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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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福吉電子采用精密技術(shù)，提供超高質(zhì)量產(chǎn)品
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子CMP拋光液在光學(xué)玻璃加工中的應(yīng)用進(jìn)展[ 2024-12-11 16:17 ]
  CMP拋光液在光學(xué)玻璃領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在實(shí)現(xiàn)光學(xué)玻璃表面的超精密加工，以滿足對(duì)表面粗糙度和平坦度的高要求。CMP拋光液通過化學(xué)作用和機(jī)械研磨的有機(jī)結(jié)合，能夠有效地去除光學(xué)玻璃表面的材料，達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的效果。隨著光學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)光學(xué)玻璃表面質(zhì)量的要求也越來越高。CMP拋光液/研磨液作為一種先進(jìn)的拋光材料，在光學(xué)玻璃領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。   在CMP拋光過程中，拋光液中的化學(xué)成分與光學(xué)玻璃表面發(fā)生反應(yīng)形成軟質(zhì)層。同時(shí)，拋光液中的磨料微粒，如納米二氧化硅
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子--磷化銦拋光液在半導(dǎo)體CMP制程中的應(yīng)用[ 2024-12-05 16:20 ]
無錫吉致電子科技提供的磷化銦襯底拋光液是一種專門用于半導(dǎo)體材料磷化銦表面處理的CMP化學(xué)機(jī)械拋光漿料。它包含特定的磨料和化學(xué)成分，能夠有效去除磷化銦表面的微小缺陷和不平整，確保獲得光滑、無損傷的表面。磷化銦拋光液在半導(dǎo)體制造過程中非常重要，它直接影響到最終器件的性能和穩(wěn)定性。磷化銦襯底拋光液的選擇和使用是一個(gè)復(fù)雜的過程，需要綜合考慮多個(gè)因素，且在CMP拋磨使用時(shí)，需要根據(jù)磷化銦襯底的具體要求和拋光設(shè)備的特性來選擇合適的InP拋光液，并嚴(yán)格控制拋光過程中的參數(shù)，如溫度、壓力和拋光時(shí)間等。首先，磷化銦CMP拋光液的成分
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[行業(yè)資訊]解鎖高效，硬質(zhì)合金CMP拋光液來襲[ 2024-10-30 16:46 ]
   硬質(zhì)合金是由難熔金屬的硬質(zhì)化合物和粘結(jié)金屬通過粉末冶金工藝制成的一種合金材料。它具有硬度高、耐磨、強(qiáng)度和韌性較好、耐熱、耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，被譽(yù)為“工業(yè)牙齒”，廣泛用于切削工具、刀具、鈷具和耐磨零部件，在軍工、航天航空、機(jī)械加工、冶金、石油鉆井、礦山工具、電子通訊、建筑等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。常用硬質(zhì)合金按成分和性能特點(diǎn)分為三類:鎢鈷類、鎢鈦鈷類、鎢鈦鉭(鈮)類，每種都有其適用的領(lǐng)域和優(yōu)勢。硬質(zhì)合金平面件，如鎢鋼、鎢合金材質(zhì)等使用CMP拋光液和CMP研磨工藝能達(dá)到
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[行業(yè)資訊]杜邦I(lǐng)C1000拋光墊的特點(diǎn)及國產(chǎn)替代[ 2024-10-23 14:50 ]
  在半導(dǎo)體晶圓及芯片的制造過程中，CMP是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝，而IC1000作為一種高性能的拋光墊，為 CMP工藝的順利進(jìn)行提供了有力保障。  杜邦I(lǐng)C1000系列拋光墊能夠存儲(chǔ)和輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域，通過slurry的流動(dòng)和分布使拋光工作持續(xù)均勻地進(jìn)行。在化學(xué)機(jī)械拋光過程中，拋光液中的化學(xué)成分與晶圓表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成較易去除的物質(zhì)，而dupont IC1000 Pad為這一化學(xué)反應(yīng)提供了穩(wěn)定的場所。同時(shí)，IC1000拋光墊能夠去除拋光過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品，如氧化產(chǎn)物
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用[ 2024-10-03 12:06 ]
吉致電子鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導(dǎo)體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關(guān)鍵材料。通過CMP化學(xué)機(jī)械拋光，能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度，為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如，在集成電路的生產(chǎn)中，鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì)，達(dá)到表面平坦化效果，確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學(xué)表面提供高光潔度拋光，因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能，在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學(xué)元件，表面粗糙度極低
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[常見問題]CMP拋光液---半導(dǎo)體拋光液種類有哪些[ 2024-08-09 09:01 ]
  半導(dǎo)體拋光液種類有哪些？CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠(yuǎn)不止晶圓拋光，半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進(jìn)入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達(dá)到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化  STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開各個(gè)門電路，使各門電路之間互不導(dǎo)通，STI CMP工藝的目標(biāo)是去除填充在淺溝槽中的
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[常見問題]吉致電子CMP拋光墊的作用[ 2024-07-18 16:19 ]
CMP技術(shù)是指被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，工件表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過程。cmp拋光液中的化學(xué)成分與被拋磨工件材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對(duì)材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；④維持拋光過程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力學(xué)性能以外，其表面組織
