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[行業(yè)資訊]吉致電子砷化鎵襯底CMP拋光液 | 高平坦度低缺陷半導體slurry[ 2025-10-21 11:35 ]

吉致電子CMP拋光耗材廠家——精準匹配半導體高端材料拋光需求在半導體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，砷化鎵GaAs作為第二代半導體材料的代表，因其優(yōu)異的電子遷移率和直接帶隙特性，在射頻前端、光電器件和高速集成電路中扮演著不可替代的角色。然而，砷化鎵襯底的高效精密拋光一直是行業(yè)面臨的重大挑戰(zhàn)。砷化鎵CMP拋光的核心挑戰(zhàn)砷化鎵材料由兩種硬度和化學性質差異顯著的原子構成，在拋光過程中容易產(chǎn)生晶格損傷、表面粗糙和化學計量比失衡等問題。傳統(tǒng)的拋光工藝難以同時實現(xiàn)全局平坦化、低表面損傷和高材料去除率，這直接影響著后

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[常見問題]碳化硅SiC襯底CMP拋光液拋光墊[ 2025-10-15 14:55 ]

一、碳化硅CMP工藝：精密制造的“表面革命”碳化硅（SiC）以其優(yōu)異的耐高溫、高擊穿場強特性，成為半導體功率器件、新能源汽車電子等高端領域的核心材料。而化學機械拋光（CMP）作為實現(xiàn)碳化硅襯底原子級光滑表面的關鍵工藝，其核心效能直接由拋光液與拋光墊兩大耗材決定。吉致電子深耕CMP材料領域多年，針對碳化硅襯底拋光的4道核心制程，打造了全系列適配的拋光液Slurry與拋光墊Pad產(chǎn)品，實現(xiàn)“高效去除”與“超精表面”的完美平衡。二、碳化硅拋光液：化學

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[吉致動態(tài)]吉致電子CMP晶圓拋光液的特性與選型指南[ 2025-10-11 16:15 ]

在晶圓制造的全局平面化環(huán)節(jié)，化學機械拋光（CMP）是關鍵工藝，而CMP拋光液作為核心耗材，直接決定晶圓表面平整度、缺陷率等關鍵指標，影響芯片最終性能與良率。吉致電子小編根據(jù)CMP拋光液的核心優(yōu)勢與選型方向，為半導體制造企業(yè)提供實用參考。一、CMP拋光液的4大核心特性CMP拋光液由磨料、氧化劑、螯合劑等組分復配而成，需兼顧“化學腐蝕”與“機械研磨”協(xié)同作用，核心特性可概括為：1.化學-機械協(xié)同精準可控拋光時，氧化劑先將晶圓表面材料氧化為易去除的氧化物，螯合劑與氧化物形成

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[行業(yè)資訊]吉致電子鉬片CMP拋光液—高效低損傷，適配高精度鉬加工[ 2025-09-23 11:39 ]

鉬片的CMP化學機械拋光工藝是實現(xiàn)其高精度表面制備的核心技術，尤其適用于半導體、航空航天等對鉬片/鉬圓/鉬襯底表面粗糙度、平坦度要求嚴苛的領域。鉬合金工件的CMP加工及拋光液推薦需結合工藝原理、應用場景及實際生產(chǎn)需求綜合分析：一、鉬片CMP工藝的核心優(yōu)點CMP的本質是“化學腐蝕 + 機械研磨”的協(xié)同作用，相比傳統(tǒng)機械拋光（如砂輪拋光、金剛石刀具拋光）或純化學拋光/電解拋光等，CMP工藝在鉬片加工中展現(xiàn)出不可替代的優(yōu)勢：1.表面質量極高，滿足精密領域需求鉬作為高硬度金屬（莫氏硬度5.5，熔點2

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[常見問題]半導體CMP工藝核心：金屬互聯(lián)層與介質層Slurry拋光液的類型劃分[ 2025-08-28 16:59 ]

