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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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福吉電子采用精密技術(shù),提供超高質(zhì)量產(chǎn)品
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[常見問題]半導(dǎo)體CMP工藝核心:金屬互聯(lián)層與介質(zhì)層Slurry拋光液的類型劃分[ 2025-08-28 16:59 ]
在半導(dǎo)體芯片制造中,化學(xué)機械拋光CMP是關(guān)鍵工藝,其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材,直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無論是 導(dǎo)線;(互連層)還是絕緣骨架(介質(zhì)層),都需靠它實現(xiàn)精準(zhǔn)平整。下面吉致電子小編就來拆解下半導(dǎo)體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質(zhì)層CMP拋光液的類型和應(yīng)用場景。一、金屬互連層CMP拋光液(后端 BEOL 核心)核心需求是選擇性除金屬、護絕緣 / 阻擋層,主流類型有:銅(Cu)CMP 拋光液14n
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液廠家:半導(dǎo)體拋光液解決方案--吉致電子科技[ 2025-08-12 11:38 ]
無錫吉致電子科技有限公司作為國內(nèi)CMP拋光耗材專業(yè)制造商,多年研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗,致力于為半導(dǎo)體、集成電路、3D封裝等領(lǐng)域提供高性能化學(xué)機械拋光解決方案。CMP Slurry系列涵蓋射頻濾波器拋光液、鎢拋光液、銅拋光液、淺槽隔離(STI)拋光液以及TSV硅通孔專用拋光液等,廣泛應(yīng)用于邏輯芯片、3D NAND、DRAM等先進制程的量產(chǎn)環(huán)節(jié)。一、吉致電子半導(dǎo)體拋光液產(chǎn)品特點CMP拋光液產(chǎn)品具備以下優(yōu)勢:卓越的懸浮穩(wěn)定性:顆粒分散均勻,不易沉淀和團聚,使用方便,有效避免因顆粒團聚導(dǎo)致的工件表面劃傷缺陷。化學(xué)-機械協(xié)同作用:通過
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液斷供危機?吉致電子國產(chǎn)替代方案降本30%+[ 2025-08-08 15:56 ]
在半導(dǎo)體制造過程中,CMP化學(xué)機械平坦化拋光液(Slurry)是晶圓表面平坦化的關(guān)鍵材料,直接影響芯片的性能和良率。長期以來,這一市場被海外巨頭壟斷,主要供應(yīng)商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦斷供可能導(dǎo)致生產(chǎn)線停滯,嚴重影響芯片交付。面對這一挑戰(zhàn),吉致電子作為國內(nèi)高端電子材料供應(yīng)商,已實現(xiàn)中高端CMP拋光液的自主研發(fā)與量產(chǎn),為國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供堅實保障。國產(chǎn)CMP拋光液的六大核心優(yōu)勢1. 顯著成本優(yōu)勢,降低企業(yè)采購壓力價格競爭力強:吉致電子CMP拋光液比進口產(chǎn)品低20%-30%,大幅降低半導(dǎo)體廠商的材
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[行業(yè)資訊]Apple Logo鏡面拋光秘訣:吉致電子金屬CMP拋光液解決方案[ 2025-07-25 15:25 ]
在高端消費電子領(lǐng)域,3C產(chǎn)品的每一個細節(jié)都至關(guān)重要。無論是iPhone的背面Logo,還是MacBook的金屬標(biāo)志,鏡面級的拋光效果不僅提升了產(chǎn)品的質(zhì)感,更代表了品牌對極致的追求。吉致電子金屬Logo拋光液專為鈦合金、鋁合金、不銹鋼等材質(zhì)的標(biāo)志拋光而研發(fā),通過化學(xué)機械拋光(CMP)工藝,幫助客戶實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的鏡面效果,尤其適用于Apple產(chǎn)品標(biāo)志的高標(biāo)準(zhǔn)要求。為什么選擇吉致電子Logo拋光液?1. 納米級拋光,鏡面效果卓越采用納米級磨料,確保拋光均勻性,避免劃痕、麻點等問題。適用于粗磨、細磨、拋光全流程,顯著提升
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[行業(yè)資訊]光儲行業(yè)玻璃硬盤CMP拋光解決方案[ 2025-07-22 16:50 ]
一、玻璃硬盤CMP拋光液的技術(shù)原理CMP拋光是一種結(jié)合化學(xué)腐蝕和機械研磨的精密表面處理技術(shù)。對于玻璃硬盤基板而言,CMP拋光過程涉及復(fù)雜的物理化學(xué)相互作用:化學(xué)作用:拋光液中的化學(xué)組分與玻璃表面發(fā)生反應(yīng),生成易于去除的軟化層或反應(yīng)產(chǎn)物。對于硅酸鹽玻璃,通常涉及Si-O鍵的水解和離子交換反應(yīng)。機械作用:拋光墊和研磨顆粒通過機械摩擦去除表面反應(yīng)層,同時暴露出新鮮表面繼續(xù)參與化學(xué)反應(yīng)。協(xié)同效應(yīng):理想的拋光過程要求化學(xué)腐蝕速率與機械去除速率達到動態(tài)平衡,以獲得超光滑無損傷的表面。二、玻璃硬盤對CMP拋光液的性能要求為滿足高
