物的拋光液在晶片和拋光墊之間流動，實現(xiàn)晶片表面層的鈍化和去除，在他們的化學反應下形成精細的表面。但是CMP會受到很多技術影響，比如對不同拋光的材質，化學作用和機械作用對材料去除和表面平整的關系大不相同，比如在典型的二氧化硅拋光中，機械的相互作用起主導作用，而金屬材料的拋光中，即使沒有機械的相互作用，酸性的拋光液也可以溶解金屬表面層，體現(xiàn)出這是化學作用主導的拋光過程。

拋光液所含的化學劑和晶片表面互相作用，然后磨粒沖擊晶片表面獲得機械切除?；瘜W作用在難于被磨損的金屬CMP尤為重要，在金屬拋光的拋光液中可以包含強的刻蝕劑和氧化劑，對金屬產生強沖擊和溶解，另外拋光液中還可以包含鈍化劑以保護表層，比如在銅的拋光中，刻蝕和鈍化的聯(lián)合作用可以形成效率的平整表面。

拋光液對CMP過程有重要作用。在拋光中,其所含的化學物質與晶片表面或亞表面相互作用形成軟化層或者弱鍵,或者對晶片表面產生鈍化反應從而使得材料可以以光滑和均勻的方式被切除,其所含的固體(納米)顆粒對軟化或弱鍵表面的磨損形成精表面。事實上,在CMP中,重要的相互作用就是表層膜的形成與切除(如晶片金屬涂層的氧化與切除)、切除材料從表面帶走等。

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