在半導體芯片制造中，化學機械拋光CMP是關鍵工藝，其中CMP Slurry拋光液就是核心耗材，直接決定芯片平整度、電路可靠性與性能。無論是導線;（互連層）還是絕緣骨架（介質層），都需靠它實現(xiàn)精準平整。下面吉致電子小編就來拆解下半導體CMP拋光液的中金屬互聯(lián)層及介質層CMP拋光液的類型和應用場景。一、金屬互連層CMP拋光液（后端 BEOL 核心）核心需求是選擇性除金屬、護絕緣 / 阻擋層，主流類型有：銅（Cu）CMP 拋光液14n

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[行業(yè)資訊]CMP拋光液廠家：半導體拋光液解決方案--吉致電子科技[ 2025-08-12 11:38 ]

無錫吉致電子科技有限公司作為國內(nèi)CMP拋光耗材專業(yè)制造商，多年研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，致力于為半導體、集成電路、3D封裝等領域提供高性能化學機械拋光解決方案。CMP Slurry系列涵蓋射頻濾波器拋光液、鎢拋光液、銅拋光液、淺槽隔離(STI)拋光液以及TSV硅通孔專用拋光液等，廣泛應用于邏輯芯片、3D NAND、DRAM等先進制程的量產(chǎn)環(huán)節(jié)。一、吉致電子半導體拋光液產(chǎn)品特點CMP拋光液產(chǎn)品具備以下優(yōu)勢：卓越的懸浮穩(wěn)定性：顆粒分散均勻，不易沉淀和團聚，使用方便，有效避免因顆粒團聚導致的工件表面劃傷缺陷?；瘜W-機械協(xié)同作用：通過

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[行業(yè)資訊]CMP拋光液斷供危機？吉致電子國產(chǎn)替代方案降本30%+[ 2025-08-08 15:56 ]

在半導體制造過程中，CMP化學機械平坦化拋光液（Slurry）是晶圓表面平坦化的關鍵材料，直接影響芯片的性能和良率。長期以來，這一市場被海外巨頭壟斷，主要供應商如Cabot、杜邦、富士美等。一旦斷供可能導致生產(chǎn)線停滯，嚴重影響芯片交付。面對這一挑戰(zhàn)，吉致電子作為國內(nèi)高端電子材料供應商，已實現(xiàn)中高端CMP拋光液的自主研發(fā)與量產(chǎn)，為國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供堅實保障。國產(chǎn)CMP拋光液的六大核心優(yōu)勢1. 顯著成本優(yōu)勢，降低企業(yè)采購壓力價格競爭力強：吉致電子CMP拋光液比進口產(chǎn)品低20%-30%，大幅降低半導體廠商的材

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[行業(yè)資訊]Apple Logo鏡面拋光秘訣:吉致電子金屬CMP拋光液解決方案[ 2025-07-25 15:25 ]

在高端消費電子領域，3C產(chǎn)品的每一個細節(jié)都至關重要。無論是iPhone的背面Logo，還是MacBook的金屬標志，鏡面級的拋光效果不僅提升了產(chǎn)品的質感，更代表了品牌對極致的追求。吉致電子金屬Logo拋光液專為鈦合金、鋁合金、不銹鋼等材質的標志拋光而研發(fā)，通過化學機械拋光（CMP）工藝，幫助客戶實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的鏡面效果，尤其適用于Apple產(chǎn)品標志的高標準要求。為什么選擇吉致電子Logo拋光液？1. 納米級拋光，鏡面效果卓越采用納米級磨料，確保拋光均勻性，避免劃痕、麻點等問題。適用于粗磨、細磨、拋光全流程，顯著提升

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[行業(yè)資訊]光儲行業(yè)玻璃硬盤CMP拋光解決方案[ 2025-07-22 16:50 ]