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[行業(yè)資訊]吉致電子:以創(chuàng)新CMP拋光液技術(shù)賦能碳化硅襯底新時代[ 2025-06-24 17:06 ]
隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,碳化硅(SiC)襯底憑借其卓越性能,正在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域掀起技術(shù)革命。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料解決方案提供商,吉致電子深耕碳化硅襯底CMP拋光液研發(fā),為行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。碳化硅襯底:高端應(yīng)用行業(yè)的基石碳化硅襯底因其寬禁帶、高導(dǎo)熱等特性,成為制造高壓、高溫、高頻器件的理想選擇。在新能源汽車領(lǐng)域,采用SiC襯底的功率模塊可使逆變器效率提升5-10%;在5G基站中,基于SiC襯底的射頻器件能顯著提升信號傳輸效率。這些高端應(yīng)用對襯底表面質(zhì)量提出嚴苛要
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[吉致動態(tài)]國產(chǎn)替代|吉致電子硅片CMP拋光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]
一、CMP拋光技術(shù):半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵工藝化學(xué)機械拋光(Chemical Mechanical Planarization, CMP)是半導(dǎo)體硅片制造的核心工藝之一,直接影響芯片性能與良率。在硅片加工過程中,CMP通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用,實現(xiàn)原子級表面平坦化(粗糙度<0.2nm),滿足先進制程對晶圓表面超潔凈、超平整的要求。吉致電子CMP拋光液的三大核心作用①高效拋光:納米級磨料(如膠體SiO2)精準(zhǔn)去除表面凸起,提升硅片平整度,減少微劃痕。②潤滑保護:特殊添加劑降低摩擦系數(shù)(<0.05),減少
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[吉致動態(tài)]吉致電子:半導(dǎo)體陶瓷CMP工藝拋光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]
在半導(dǎo)體陶瓷的化學(xué)機械拋光(CMP)工藝中,吉致電子(JEEZ Electronics)作為國產(chǎn)CMP耗材供應(yīng)商,其拋光液(Slurry)和拋光墊(Polishing Pad)等產(chǎn)品可應(yīng)用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是結(jié)合吉致電子的技術(shù)特點,半導(dǎo)體陶瓷CMP中的潛在應(yīng)用方案:吉致電子CMP拋光液在半導(dǎo)體陶瓷中的應(yīng)用半導(dǎo)體陶瓷CMP研磨拋光漿料特性與適配性CMP Slurry磨料類型:納米氧化硅(SiO2)漿料:適用于SiC、GaN等硬質(zhì)陶瓷,通過表面氧化反應(yīng)(如SiC + H2O2 → SiO2 +
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[常見問題]如何解決二氧化硅拋光液結(jié)晶問題?吉致電子CMP拋光專家支招[ 2025-05-08 17:28 ]
在半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃等精密制造領(lǐng)域,二氧化硅(SiO2)拋光液因其高精度、低損傷的特性被廣泛應(yīng)用。然而,拋光液在存儲或使用過程中可能出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊現(xiàn)象,輕則影響拋光效果,重則導(dǎo)致工件劃傷甚至報廢。如何有效避免和解決這一問題?吉致電子憑借多年CMP拋光液研發(fā)經(jīng)驗,為您提供專業(yè)解決方案!一、結(jié)晶原因分析二氧化硅拋光液以高純度硅粉為原料,通過水解法制備,其膠體粒子在水性環(huán)境中形成穩(wěn)定的離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。但若水分流失、溫度波動或pH失衡,粒子會迅速聚集形成硬質(zhì)結(jié)晶。主要誘因包括:存儲不當(dāng)(溫度過高/過低、未密封)拋光液停滯(流動不
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[行業(yè)資訊]吉致電子:鎢CMP拋光液組成與應(yīng)用解析[ 2025-04-25 10:52 ]
鎢CMP拋光液:半導(dǎo)體關(guān)鍵制程材料的技術(shù)解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術(shù)背景鎢化學(xué)機械拋光液(Tungsten CMP Slurry)是用于半導(dǎo)體先進制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料,通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用,實現(xiàn)納米級表面精度(Ra<0.5nm),滿足高密度集成電路(IC)對互連結(jié)構(gòu)的苛刻要求。2. 核心組分與作用機理3. 關(guān)鍵性能指標(biāo)去除速率:200-600 nm/min(可調(diào),適配不同工藝節(jié)點)非均勻性(WIWNU):<3% @300mm晶圓選擇
