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碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝?

文章出處:責任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2024-03-12 14:47【

  碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝?SiC碳化硅襯底研磨拋工藝和設備使用CMP化學(xué)機械研磨工藝,耗材有CMP專(zhuān)用碳化硅研磨液/拋光液/研磨墊/拋光墊。

  碳化硅SiC是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

  第三代半導體,由于在物理結構上具有能級禁帶寬的特點(diǎn),又稱(chēng)為寬禁帶半導體,主要是以氮化鎵和碳化硅為代表,其在半導體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區別,使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢,從而能夠開(kāi)發(fā)出更適應高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導體器件,可有效突破傳統硅基功率半導體器件及其材料的物理極限。

  化學(xué)機械拋光(CMP)技術(shù)是目前半導體加工的重要手段,也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑最有效的工藝方法。CMP的加工效率主要由工件表面的化學(xué)反應速率決定。通過(guò)研究工藝參數對SiC材料拋光速率的影響,結果表明:旋轉速率和拋光壓力的影響較大;溫度和拋光液pH值的影響不大。碳化硅使用CMP工藝是能在加工過(guò)程中同時(shí)實(shí)現局部和全局平坦化的唯一實(shí)用技術(shù)。

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