一、玻璃硬盤CMP拋光液的技術原理CMP拋光是一種結合化學腐蝕和機械研磨的精密表面處理技術。對于玻璃硬盤基板而言，CMP拋光過程涉及復雜的物理化學相互作用：化學作用：拋光液中的化學組分與玻璃表面發(fā)生反應，生成易于去除的軟化層或反應產(chǎn)物。對于硅酸鹽玻璃，通常涉及Si-O鍵的水解和離子交換反應。機械作用：拋光墊和研磨顆粒通過機械摩擦去除表面反應層，同時暴露出新鮮表面繼續(xù)參與化學反應。協(xié)同效應：理想的拋光過程要求化學腐蝕速率與機械去除速率達到動態(tài)平衡，以獲得超光滑無損傷的表面。二、玻璃硬盤對CMP拋光液的性能要求為滿足高

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[行業(yè)資訊]吉致電子：以創(chuàng)新CMP拋光液技術賦能碳化硅襯底新時代[ 2025-06-24 17:06 ]

隨著第三代半導體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，碳化硅(SiC)襯底憑借其卓越性能，正在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領域掀起技術革命。作為國內(nèi)領先的半導體材料解決方案提供商，吉致電子深耕碳化硅襯底CMP拋光液研發(fā)，為行業(yè)提供高性能、高穩(wěn)定性的拋光解決方案。碳化硅襯底：高端應用行業(yè)的基石碳化硅襯底因其寬禁帶、高導熱等特性，成為制造高壓、高溫、高頻器件的理想選擇。在新能源汽車領域，采用SiC襯底的功率模塊可使逆變器效率提升5-10%；在5G基站中，基于SiC襯底的射頻器件能顯著提升信號傳輸效率。這些高端應用對襯底表面質量提出嚴苛要

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[吉致動態(tài)]國產(chǎn)替代｜吉致電子硅片CMP拋光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]

一、CMP拋光技術：半導體制造的關鍵工藝化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半導體硅片制造的核心工藝之一，直接影響芯片性能與良率。在硅片加工過程中，CMP通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)原子級表面平坦化（粗糙度<0.2nm），滿足先進制程對晶圓表面超潔凈、超平整的要求。吉致電子CMP拋光液的三大核心作用①高效拋光：納米級磨料（如膠體SiO2）精準去除表面凸起，提升硅片平整度，減少微劃痕。②潤滑保護：特殊添加劑降低摩擦系數(shù)（<0.05），減少

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[吉致動態(tài)]吉致電子：半導體陶瓷CMP工藝拋光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]

在半導體陶瓷的化學機械拋光（CMP）工藝中，吉致電子（JEEZ Electronics）作為國產(chǎn)CMP耗材供應商，其拋光液（Slurry）和拋光墊（Polishing Pad）等產(chǎn)品可應用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是結合吉致電子的技術特點，半導體陶瓷CMP中的潛在應用方案：吉致電子CMP拋光液在半導體陶瓷中的應用半導體陶瓷CMP研磨拋光漿料特性與適配性CMP Slurry磨料類型：納米氧化硅（SiO2）漿料：適用于SiC、GaN等硬質陶瓷，通過表面氧化反應（如SiC + H2O2 → SiO2 +

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[常見問題]如何解決二氧化硅拋光液結晶問題？吉致電子CMP拋光專家支招[ 2025-05-08 17:28 ]

在半導體、光學玻璃等精密制造領域，二氧化硅（SiO2）拋光液因其高精度、低損傷的特性被廣泛應用。然而，拋光液在存儲或使用過程中可能出現(xiàn)結晶結塊現(xiàn)象，輕則影響拋光效果，重則導致工件劃傷甚至報廢。如何有效避免和解決這一問題？吉致電子憑借多年CMP拋光液研發(fā)經(jīng)驗，為您提供專業(yè)解決方案！一、結晶原因分析二氧化硅拋光液以高純度硅粉為原料，通過水解法制備，其膠體粒子在水性環(huán)境中形成穩(wěn)定的離子網(wǎng)狀結構。但若水分流失、溫度波動或pH失衡，粒子會迅速聚集形成硬質結晶。主要誘因包括：存儲不當（溫度過高/過低、未密封）拋光液停滯（流動不

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[行業(yè)資訊]吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應用解析[ 2025-04-25 10:52 ]

