CMP拋光液的流速快慢會有什么影響？今天，吉致電子小編就給大家解釋一下拋光液流動性的影響。

  現代芯片制造領域有兩種相互矛盾的趨勢:待加工的工件尺寸越來越大，但要求的加工精度卻越來越高。比如下一代集成電路中的晶圓直徑要大于300mm，但表面粗糙度和波紋度要小于幾埃，下一代磁盤的劃痕深度和粗糙度要≤1nm和≤0.1nm，因此有必要對材料進行分子去除。

  拋光液中所含的化學物質與晶片表面或亞表面相互作用，形成軟化層或弱結合，或在晶片表面產生鈍化反應，使材料被平滑均勻地去除，拋光液中的固體(納米)顆粒對工件軟化或弱鍵表面進行磨損以達到鏡面拋光的效果。事實上，在CMP拋光中重要的相互作用是在利用拋光液在工件表面形成氧化膜和去除的過程(例如氧化和去除晶片上的金屬涂層)。拋光液的流動性能與cmp拋光原理相結合，更容易被理解。

  拋光液的流變性對拋光速率和拋光質量起著重要的作用。大多數晶圓拋光液含有固體顆粒，如氧化硅溶膠（二氧化硅拋光液），可以達到晶圓表面高平整度，磨料改變拋光液漿料的流變性質。從物理上講，微流體是指一種流體:由剛性的、隨機取向的粒子(或球體)組成，粒子懸浮在粘性介質中，而粒子本身的變形可以忽略不計。因為二氧化硅顆粒通常是球型狀態(tài)，所以用微流體來表征。

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