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[行業(yè)資訊]金剛石研磨液在CMP工藝中的應(yīng)用與優(yōu)勢[ 2025-04-01 15:37 ]
化學(xué)機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃、陶瓷、硬質(zhì)合金及精密制造行業(yè)的關(guān)鍵工藝,用于實現(xiàn)材料表面的超精密平坦化。針對藍寶石、碳化硅(SiC)、硬質(zhì)合金等高硬度材料的加工需求,傳統(tǒng)研磨液難以滿足高精度、低損傷的要求,因此CMP拋光液、CMP拋光墊是滿足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金剛石研磨液憑借其超硬特性和穩(wěn)定可控性,通過精準(zhǔn)調(diào)控化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應(yīng)(Chemo-Mechanical Synergy)實現(xiàn)實現(xiàn)亞納米級表面。1. 金剛石CMP研
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[吉致動態(tài)]吉致電子半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]
在半導(dǎo)體制造工藝中,化學(xué)機械拋光(CMP)是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟,而拋光液(Slurry)的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進工藝,對CMP拋光液的化學(xué)穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商,吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術(shù),助力客戶突破先進制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學(xué)添加劑和超純水組成,通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用實現(xiàn)晶圓表面納米級平坦化。磨料顆粒:SiO?(二氧化硅):廣泛用于氧化物拋光,具有高
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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry:精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關(guān)鍵材料,廣泛應(yīng)用于化學(xué)機械拋光CMP工藝中。它通過獨特的機械研磨與化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的方式,幫助實現(xiàn)晶圓表面的納米級平坦化,為高性能半導(dǎo)體器件的制造提供了重要保障。什么是半導(dǎo)體CMP拋光液Slurry? 半導(dǎo)體Slurry是一種由研磨顆粒、化學(xué)添加劑和液體介質(zhì)組成的精密材料。在CMP工藝中
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液:從第一代到第三代半導(dǎo)體材料的精密拋光利器[ 2025-03-14 15:21 ]
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,化學(xué)機械拋光(CMP)工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料,不僅廣泛應(yīng)用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導(dǎo)體材料,如硅(Si)和砷化鎵(GaAs),更在第三代半導(dǎo)體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導(dǎo)體材料中的應(yīng)用第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石和氮化鋁(AlN)為代表,具有寬禁帶、高導(dǎo)熱率、抗輻射能力強、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出,成為5G基站、新能
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[常見問題]半導(dǎo)體銅CMP拋光液:銅互連工藝的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]
半導(dǎo)體銅化學(xué)機械拋光液(Copper CMP Slurry)是用于半導(dǎo)體制造過程中銅互連層化學(xué)機械拋光(CMP)的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能,取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關(guān)重要的作用,確保銅層平整化并實現(xiàn)多層互連結(jié)構(gòu),CU CMP Slurry通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的結(jié)合,實現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質(zhì)量控制。。 一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成:主要磨料顆粒(Abrasive Particles)有二氧化硅(
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[行業(yè)資訊]CMP拋光液:精密光學(xué)鏡頭制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]