鎢CMP拋光液：半導體關鍵制程材料的技術解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產(chǎn)品定義與技術背景鎢化學機械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導體先進制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)納米級表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對互連結構的苛刻要求。2. 核心組分與作用機理3. 關鍵性能指標去除速率：200-600 nm/min（可調(diào)，適配不同工藝節(jié)點）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇

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[行業(yè)資訊]金剛石研磨液在CMP工藝中的應用與優(yōu)勢[ 2025-04-01 15:37 ]

化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導體、光學玻璃、陶瓷、硬質合金及精密制造行業(yè)的關鍵工藝，用于實現(xiàn)材料表面的超精密平坦化。針對藍寶石、碳化硅（SiC）、硬質合金等高硬度材料的加工需求，傳統(tǒng)研磨液難以滿足高精度、低損傷的要求，因此CMP拋光液、CMP拋光墊是滿足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金剛石研磨液憑借其超硬特性和穩(wěn)定可控性，通過精準調(diào)控化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應（Chemo-Mechanical Synergy）實現(xiàn)實現(xiàn)亞納米級表面。1. 金剛石CMP研

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[吉致動態(tài)]吉致電子半導體CMP拋光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]

在半導體制造工藝中，化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟，而拋光液（Slurry）的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進工藝，對CMP拋光液的化學穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商，吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術，助力客戶突破先進制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學添加劑和超純水組成，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用實現(xiàn)晶圓表面納米級平坦化。磨料顆粒：SiO?（二氧化硅）：廣泛用于氧化物拋光，具有高

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[行業(yè)資訊]半導體CMP拋光液Slurry：精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]

在半導體制造領域，半導體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關鍵材料，廣泛應用于化學機械拋光CMP工藝中。它通過獨特的機械研磨與化學反應相結合的方式，幫助實現(xiàn)晶圓表面的納米級平坦化，為高性能半導體器件的制造提供了重要保障。什么是半導體CMP拋光液Slurry？半導體Slurry是一種由研磨顆粒、化學添加劑和液體介質組成的精密材料。在CMP工藝中

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[行業(yè)資訊]CMP拋光液：從第一代到第三代半導體材料的精密拋光利器[ 2025-03-14 15:21 ]

隨著半導體技術的飛速發(fā)展，化學機械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導體材料中的應用第三代半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導熱率、抗輻射能力強、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能

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[常見問題]半導體銅CMP拋光液：銅互連工藝的核心材料[ 2025-02-25 14:44 ]

半導體銅化學機械拋光液（Copper CMP Slurry）是用于半導體制造過程中銅互連層化學機械拋光（CMP）的關鍵材料。隨著半導體技術的發(fā)展，銅CU因其低電阻率和高抗電遷移性能，取代鋁成為主流互連材料。銅CMP拋光液在銅互連工藝中起到至關重要的作用，確保銅層平整化并實現(xiàn)多層互連結構，CU CMP Slurry通過化學腐蝕與機械研磨的結合，實現(xiàn)銅層的高精度平整化和表面質量控制。。一、Copper CMP Slurry銅CMP拋光液的組成：主要磨料顆粒（Abrasive Particles）有二氧化硅（

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[行業(yè)資訊]CMP拋光液:精密光學鏡頭制造的幕后英雄[ 2025-02-12 16:24 ]

CMP（化學機械拋光）技術在光學制造領域確實扮演著至關重要的角色，尤其是在高精度光學元件的加工中。CMP拋光液通過化學腐蝕和機械研磨的結合，能夠實現(xiàn)光學玻璃表面的超平滑處理，滿足現(xiàn)代光學系統(tǒng)對表面粗糙度和形狀精度的嚴苛要求。吉致電子光學玻璃CMP Slurry的應用領域：①精密光學鏡頭：在手機攝像頭、顯微鏡、望遠鏡等光學系統(tǒng)中，通過CMP工藝和拋光液的拋磨可使光學鏡頭元件在光線折射與散射方面得到有效優(yōu)化，成像質量大幅提升。確保了鏡頭的高分辨率和成像質量。②航空航天光學窗口：航空航天光學窗口面臨復雜空間環(huán)

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