到目前為止，要實(shí)現(xiàn)大尺寸的硬盤(pán)、硅片等的高精度拋光，化學(xué)機(jī)械拋光是一能滿足全局和局部高別平面度的技術(shù)?；瘜W(xué)機(jī)械拋光中重要的問(wèn)題是使拋光液在拋光墊和晶片之間均勻分部，目前CMP的拋光液通常使用球形納米顆粒來(lái)加速切除和優(yōu)化拋光質(zhì)量，微性將提高拋光液的等效粘度從而在一定程度上提高承載能力，進(jìn)而加速材料的去除，這在低節(jié)距或低轉(zhuǎn)速下尤為明顯。

拋光液的流變性能對(duì)去除率和拋光質(zhì)量有重要作用.大多數(shù)的拋光液都含有固體粒子,如膠體 SiO2拋光液,可達(dá)到高的平整度,這樣改變了其流變性能.從物理上講,微流體是指這樣一類(lèi)流體:它由剛性、隨機(jī)取向粒子(或者為球體)構(gòu)成,粒子懸浮于粘性介質(zhì)中,而粒子本身的變形可忽略不計(jì).由于SiO2粒子通常以球形存在,用微流體來(lái)表征這種流體是一個(gè)較好的選擇。

增加節(jié)距高度值(即晶片與拋光墊之間的距離),將導(dǎo)致承載能力的降低,所以在CMP中需要慎重選擇合適的間隙值(過(guò)大的間隙將降低承載能力,從而降低拋光速率,而過(guò)小的間隙將妨礙拋光液中固體顆粒和磨屑的帶出,從而惡化拋光質(zhì)量).另外,納米粒子引起的微性將增加承載能力,增加特征長(zhǎng)度l或耦合數(shù)N都將增加承載能力.間隙值越小,這種效應(yīng)越明顯,體現(xiàn)出微性的尺寸依賴(lài)性。

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