CMP(化學(xué)機械拋光)技術(shù)在光學(xué)制造領(lǐng)域確實扮演著至關(guān)重要的角色,尤其是在高精度光學(xué)元件的加工中。CMP拋光液通過化學(xué)腐蝕和機械研磨的結(jié)合,能夠?qū)崿F(xiàn)光學(xué)玻璃表面的超平滑處理,滿足現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)對表面粗糙度和形狀精度的嚴苛要求。 吉致電子光學(xué)玻璃CMP Slurry的應(yīng)用領(lǐng)域:①精密光學(xué)鏡頭:在手機攝像頭、顯微鏡、望遠鏡等光學(xué)系統(tǒng)中,通過CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學(xué)鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化,成像質(zhì)量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質(zhì)量。②航空航天光學(xué)窗口:航空航天光學(xué)窗口面臨復(fù)雜空間環(huán)
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[行業(yè)資訊]吉致電子:SIC碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案[ 2025-01-23 17:18 ]
SiC CMP拋光液是一種用于對碳化硅襯底進行化學(xué)機械拋光的關(guān)鍵材料,通過化學(xué)腐蝕和機械磨損的協(xié)同作用,實現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化,從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量,達到超光滑、無缺陷損傷的狀態(tài),滿足外延應(yīng)用等對襯底表面質(zhì)量的嚴苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案:①碳化硅硬度高:碳化硅硬度僅次于金剛石,這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方,以提高對碳化硅的去除速率。例如,采用高硬度、高活性的磨料,并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀,同時調(diào)整化學(xué)試劑的種類和濃度,增強
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[吉致動態(tài)]吉致電子CMP拋光液在光學(xué)玻璃加工中的應(yīng)用進展[ 2024-12-11 16:17 ]
  CMP拋光液在光學(xué)玻璃領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在實現(xiàn)光學(xué)玻璃表面的超精密加工,以滿足對表面粗糙度和平坦度的高要求。CMP拋光液通過化學(xué)作用和機械研磨的有機結(jié)合,能夠有效地去除光學(xué)玻璃表面的材料,達到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的效果。隨著光學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,對光學(xué)玻璃表面質(zhì)量的要求也越來越高。CMP拋光液/研磨液作為一種先進的拋光材料,在光學(xué)玻璃領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。   在CMP拋光過程中,拋光液中的化學(xué)成分與光學(xué)玻璃表面發(fā)生反應(yīng)形成軟質(zhì)層。同時,拋光液中的磨料微粒,如納米二氧化硅
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[吉致動態(tài)]吉致電子--磷化銦拋光液在半導(dǎo)體CMP制程中的應(yīng)用[ 2024-12-05 16:20 ]
無錫吉致電子科技提供的磷化銦襯底拋光液是一種專門用于半導(dǎo)體材料磷化銦表面處理的CMP化學(xué)機械拋光漿料。它包含特定的磨料和化學(xué)成分,能夠有效去除磷化銦表面的微小缺陷和不平整,確保獲得光滑、無損傷的表面。磷化銦拋光液在半導(dǎo)體制造過程中非常重要,它直接影響到最終器件的性能和穩(wěn)定性。磷化銦襯底拋光液的選擇和使用是一個復(fù)雜的過程,需要綜合考慮多個因素,且在CMP拋磨使用時,需要根據(jù)磷化銦襯底的具體要求和拋光設(shè)備的特性來選擇合適的InP拋光液,并嚴格控制拋光過程中的參數(shù),如溫度、壓力和拋光時間等。首先,磷化銦CMP拋光液的成分
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[行業(yè)資訊]解鎖高效,硬質(zhì)合金CMP拋光液來襲[ 2024-10-30 16:46 ]
   硬質(zhì)合金是由難熔金屬的硬質(zhì)化合物和粘結(jié)金屬通過粉末冶金工藝制成的一種合金材料。它具有硬度高、耐磨、強度和韌性較好、耐熱、耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能,被譽為“工業(yè)牙齒”,廣泛用于切削工具、刀具、鈷具和耐磨零部件,在軍工、航天航空、機械加工、冶金、石油鉆井、礦山工具、電子通訊、建筑等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。常用硬質(zhì)合金按成分和性能特點分為三類:鎢鈷類、鎢鈦鈷類、鎢鈦鉭(鈮)類,每種都有其適用的領(lǐng)域和優(yōu)勢。硬質(zhì)合金平面件,如鎢鋼、鎢合金材質(zhì)等使用CMP拋光液和CMP研磨工藝能達到
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