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[行業(yè)資訊]LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液[ 2024-06-06 11:46 ]
鉭酸鋰LiTaO3作為非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現(xiàn)今以光技術(shù)產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。 晶體材料的結(jié)構(gòu)與其光學(xué)性能息息相關(guān)，鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料，具有很高的應(yīng)用價(jià)值。LiTaO3晶體以它的化學(xué)性能穩(wěn)定高（不溶與水），居里點(diǎn)高于600℃，不易出現(xiàn)退極化現(xiàn)象，介電損耗低，探測率優(yōu)值高的優(yōu)良特性，成為熱釋電紅外探測器的應(yīng)用材料。  經(jīng)過CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造，尤其以它良好的機(jī)電耦合、溫度系數(shù)等綜合性
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子主要業(yè)務(wù)及CMP產(chǎn)品有哪些[ 2024-06-04 16:54 ]
吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務(wù)及服務(wù)行業(yè)有：半導(dǎo)體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產(chǎn)品包括：拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產(chǎn)品質(zhì)量嚴(yán)格管控，多年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)技術(shù)，已為數(shù)家百強(qiáng)企業(yè)提供拋光解決方案并長期合作。吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品主要包括以下系列：半導(dǎo)體集成電路：Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /
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[常見問題]CMP化學(xué)機(jī)械拋光在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]
  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體晶圓制造的關(guān)鍵步驟，這項(xiàng)工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達(dá)到半導(dǎo)體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量，CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果，對(duì)提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。  CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高，高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs
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[應(yīng)用案例]吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光[ 2023-12-18 17:58 ]
不銹鋼獲取高質(zhì)量的鏡面的傳統(tǒng)工藝主要采用的拋光技術(shù):電解拋光、化學(xué)拋光和機(jī)械拋光。隨著對(duì)鏡面不銹鋼表面質(zhì)量要求的不斷提高，同時(shí)為了提高拋光效率，新型不銹鋼拋光工藝----CMP化學(xué)機(jī)械拋光 被廣泛應(yīng)用。吉致電子針對(duì)不銹鋼表面鏡面處理，配制組成的CMP拋光液，通過化學(xué)溶液提高不銹鋼表面活性，同時(shí)進(jìn)行高速的機(jī)械拋光，用來消除表面凹凸而獲得更高質(zhì)量的光潔鏡面。CMP化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)環(huán)境污染最小，不銹鋼鏡面拋光質(zhì)量最好，快速有效降低原始工件表面粗糙度，經(jīng)過粗拋和精拋工藝能達(dá)到鏡面效果，無劃傷、無凹坑、無麻點(diǎn)橘皮。根據(jù)金屬的種
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[常見問題]藍(lán)寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液[ 2023-10-31 16:46 ]
  氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應(yīng)用廣泛，如藍(lán)寶石襯底的CMP拋光，為避免大粒徑磨料對(duì)工件造成劃傷，通常選用粒徑為50∼200nm，且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍(lán)寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤，需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果，吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專業(yè)用于藍(lán)寶石拋光，氧化鋁磨料具有分布窄，粒徑小，硬度高、尺寸穩(wěn)定性好，α相轉(zhuǎn)晶完全，團(tuán)聚小易分散等特點(diǎn)。  吉致電子對(duì)α-Al2O3顆粒的Zeta電位，以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類和質(zhì)量都有
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[應(yīng)用案例]氧化鋁陶瓷拋光液鏡面拋光[ 2023-10-20 16:16 ]
  氧化鋁陶瓷片的表面拋光具有一定難度，原因有兩個(gè)，一是氧化鋁材質(zhì)硬度較高，難以研磨。其二，氧化鋁陶瓷表面吸光性較強(qiáng)，普通拋光難以達(dá)到鏡面效果。這就使得氧化鋁陶瓷拋光的難度無限擴(kuò)大，針對(duì)這些加工難點(diǎn)，吉致電子已經(jīng)具備成熟的拋光工藝和產(chǎn)品，有完善的氧化鋁陶瓷拋光方案。  客戶的氧化鋁陶瓷片，要求做鏡面加工。拋光氧化鋁陶瓷都是采用鐵盤開粗，然后用白布拋光，但是這種效率非常慢，白布拋光要耗費(fèi)30-40分鐘后才能達(dá)到鏡面，效率太低是批量加工無法接受的。吉致電子CMP拋光液和拋光墊結(jié)合，可以快速磨拋氧化鋁
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[吉致動(dòng)態(tài)]生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液[ 2023-09-28 16:01 ]
生物基因芯片拋光該選擇什么類型的研磨液/拋光液呢？通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等，但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經(jīng)過吉致電子研發(fā)和實(shí)驗(yàn)，配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達(dá)到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級(jí)磨料，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過CMP工藝可有效去除基底涂層，對(duì)基底無劃傷無殘留，吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國內(nèi)外同類產(chǎn)品相比，具有易清洗、表面粗糙度
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[常見問題]半導(dǎo)體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別[ 2023-08-18 16:58 ]
  常用的半導(dǎo)體拋光液，按拋光對(duì)象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應(yīng)用于 130nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)邏輯芯片的制造工藝，而鎢拋光液W slurry則大量應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片制造工藝，在邏輯芯片中用量較少。  銅拋光液，主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來腐蝕溶解銅表面，成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜，鈍化膜的形成可以保護(hù)腐蝕劑的進(jìn)一步腐蝕，并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外，CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學(xué)試劑以調(diào)節(jié)PH值，為拋光過程
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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體先進(jìn)制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進(jìn)行中[ 2023-06-23 11:09 ]
  國內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起加速推動(dòng)了半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化進(jìn)程。在政策、資金以及市場需求的帶動(dòng)下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，帶動(dòng)上游材料需求增長。先進(jìn)制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增，國產(chǎn)替代進(jìn)行中。  CMP拋光墊（CMP PAD）一般分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等，高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導(dǎo)體制作、平面顯示器、玻璃光學(xué)、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè)，目前主要型號(hào)有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n
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[行業(yè)資訊]CMP在半導(dǎo)體晶圓制程中的作用[ 2023-06-21 14:10 ]
  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是實(shí)現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機(jī)和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實(shí)現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級(jí)全局平坦化。簡單來講，半導(dǎo)體晶圓制程可分為前道和后道 2 個(gè)環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注
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[常見問題]CMP常用化學(xué)拋光液有哪些[ 2023-05-17 10:42 ]
   CMP技術(shù)（化學(xué)機(jī)械研磨）是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中非常重要的一項(xiàng)技術(shù)，在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用最多，通過CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質(zhì)，達(dá)到工件表面平坦化，保證晶體管等器件的性能穩(wěn)定性。   拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分，它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物，以達(dá)到平坦化的效果。CMP常用化學(xué)拋光液有哪些？常見的CMP化學(xué)拋光液有氧化鋁（Al2O3）、氧化硅（SiO2）、氧化鈰（CeO2）氮化硅（Si3N4）等。不同的
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[常見問題]藍(lán)寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實(shí)現(xiàn)高平坦度表面[ 2023-04-26 11:10 ]
  吉致電子藍(lán)寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍(lán)寶石拋光液。專業(yè)用于藍(lán)寶石襯底、外延片、窗口、藍(lán)寶石wafer的減薄和拋光。藍(lán)寶石拋光液由純度高的磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結(jié)晶、拋光速度快的優(yōu)點(diǎn)。   通過CMP工藝搭配藍(lán)寶石專用slurry可實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會(huì)對(duì)加工件造成物理損傷,達(dá)到精密加工。藍(lán)寶石CMP拋光液的低金屬的成分，可以有效防止產(chǎn)品受到污染。  &n
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[應(yīng)用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]
  根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)工藝不同，CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液、銅化學(xué)機(jī)械拋光液、硅化學(xué)機(jī)械拋光液、鎢化學(xué)機(jī)械拋光液、TSV化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液等。  SIC CMP拋光液是半導(dǎo)體晶圓制造過程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨過程中起著關(guān)鍵作用，拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。  近年來，在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下，碳化硅襯底應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大、市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，進(jìn)而帶動(dòng)
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